Epitaxie von langwelligen InGaN-Lasern:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2011
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1
EINLEITUNG
1
2
EINFUEHRUNG
IN
DIE
HERSTELLUNG
UND
CHARAKTERISIERUNG
NITRIDBASIEREN
DER
LASERDIODEN
4
2.1
DAS
..................................................................................................................
4
2.1.1
KRISTALLSTRUKTUR
................................................................................
4
2.1.2
PIEZOELEKTRISCHER
EFFEKT
...................................................................
6
2.2
WACHSTUM
......................................................................................................
9
2.2.1
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
(MOVPE)
........................
9
2.2.2
WACHSTUMSBEDINGTE
KRISTALLDEFEKTE
..............................................
14
2.2.3
ALTERNATIVE
WACHSTUMSVERFAHREN
.................................................
16
2.3
OPTISCHE
UND
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
LASERDIODEN
.........................
19
2.4
SUBSTRATWAHL:
VERGLEICH
UNTERSCHIEDLICHER
KRISTALLORIENTIERUNGEN
....
28
2.5
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.......................................................................
34
2.5.1
EPITAXIERTE
SCHICHTEN
......................................................................
34
2.5.2
LASERDIODEN
.....................................................................................
44
3
ANALYSE
DES
OPTISCHEN
GEWINNS
BLAUER
UND
GRUENER
LASERDIODEN
48
3.1
GAIN-SIMULATION
UNTER
BERUECKSICHTIGUNG
VON
LO-PHONON
BEITRAEGEN
.
.
48
3.1.1
MIKROSKOPISCHES
GAIN-MODELL
.......................................................
49
3.1.2
ANALYSE
VON
SIMULIERTEN
UND
EXPERIMENTELLEN
GAIN-KURVEN
...
54
3.2
BESTIMMUNG
DES
GAIN-KOEFFIZIENTEN
GO
IN
ABHAENGIGKEIT
DER
WELLENLAENGE
59
4
MOVPE-WACHST
UM
HOCH
INDIUM-REICHER
INGAN-QUANTENFILMSCHICH
TEN
62
4.1
HERAUSFORDERUNGEN
DES
WACHSTUMS
HOCH
INDIUM-REICHER
QUANTENFILME
.
62
4.1.1
EINFLUSS
DES
INDIUM-GEHALTES
AUF
DIE
QUANTENFILMQUALITAET
....
62
4.1.2
DEFEKTE
IN
GRUENEN
QUANTENFILMEN
.................................................
64
4.2
FLUKTUATIONEN
IN
HOCH
INDIUM-REICHEN
INGAN-QUANTENFILMEN
...............
81
4.2.1
INHOMOGENITAETEN
AUF
MIKROMETERSKALA
...........................................
82
4.2.2
INHOMOGENITAETEN
AUF
NANOMETERSKALA
...........................................
95
5
WELLENLEITER
DESIGN
GRUENER
INGAN-LASERDIODEN
105
5.1
HERAUSFORDERUNGEN
DER
VERTIKALEN
WELLENFUEHRUNG
BEI
BLAU
UND
GRUEN
EMIT
TIERENDEN
LASERDIODEN
.......................................................................
105
5.2
VERSCHIEDENE
KONZEPTE
DER
WELLENFUEHRUNG
IN
GRUENEN
LASERDIODEN
...
109
5.2.1
LD-SIMULATION
UNTERSCHIEDLICHER
WELLENLEITERSTRUKTUREN
...............
109
5.2.2
PLASMONISCHES
GAN
...........................................................................
113
5.2.3
AUSWIRKUNG
DER
WELLENFUEHRUNG
AUF
LASERKENNDATEN
...................
123
6
ERGEBNISSE
LANGWELLIGER
LASERDIODEN
126
6.1
OPTIMIERTE
LASERSTRUKTUREN
.......................................................................
127
6.2
EINORDNUNG
DER
ERGEBNISSE
..........................................................................
129
7
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
132
ABKUER
ZUNGS
VERZEICHNIS
134
LITERATURVERZEICHNIS
135
VEROEFFENTLICHUNGEN
UND
VORTRAEGE
148
DANKSAGUNG
151
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