Growth and properties of In(Ga)As nanowires on silicon:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hertenberger, Simon (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Garching b. München Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München 2012
Ausgabe:1. Aufl.
Schriftenreihe:Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology Vol. 144
Schlagworte:
Beschreibung:VII, 152 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:9783941650442

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