Grundlagen der Elektronik: Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen ; ein Lernbuch
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2011
|
| Ausgabe: | 8., erg. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Elektronik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Auf dem Umschlag fälschlich als 7., ergänzte Auflage bezeichnet |
| Beschreibung: | X, 503 S. graph. Darst. 21 cm |
| ISBN: | 9783826588259 |
Internformat
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|---|---|
| adam_text | Inhaltsverzeichnis
1 EINFÜHRUNG IN DIE PHYSIK DER HALBLEITER 1
1.1 Einordnung der Halbleiter zwischen Leitern und Isolatoren 1
1.2 Aufbau von Leitern und Halbleitern 1
1.2.1 Aufbau der Atome 1.
1.2.2 Kristailaufbau 3
1.3 Leitiingsmeehanismen in Halbleitern 5
1.3.1 Eigenleitung (Leitungsmechanismen im reinen Halbleiter) 5
1.3.2 Störstellenleitung 7
1.3.3 Ladungsträgerkonzentrationen im dotierten Halbleiter 10
1.3.4 Massenwirkungsgesetz 12
1.3.5 Leitfähigkeit des Halbleiters 12
1.3.6 Erklärung der Leitungsmechanismen im Halbleiter mit Energie-Modellen 13
1.3.7 Energie-Verteilung der freien Elektronen und der Löcher 15
1.4 Übungsaufgaben zur Physik der Halbleiter 19
2 DER PN-ÜBERGANG 21
2.1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung 21
2.1.1 Der ideale abrupte pn-Übergang 21
2.1.2 Ladungsträgerdiffusion - Bildung einer Raumladungszone 21
2.1.3 Ladungsträgerdichte 22
2.1.4 Raumladungsdichte 22
2.1.5 Diffusionsspannung 23
2.1.6 Sperrschichtweite 24
2.1.7 Sperrschichtkapazität 24
2.1.8 Energiebänder-Modell des pn-Überganges 24
2.2 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung 25
2.2.1 Sperrpolung 25
2.2.2 Flusspolung 27
2.2.3 Durchbruch bei hoher Feldstärke in Sperrpolung 29
2.2.4 Gesamtkennlinie des pn-Überganges 31
2.2.5 Temperaturabhängigkeit der Kennlinie 32
2.2.6 Schaltverhalten des pn-Übergangs 32
2.3 Übungsaufgaben zum pn-Übergang 35
3 METALL-HALBLEITER-ÜBERGÄNGE 38
3.1 Schottky-Kontakt (Sperrschicht-Kontakt) 39
3.1.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM WH) 39
3.1.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit geringerer Austrittsarbeit (WN1 WH) 41
3.1.3 Eigenschaften des Schottky-Kontakts 43
3.2 Ohmscher Kontakt 44
3.2.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit kleinerer Austrittsarbeit (WM WH) 44
3.2.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WVj Wu) 45
3.2.3 Ohmscher Kontakt durch hochdotierte Haibleiterzwischenschieht 47
3.3 Übungsaufgaben zu Metall-Halbleiter-Übergängen 48
I
Inhaltsverzeichnis
4 DIE DIODE 49
4.1 Allgemeines 49
4.2 Universal- und Richtdiode 52
4.3 Hochsperrende Leistungsdioden 53
4.4 Schaltdioden 54
4.5 Die Z-Diode 54
4.6 Kapazitätsdiode 55
4.7 Tunneldiode 56
4.8 Backward-Diode 57
4.9 Schottky-Diode 58
4.10 Weitere Diodenformen 58
4.11 Übungsaufgaben zu Dioden 59
5 STABILISIERUNGSSCHALTUNG MIT Z-DIODE 64
5.1 Grundschaltung 64
5.1.1 Graphische Schalumgsanalyse 64
5.J.2 Rechnerische Schaltungsanalyse (Betrieb mit Gleichspannung) 67
5.2 Berechnung von Grenzwerten 69
5.2.1 Zulässiger Arbeitsbereich der Z-Diode 69
5.2.2 Grenzwerte für die Einzelbauelcmeme 70
5.3 Genauere Betrachtung des differentiellen Widerstandes 74
