Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart
Fraunhofer-IRB-Verl.
2011
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus Forschung und Entwicklung
32 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 112 S. zahlr. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 9783839602270 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV039550382 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20110913 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 110829s2011 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 9783839602270 |9 978-3-8396-0227-0 | ||
| 035 | |a (OCoLC)725123252 | ||
| 035 | |a (DE-599)GBV65791116X | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-83 | ||
| 084 | |a ZN 4192 |0 (DE-625)157372: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Eichler, Marko |e Verfasser |0 (DE-588)1012005291 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung |c von Marko Eichler |
| 264 | 1 | |a Stuttgart |b Fraunhofer-IRB-Verl. |c 2011 | |
| 300 | |a 112 S. |b zahlr. Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Berichte aus Forschung und Entwicklung |v 32 | |
| 502 | |a Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2010 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Atmosphärendruckplasma |0 (DE-588)7590286-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Bonden |0 (DE-588)4232594-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Niedrigtemperatur |0 (DE-588)4417434-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Glas |0 (DE-588)4021142-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Wafer |0 (DE-588)4294605-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Glas |0 (DE-588)4021142-3 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Wafer |0 (DE-588)4294605-0 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Bonden |0 (DE-588)4232594-8 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Niedrigtemperatur |0 (DE-588)4417434-2 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Atmosphärendruckplasma |0 (DE-588)7590286-2 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Berichte aus Forschung und Entwicklung |v 32 |w (DE-604)BV012777212 |9 32 | |
| 856 | 4 | |m DE-601 |q pdf/application |u http://www.gbv.de/dms/bs/toc/65791116X.pdf |z kostenfrei |3 Inhaltsverzeichnis | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=024402280&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-024402280 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804148370279759872 |
|---|---|
| adam_text | IMAGE 1
INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
1.1 ENTWICKLUNG DES DIREKTBOND-VERFAHRENS 1
1.2 WEITERE BONDVERFAHREN 1
1.3 DIREKTBONDEN VON GLAS UND SILIZIUM 2
1.4 OBERFLAECHENAKTIVIERUNGEN VORDEM DIREKTBONDEN 4
1.4.1 NASSCHEMISCHE OBERFLAECHENAKTIVIERUNG 4
1.4.2 PLASMAAKTIVIERUNG 4
1.4.3 THERMISCHE AKTIVIERUNG IM HOCHVAKUUM 5
1.5 ZIELSETZUNG 5
2 GRUNDLAGEN 7
2. / NASSCHEMISCHE VORBEHANDLUNG FUER SILIZIUMWAFER 7
2.2 ATMOSPHAERENDRUCK-PLASMAAKTIVIERUNG 7
2.3 BESTIMMUNG DER BONDFESTIGKEIT 8
2.3.1 KLINGENTEST 9
2.3.2 WEITERE VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER BONDFESTIGKEIT 9
2.4 OBERFLAECHENANALYTIK 10
2.4.1 RASTERKRAFTMIKROSKOPIE 10
2.4.2 ROENTGEN-PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE 11
2.4.3 LASER-SCANNING-MIKROSKOPIE 11
2.4.4 ULTRASCHALLMIKROSKOPIE 11
3 VERSUCHSEINRICHTUNGEN UND GERAETE 13
3.1 WETBENCH 13
3.2 GENERATOR 13
3.3 TEMPEROFEN 13
3.4 ZUR OBERFLAECHENANALYTIK GENUTZTE GERAETE 14
3.4.1 RASTERKRAFTMIKROSKOP 14
3.4.2 ROENTGEN-PHOTOELEKTRONENSPEKTROMETER 14
3.4.3 LASER-SCANNING-MIKROSKOP 14
4 ANLAGENENTWICKLUNG 15
4.1 SCANNENDE OBERFLAECHENAKTIVIERUNG 15
4.2 STATISCHE OBERFLAECHENBEHANDLUNG 16
4.3 AUFBAU FUER IR-TRANSMISSIONSMESSUNG 20
4.3.1 AUFBAU FUER IN-SITU-UNTERSUCHUNGEN 20
4.4 ENTWICKLUNG DER IN-SITU-CHARAKTERISIERUNG DES BONDVORGANGS 22
4.4.1 IN-SITU-BONDENERGIEMESSUNGEN 22
4.4.2 EINFLUSS VON FEUCHTIGKEIT AUF DIE RISSAUSWEITUNG 28
4.5 ZUSAMMENFASSUNG 29
5 PLASMAPROZESSENTWICKLUNG FUER DAS NIEDRIGTEMPERATUR-DIREKTBONDEN 31
5.1 PROZESSENTWICKLUNG FUER DAS BONDEN VON SILIZIUMWAFERN MIT NATUERLICHEM
OXID 31 5.1.1 VERSUCHSDURCHFUEHRUNG 31
5.1.2 EINFLUSS DER BEHANDLUNGSPARAMETER 31
5.1.3 VERGLEICH BEHANDLUNG EINES UND BEIDER BONDPARTNER 36
5.1.4 SEQUENTIELLE PLASMABEHANDLUNG MIT VERSCHIEDENEN GASEN 37
5.1.5 EINFLUSS DES WASSERSPUELENS NACH DER AKTIVIERUNG 37
