Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik:
Physikalische Technik
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Wildau
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Zusammenfassung: | Physikalische Technik |
| Beschreibung: | XII, 40 Blätter Illustrationen 1 DVD |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV040601262 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20200213 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 121130s2012 a||| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)918490066 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV040601262 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-526 | ||
| 100 | 1 | |a Eberspach, Florian |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| 264 | 1 | |a Wildau |c 2012 | |
| 300 | |a XII, 40 Blätter |b Illustrationen |e 1 DVD | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |b Bachelorarbeit |c Technische Hochschule |g P02/09(12) | ||
| 520 | |a Physikalische Technik | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Schalttransistor |0 (DE-588)4132445-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumnitrid |0 (DE-588)4375592-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Leistungselektronik |0 (DE-588)4035235-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Galliumnitrid |0 (DE-588)4375592-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Schalttransistor |0 (DE-588)4132445-6 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Leistungselektronik |0 (DE-588)4035235-3 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | |q application/pdf |u http://wilbert.kobv.de/tocs/108367.pdf |3 Inhaltsverzeichnis | |
| 940 | 1 | |q BTW-Scan | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-025429002 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804149691170947073 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Eberspach, Florian |
| author_facet | Eberspach, Florian |
| author_role | aut |
| author_sort | Eberspach, Florian |
| author_variant | f e fe |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV040601262 |
| ctrlnum | (OCoLC)918490066 (DE-599)BVBBV040601262 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01495nam a2200409 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV040601262</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20200213 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">121130s2012 a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)918490066</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV040601262</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-526</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Eberspach, Florian</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Wildau</subfield><subfield code="c">2012</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XII, 40 Blätter</subfield><subfield code="b">Illustrationen</subfield><subfield code="e">1 DVD</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Bachelorarbeit</subfield><subfield code="c">Technische Hochschule</subfield><subfield code="g">P02/09(12)</subfield></datafield><datafield tag="520" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Physikalische Technik</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schalttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4132445-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Leistungselektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4035235-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Schalttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4132445-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Leistungselektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4035235-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2=" "><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://wilbert.kobv.de/tocs/108367.pdf</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">BTW-Scan</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-025429002</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV040601262 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-10T00:27:03Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-025429002 |
| oclc_num | 918490066 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-526 |
| owner_facet | DE-526 |
| physical | XII, 40 Blätter Illustrationen 1 DVD |
| psigel | BTW-Scan |
| publishDate | 2012 |
| publishDateSearch | 2012 |
| publishDateSort | 2012 |
| record_format | marc |
| spelling | Eberspach, Florian Verfasser aut Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik Wildau 2012 XII, 40 Blätter Illustrationen 1 DVD txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Bachelorarbeit Technische Hochschule P02/09(12) Physikalische Technik Schalttransistor (DE-588)4132445-6 gnd rswk-swf Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd rswk-swf Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 gnd rswk-swf HEMT (DE-588)4211873-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 s Schalttransistor (DE-588)4132445-6 s HEMT (DE-588)4211873-6 s Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 s DE-604 application/pdf http://wilbert.kobv.de/tocs/108367.pdf Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Eberspach, Florian Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik Schalttransistor (DE-588)4132445-6 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4132445-6 (DE-588)4375592-6 (DE-588)4035235-3 (DE-588)4211873-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_auth | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_exact_search | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_full | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_fullStr | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_full_unstemmed | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_short | Spezifische Charakterisierung von GaN-HFETs zur Einsetzbarkeit als Schalttransistor in der Leistungselektronik |
| title_sort | spezifische charakterisierung von gan hfets zur einsetzbarkeit als schalttransistor in der leistungselektronik |
| topic | Schalttransistor (DE-588)4132445-6 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd Leistungselektronik (DE-588)4035235-3 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd |
| topic_facet | Schalttransistor Galliumnitrid Leistungselektronik HEMT Hochschulschrift |
| url | http://wilbert.kobv.de/tocs/108367.pdf |
| work_keys_str_mv | AT eberspachflorian spezifischecharakterisierungvonganhfetszureinsetzbarkeitalsschalttransistorinderleistungselektronik |