5.4 Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung 75
5.4.1 Wechselanteil der stabilisierten Gleichspannung 75
5.4.2 Verlustleistung der Z-Diode 76
5.5 Übungsaufgaben zur Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode 77
6 NETZGLEICHRICHTER 78
6.1 Gleichrichterschaltungen ohne Glättung (mit ohmscher Last) 78
6.1.1 Einweggleichrichter 78
6.1.2 Zweiweggleichrichter - Mittelpunktschaltung 80
6.1.3 Zweiweggleichrichter - Brückengleichrichter (Graetz-Gleichrichtcr) 82
6.1.4 Genauere Berechnung der Zweiweggleichrichter 83
6.2 Gleichrichterschaltungen mit Glättung 85
6.2.1 Glättungsarten 86
6.2.2 Berechnung des Zweiweggleichrichters mit Glättungskondensator 87
6.3 Gleichrichter mit Pufferbatterie 95
6.4 Übungsaufgaben zu Netzgleichrichtern 97
7 DREHSTROMGLEICHRICHTER 100
7.1 Mittelpunkt-Schaltung (Halbbrücke) (3-pulsiger Gleichrichter) 100
7.2 Drehstrom-Brückengleichrichter (6-pulsiger Gleichrichter) 102
7.3 Übungsaufgaben zu Drehstromgleichrichtern 105
II
Inhaltsverzeichnis
8 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG 107
8.1 SpannungsVerdoppelung mit der Delonschaltung 107
8.2 Spannungsverdoppelung mit Villardschaltung 108
8.3 Spannungsvervielfachung durch Kaskadierung der Villardschaltung ilO
8.4 Übungsaufgaben zur Spannungsvervielfachung 111
9 DER BIPOLARE TRANSISTOR 112
9.1 Aufbau und Herstellungsverfahren 112
9.2 Funktionsweise 114
9.2.1 Dei Transistoreffekt L14
9.2.2 Strömungsmechanismen im Transistor 117
9.2.3 Einfluss der Kollektor-Basis-Spannung auf den Kollektorstrom 118
9.3 Schaltzeichen - Richtungspfeile für Ströme und Spannungen 119
9.4 Transistor-Grundschaltungen 119
9.4.1 Basisschaltung 119
9.4.2 Emitterschaltung 121
9.4.3 Kollektorschaltung 124
9.4.4 Umrechnung der Stromverstärkungen 125
9.5 Darlington- oder Super-Beta-Schaltung 125
9.6 Daten von Transistoren 126
9.7 Übungsaufgaben zu Aufbau und Funktionsweise des bipolaren Transistors 127
10 ARBEITSPUNKT DES BIPOLAREN TRANSISTORS /
GLEICHSTROMBETRIEB 129
10.1 Einstellung des Arbeitspunktes 129
10.1.1 Einprägung des Basisstromes 130
10.1.2 Einprägung der Basis-Emitter-Spannung 130
10.1.3 Einstellung der Kollektor-Emitter-Spannung 131
10.2 Stabilisierung des Arbeitspunktes 131
10.2.1 Anforderungen an die Stabilität des Arbeitspunktes 131
10.2.2 Ursachen für Arbeitspunkt-Verschiebungen 131
10.2.3 Gegenkopplungsmaßnahmen zur Arbeitspunkt-Stabilisierung 132
10.2.4 Verfahren zur Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes 134
10.2.5 Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes einer gegebenen Schaltung 135
10.2.6 Stabilisierung des Arbeitspunktes bei der Schaltungsdimensionierung 137
10.3 Dimensionierung einer Transistorschaltung und grafische Analyse des Arbeitspunktes 139
10.3.1 Dimensionierung der Schaltung 139
10.3.2 Grafische Analyse des Arbeitspunktes 141
10.4 Beispielschaltungen 144
10.4.1 Konstantspannungsquelle 144
10.4.2 Einfache Konstantstromquelle 144
10.4.3 Einfacher Stromspiegel (Konstantstromquelle) 145
10.4.4 Wilson-Stromspiegel 147
10.5 Gegenkopplung bei mehrstufigen Transistorverstärkern 148
10.6 Übungsaufgaben zum Gleichstrombetrieb des Transistors 150
III
Inhaltsverzeichnis
11 DER BIPOLARE TRANSISTOR IM
WECHSELSPANNUNGSVERSTÄRKER 154