5.1.6 IN-SITU-BONDFESTIGKEITSUNTERSUCHUNGEN FUER VERSCHIEDENE PROZESSGASE
38
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/1011134497
DIGITALISIERT DURCH
IMAGE 2
5.1.7 ZWISCHENTEMPEM VON BEHANDELTEN WAFERN 42
5.1.8 UNTERSUCHUNGEN ZUR BLASENBILDUNG 44
5.1.9 OBERFLAECHENANALYTIK 49
5.1.10 DISKUSSION DER WICHTIGSTEN ERGEBNISSE 51
5.1.11 ZUSAMMENFASSUNG 57
5.2 PROZESSENTWICKLUNG FUER DAS BONDEN VON SILIZIUMWAFERN MIT
FUNKTIONSSCHICHTEN 58 5.2.1 SCHAEDIGUNGEN VON FUNKTIONSSCHICHTEN 58
5.2.2 BONDEN VON OXIDIERTEN WAFERN 61
5.2.3 SILIZIUMHALTIGE FUNKTIONSSCHICHTEN 62
5.2.4 TRANSPARENT LEITFAEHIGE FUNKTIONSSCHICHTEN 65
5.2.5 DISKUSSION 66
5.2.6 ZUSAMMENFASSUNG 68
5.3 PROZESSENTWICKLUNG FUER DAS BONDEN VON GLAESERN 68
5.3.1 BOROSILIKATGLAS 68
5.3.2 QUARZGLAS 74
5.3.3 DISKUSSION 75
5.3.4 ZUSAMMENFASSUNG 76
6 UNTERSUCHUNGEN ZUM ANSTIEG DER BONDENERGIE 77
6.1 SILIZIUMWAFER 77
6.1.1 TEMPERN BEI 60 C 77
6.1.2 TEMPERN BEI 100 C 78
6.1.3 TEMPERN BEI 200 C 78
6.1.4 EINFLUSS DER TEMPERATURRAMPE 80
6.1.5 MESSUNG DER OBERFLAECHENRAUHEIT AN DEBONDETEN SILIZIUMWAFERN 81
6.2 SILIZIUMWAFER MIT FUNKTIONSSCHICHTEN 82
6.3 GLASWAFER 84
6.4 DISKUSSION 86
6.5 ZUSAMMENFASSUNG 88
7 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND STAND DER INDUSTRIELLEN UMSETZUNG 91
7.1 GEWONNENE ERKENNTNISSE ZUM BOND-MECHANISMUS 91
7.2 INDUSTRIELLE UMSETZUNG DER ERGEBNISSE 92
7.2.1 ENTWICKLUNG DES NANOPREP-SYSTEMS 92
7.2.2 ENTWICKLUNG DES PLASMA-TOOLS SELECT FUER BOND ALIGNER 94
7.2.3 BEITRAG ZUR ENTWICKLUNG DES GENERATORS *G05S-150K 95
7.2.4 ZUSAMMENFASSUNG 96
7.3 VERGLEICH MIT DEN ERGEBNISSEN ANDERER ANLAGEN 97
7.3.1 VERGLEICH DES SCANNENDEN SYSTEMS (NANOPREP) MIT DEM SYSTEM FUER DIE
LOKALE PLASMABEHANDLUNG 97
7.3.2 VERGLEICH MIT NIEDERDRUCK-PLASMASYSTEM 98
8 ZUSAMMENFASSUNG 99
9 AUSBLICK 101
10 LITERATUR 103
11 EIGENE WISSENSCHAFTLICHE ARBEITEN 107
11.1 VEROEFFENTLICHUNGEN ZUM THEMA DER DISSERTATION 107
11.2 VEROEFFENTLICHUNGEN ZUM WEITEREN THEMEN 109
11.3 PREIS 111
11.4 SCHUTZRECHTE 7
11.5 BETREUTE STUDIEN- UND DIPFOMARBEITEN, PRAXISSEMESTER 2
|
| any_adam_object | 1 |
| author | Eichler, Marko |
| author_GND | (DE-588)1012005291 |
| author_facet | Eichler, Marko |
| author_role | aut |
| author_sort | Eichler, Marko |
| author_variant | m e me |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV039550382 |
| classification_rvk | ZN 4192 |
| ctrlnum | (OCoLC)725123252 (DE-599)GBV65791116X |
| discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02188nam a2200493 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV039550382</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20110913 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">110829s2011 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783839602270</subfield><subfield code="9">978-3-8396-0227-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)725123252</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)GBV65791116X</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4192</subfield><subfield code="0">(DE-625)157372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Eichler, Marko</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1012005291</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung</subfield><subfield code="c">von Marko Eichler</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Stuttgart</subfield><subfield code="b">Fraunhofer-IRB-Verl.</subfield><subfield code="c">2011</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">112 S.</subfield><subfield code="b">zahlr. Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus Forschung und Entwicklung</subfield><subfield code="v">32</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2010</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Atmosphärendruckplasma</subfield><subfield code="0">(DE-588)7590286-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Bonden</subfield><subfield code="0">(DE-588)4232594-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Niedrigtemperatur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4417434-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Glas</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021142-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Wafer</subfield><subfield code="0">(DE-588)4294605-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Glas</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021142-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Wafer</subfield><subfield