11.1 Grundschaltung eines Wechselspannungsverstärkers in Emitterschaltung 154
11.1.1 Prinzipieller Aufbau und Funktion 154
11.1.2 Analyse des Arbeitspunktes 155
11.1.3 Wechselstromanalyse 155
11.1.4 Verzerrungen und Begrenzungen des Ausgangssignals (Aussteuerungsgrenzen) 156
11.1.5 Technische Realisierung 158
11.2 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung 159
11.2.1 Grafische Analyse des Wechselstrom-Verhaltens 159
11.2.2 Berechnung der Wechsclstromgrößen 163
11.2.3 Wechselspannungsverstärkung bei Stromgegenkopplnng 165
H.2.4 Berechnung der Kondensatoren 168
11.2.5 Gcsamt-Grenzfrequcnzen 171
11.3 RC-gekoppelter Wcchselspannungsverstärker in Basisschaltung 174
11.3.1 Die Schaltung 174
11.3.2 Berechnung der Wechselstrom-Kenngrößen 174
11.3.3 Obere Grenzfrequenz der Basisschaltung 175
11.4 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Kollektorschaltung 176
11.4.1 Stromlaufplan und Daten 176
11.4.2 Wechselstrom-Berechnungen 177
11.4.3 Bootstrapschaltung 180
11.5 Vergleich der Transistor-Grundschaltungen 182
11.6 Lage des Arbeitspunktes im Kennlinienfeld 183
11.6.1 Klein-und Mittelsignalverstärker 184
11.6.2 Leistungsverstärker - Transistorendstufen 184
11.7 Übungsaufgaben zum Wechselspannungsverstärker mit bipolarem Transistor 186
12 DER BIPOLARE TRANSISTOR ALS SCHALTER 191
12.1 Der ideale Schalter (zum Vergleich) 191
12.2 Die Betriebszustände des Transistor-Schalters 193
12.2.1 Ausgewählte Details aus der Halbleiter- und Transistorphysik 193
12.2.2 Prinzipielle Ansteuerungsvarianten 194
12.2.3 Der gesperrte Transistor 195
12.2.4 Der leitende Transistor (ungesättigt, UCB 0) 196
12.2.5 Der leitende Transistor (gesättigt) 199
12.2.6 Kennlinien-Arbeitsbereiche des Transistors als Schalter 201
12.3 Das dynamische Verhalten 202
12.3.1 Einschaltvorgang 202
12.3.2 Der Ausschaltvorgang 205
12.4 Maßnahmen zur Verbesserung des Schaltverhaltens 210
12.5 Schaltverlustleistung 212
12.6 Transistorschalter bei ohmscher, kapazitiver und induktiver Last 214
12.6.1 Ohmsche Last 214
12.6.2 Ohmisch-induktive Last 214
12.6.3 Ohmisch-kapazitive Last 216
IV
Inhaltsverzeichnis
12.7 Transistor in digitalen Grundschaltungen 217
12.8 Übungsaufgaben zum Transistor als Schalter 221
13 DER FELDEFFEKTTRANSISTOR (FET) 227
13.1 Allgemeines / Grundprinzip 227
13.2 Sperrschicht-FET 227
13.2.1 Autbau und Wirkungsprinzip 227
13.2.2 Einfluss der Kanalspannung auf die Kennlinie 228
13.2.3 Steuerung über das Gate 230
13.2.4 Die Kennlinien des Sperrschicht֊FET 231
13.3 IG-FET (isolated gate) 232
13.3.1 Anreicherungstyp 232
13.3.2 Verarmungstyp 236
13.3.3 Vorteile der IG-FET 236
13.4 Übersicht über alle FET-Typen 237
13.5 Daten von Feldeffekt-Transistoren 238
13.6 FET als Analogschaltcr 239
13.6.1 Ein-und Ausschaltbedingungen 239
13.6.2 Grundschaltung eines FET-Analogschalters 239
13.6.3 Verbesserter FET-Analogschalter 241
13.6.4 Gegeniakt-FET-Anaiogschalter 242
13.7 Arbeitspunkt-Einstellung - Konstantstroiiiquelle (J-FET) 243
13.8 J-FET-Wechselspannungsverstärker in Source-Schaltung 245
13.8.1 Schaltung des J-FET-WS-Verstärkers 245
13.8.2 Wechselstrom-Ersatzschaltbild des J-FET in Source-Schaltung 245
13.8.3 Berechnung des Wechselspannungsverstärkers 246
13.9 CMOS-Technik 247
13.9.1 CMOS-Inverter 247
13.9.2 CMOS-NOR-Gatter 247
13.9.3 CMOS-NAND-Gatler 248
13.9.4 CMOS-Übertragungsgatter 249
13.10 Übungsaufgaben zum Feldeffekttransistor 250
14 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE EINES
OPERATIONSVERSTÄRKERS 256
14.1 Allgemeines 256
14.2 Interner Aufbau 256
14.2.1 Eingangsstufe 257
14.2.2 Koppelstufe 261
14.2.3 Ausgangsstufe 261
14.2.4 Gesamtschaltung des OP 741 264
14.3 Eigenschaften und Daten von Operationsverstärkern 265
14.4 Moderne Operationsverstärker-Typen 268
14.5 Übungsaufgaben zu Aufbau und Funktionsweise des Operationsverstärkers (VV-OP) 268
V
Inhaltsverzeichnis
15 OPERATIONSVERSTÄRKER - GRUNDSCHALTUNGEN 269
15.1 Аnwendungsbeispiele ohne Rückkopplung oder mit Mitkopplung 269
15.1.1 Komparator 269
15.1.2 Schmitt-Trigger 270
15.2 Niederfrequente Anwendungsbeispiele mit Gegenkopplung 272
15.2.1 invertierender Verstärker 273
15.2.2 Nicht-invertierender Verstärker 274
15.2.3 Addition (mit Inversion ) 275
15.2.4 Subtraktion (Differenzverstärker) 276
15.2.5 Integration 277
15.2.6 Differentiation 278
15.2.7 Tiefpass oder Verzögerungsglied 1. Ordnung 279
15.2.8 Hochpass 281
15.2.9 Bandpass 282
15.2.10 Pl-Regler (Pvoportional-Integral-Rcgler) 283
15.3 Fehler-Rechnung 284
15.3.1 Fehler durch Eingangs-Offset-Spannung 284
15.3.2 Fehler durch Eingangsströme (Bias-Ströme) 285
15.3.3 Fehler durch Ungleichheit der Eingangsströme (Eingangs-Offsetstrom) 286
15.4 Stabilitätsprobleme - Frequenzgangkorrektur 287
15.4.1 Schwingneigung durch ungewollte Mitkopplung 287
15.4.2 Die Schleifenverstärkung 288
15.4.3 Frequenzgangkorrektur 289
15.4.4 Stabilität bei kapazitiver Last und beim Differenzierer 292
15.5 Übungsaufgaben zu Operationsverstärker-Grundschaltungen 294
16 SPEZIELLE SCHALTUNGSBEISPIELE MIT
OPERATIONSVERSTÄRKERN 299
16.1 Instrumen tenverstärker 299
16.2 Präzisionsgleichrichtcr 300
16.3 Logarithmieren 300
16.4 Delogarithmieren 301
16.5 Multiplizierer 302
16.6 Abtast-Halte-Glieder (Sample Hold ֊ Verstärker) 303
16.7 Fensterkomparatoren 306
16.8 Frequenz-Spannungs- und Spannungs-Frequenz-Wandler 307
16.9 Digital-Analog- und Analog-Digital-Umsetzer 309
16.9.1 Digital-Analog-Umsetzer 309
16.9.2 Analog-Digital-Wandler 312
16.10 Übungsaufgaben Spezielle Operationsverstärker-Schaltungen 318
VI
Inhaltsverzeichnis
17 MULTIVIBRATOREN, OSZILLATOREN,
FUNKTIONSGENERATOREN 324
J7.1 Überblick 324
17.2 Multivibratoren 324
17.2.1 Bistabile Multivibratoren (Flip-Flops) 324
17.2.2 Monostabiler Multivibrator (Mono-Flop, Oneshot, Univibrator) 325
17.2.3 Astabiler Multivibrator (Rechteckgenerator) 325
17.3 Multivibratoren mit dem Timer 555 328
17.4 Dreieck-und Sägezahngeneratoren 33 Î
17.4.1 Dreieckgenerator 331
17.4.2 Säegezahngenerator 331
17.5 Sinusgeneratoren 332
17.5.1 Phasenschieberoszillatoren 332
17.5.2 Wien-Oszillatoren 334
17.5.3 Sinussignal durch Integration einer Rechteckspannung 336
17.6 Übungsaufgaben zu Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren 336
18 MEHRSCHICHT- UND
LEISTUNGS-HALBLEITER BAUELEMENTE 339
18.1 Thyristor 339
18.1.1 Aufbau und Funktionsweise 339
18.1.2 Haupteinsatzgebiete 343
18.2 TRIAC 344
18.3 DIAC 345
18.4 Leistungs-MOS-FET (Kurzkanalstrukturen) 346
18.4.1 VMOS-FET 346
18.4.2 DMOS-FET 346
18.5 IGBT 347
18.6 Übungsaufgaben zu Leistungs-Halbleiterbauelementen 348
19 OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE 349
19.1 Fotowiderstand (LDR) 349
19.2 Fotodiode 359
19.2.1 PN-Übergang unter Lichteinwirkung 350
19.2.2 Diodenbetrieb der Fotodiode 351
19.2.3 Foto-PIN-Diode 352
19.2.4 Schotlky-Fotodiode 352
19.2.5 Foto-Lavvinen-Diode (Avalanche-Fotodiode) 352
19.2.6 Elementbetrieb der Fotodiode 353
19.2.7 Solarzelle 354
19.3 Fototransistor 355
19.4 Lumineszenz-Dioden 355
19.5 Displays 357
19.5.1 LED-Displays 357
19.5.2 Flüssigkristall-Displays 35g
VII
Inhaltsverzeichnis
19.6 Optoelektronische Koppler 359
19.6.1 Optokoppler (geschlossen) 359
19.6.2 Optokoppler-Lichtschranken 360
19.7 Laser-Dioden 361
19.8 Lichtwellenleiter 364
19.9 Übungsaufgaben zu optoelektronischen Bauelementen 367
20 HALBLEITERBAUELEMENTE OHNE PN-ÜBERGANG
(HOMOGENE HALBLEITERBAUELEMENTE) 368
20.1 Heißleiter (NTC-Widerstände) 368
20.2 Kaltleiter (PTC-Widerstände) 370
20.3 Varistoren (VDR) 371
20.4 Fotowider stand (LDR) 371
20.5 Feldplatte (MDR) 372
20.6 Hallgenerator 372
20.7 Dehnungsmessstreifen 373
20.8 Übungsaufgaben zu homogenen Halbleitern 374
21 GLEICHSPANNUNGS WANDLER 375
21.1 Drossel-Aufwärtswandler 375
21.2 Drossel-Abwärtswandler 377
21.3 Drossel-Inverswandler 379
21.4 Einschwingvorgänge 380
21.5 Anwendungsbeschränkungen 380
21.6 Übungsaufgaben zu Schaltwandlern 382
22 THERMISCHE PROBLEME / WÄRMEABLEITUNG 383
22.1 Temperaturerhöhung von Bauelementen durch Wärmefreisetzung 383
22.1.1 Verlustwärme - Verlustleistung 383
22.1.2 Wärmekapazität 383
22.2 Wärmeableitung 384
22.2.1 Der Wärmewiderstand 384
22.2.2 Wärmewiderstand bei Wärmeleitung 384
22.2.3 Wärmewiderstand bei Konvektion 385
22.2.4 Wärmestrahlung 385
22.2.5 Kühlflächenbercchnung 385
22.3 Der Wärmestromkreis 386
22.4 Berechnung des Wärmestromkreises 388
22.4.1 Analogie thermischer und elektrischer Größen 388
22.4.2 Berechnung von Temperaturen im stationären Betrieb 389
22.4.3 Reduzierung der z.ulassigen Verlustleistung bei hoher Umgebungstemperatur 389
22.4.4 Thermische Ausgleichsvorgänge 390
22.5 Übungsaufgaben zu thermischen Problemen 393
VIII
Inhaltsverzeichnis
A Anhang A- Schaltungsanalyse.............................................................395
АД Grundlagen der Zweipoltheorie.....................................................395
A.2 Einfache Zweipole.................................................................396
A.2.I Passive Zweipole 396
A.2.2 Aktive Zweipole 396
A.3 Ersatzwiderstand passiver Bauelemente.............................................398
A.3.1 Berechnung eines Ersatzwiderstandes bei linearen Elementen 398
A.3.2 Graphisches Verfahren bei nichtlinearen Elementen 398
A.3.3 Linearisierung von Kennlinien 399
A.4 Ersatzschaltungen aktiver Zweipole................................................401
A.4.1 Aktive Zweipole mit einer Quelle 401
A.4.2 Aktiver Zweipol mit mehreren Quellen 402
A.5 Zusammenschaltung aktiver und passiver Zweipole.....................................403
A.5.1 Der lineare Grundstromkreis 403
A.5.2 Der nichtlineare Grundstromkreis - Graphisches Schnittpunktverfahren 403
A.5.3 Stromkreise mit bipolarem Transistor 409
В
Anhang В - Vierpoltheorie..................
412
B.l Vierpolgleichungen - Vierpolparameter.................................................412
B.l.l DieZ-Parameter 414
B.l.2 Die Y-Parameter 414
B.1.3 Die H-Parameter (= Hybrid-Parameter) 415
B.2 Transistor als linearer Vierpol..................................................... 416
B.2.1 Die h֊Parameter des Transistors 416
B.2.2 Ermittlung der h-Parameter aus den Kennlinien des Transistors 418
B.2.3 h-Parameter in Datenblättern von NF-Transistor en 419
B.2.4 Umrechnung der h-Parameter der Emitterschaltung auf die Basisschaltung 420
B.2.5 Theoretisch ermittelte Näherungswerte der Vierpolparameter des Transistors 421
c
Anhang C - Lösungen der Übungsaufgaben
C.l Halbleiterphysik (zu Abschnitt 1)............
C.2 Physik des pn-Übergangs (zu Abschnitt 2).....
Q»0»«0000e0e00e»e0«0«0000ec0004 0000000 090»9000ee
C.3 Metail-Halbleiter-Übergängen (zu Abschnitt 3)..........................
C.4 Dioden (zu Abschnitt 4).................................................
C.5 Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode (zu Abschnitt 5)...................
C.6 Netzgleichrichter (zu Abschnitt 6)......................................
C.7 Drehstromgleichrichter (zu Abschnitt 7).................................
C.8 Spannungsvervielfachung (zu Abschnitt 8)................................
C.9 Aufbau und Funktionsweise des bipolaren Transistors (zu Abschnitt 9)....
C.10 Gleichstrombetrieb des Transistors (zu Abschnitt 10)...................
C.l 1 Wechselspannungsverstärker mit bipolarem Transistor (zu Abschnitt 11)
C.12 Transistor als Schalter (zu Abschnitt 12)..............................
C.13 Feldeffekttransistor (zu Abschnitt 13).................................
C.14 Aufbau und Funktionsweise des Operationsverstärkers (zu Abschnitt 14).
C.15 Operationsverstärker-Grundschaltungen (zu Abschnitt 15)................
C.16 Operationsverstärker-Schaltungen (zu Abschnitt 16).....................
C.17 Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren (zu Abschnitt 17)....
C.18 Leistungs-Halbleiterbauelementen (zu Abschnitt 18)..................
€.19 Optoelektrische Bauelemente (zu Abschnitt 19)..........................
C.20 Homogene Bauelemente (zu Abschnitt 20)................................
C.21 Gleichspanmmgswandler (zu Abschnitt 21)..............................
C.22 Thermische Probleme (zu Abschnitt 22)..................................
423
. 423
. 427
.430
.431
.437
.439
.440
.442
.442
.445
.451
.457
.462
.469
.470
.478
.482
.484
.485
.486
. 487
.488
D Anhang D - Verwendete Größensymboie.
60öCOOeOOOe»flOeOOlH)OOOOflOOKIOOO liOOIJO«OßOUOOeoOOOÜÜiül
490
Literaturhinweise
94 ooooooooi oco«ooGoooeooooQOOi ooooQO üoooo öocoo£cooc?ooooocoocoocccooooooooooooooocooocoooo30ooQC90?o
496
Stichwortverzeichnis
ФФОФФФввФФФвОАвФФОФФвфдвОООООвФвВОООФО^дОФФвФСФОвдФвбОвОООвОООІОфФООйОООООдОООООбООООООСОООООСОФО
496
IX
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