code="0">(DE-588)4294605-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Bonden</subfield><subfield code="0">(DE-588)4232594-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Niedrigtemperatur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4417434-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Atmosphärendruckplasma</subfield><subfield code="0">(DE-588)7590286-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Berichte aus Forschung und Entwicklung</subfield><subfield code="v">32</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV012777212</subfield><subfield code="9">32</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2=" "><subfield code="m">DE-601</subfield><subfield code="q">pdf/application</subfield><subfield code="u">http://www.gbv.de/dms/bs/toc/65791116X.pdf</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=024402280&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-024402280</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV039550382 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-10T00:06:03Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783839602270 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-024402280 |
| oclc_num | 725123252 |
| open_access_boolean | 1 |
| owner | DE-83 |
| owner_facet | DE-83 |
| physical | 112 S. zahlr. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2011 |
| publishDateSearch | 2011 |
| publishDateSort | 2011 |
| publisher | Fraunhofer-IRB-Verl. |
| record_format | marc |
| series | Berichte aus Forschung und Entwicklung |
| series2 | Berichte aus Forschung und Entwicklung |
| spelling | Eichler, Marko Verfasser (DE-588)1012005291 aut Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung von Marko Eichler Stuttgart Fraunhofer-IRB-Verl. 2011 112 S. zahlr. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus Forschung und Entwicklung 32 Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2010 Atmosphärendruckplasma (DE-588)7590286-2 gnd rswk-swf Bonden (DE-588)4232594-8 gnd rswk-swf Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 gnd rswk-swf Glas (DE-588)4021142-3 gnd rswk-swf Wafer (DE-588)4294605-0 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Glas (DE-588)4021142-3 s Wafer (DE-588)4294605-0 s Bonden (DE-588)4232594-8 s Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 s Atmosphärendruckplasma (DE-588)7590286-2 s DE-604 Berichte aus Forschung und Entwicklung 32 (DE-604)BV012777212 32 DE-601 pdf/application http://www.gbv.de/dms/bs/toc/65791116X.pdf kostenfrei Inhaltsverzeichnis DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=024402280&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Eichler, Marko Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung Berichte aus Forschung und Entwicklung Atmosphärendruckplasma (DE-588)7590286-2 gnd Bonden (DE-588)4232594-8 gnd Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 gnd Glas (DE-588)4021142-3 gnd Wafer (DE-588)4294605-0 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)7590286-2 (DE-588)4232594-8 (DE-588)4417434-2 (DE-588)4021142-3 (DE-588)4294605-0 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung |
| title_auth | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung |
| title_exact_search | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung |
| title_full | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung von Marko Eichler |
| title_fullStr | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung von Marko Eichler |
| title_full_unstemmed | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung von Marko Eichler |
| title_short | Anlagen- und Prozessentwicklung für das Niedrigtemperatur-Direktbonden mittels Atmosphärendruck-Plasmaaktivierung |
| title_sort | anlagen und prozessentwicklung fur das niedrigtemperatur direktbonden mittels atmospharendruck plasmaaktivierung |
| topic | Atmosphärendruckplasma (DE-588)7590286-2 gnd Bonden (DE-588)4232594-8 gnd Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 gnd Glas (DE-588)4021142-3 gnd Wafer (DE-588)4294605-0 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Atmosphärendruckplasma Bonden Niedrigtemperatur Glas Wafer Silicium Hochschulschrift |
| url | http://www.gbv.de/dms/bs/toc/65791116X.pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=024402280&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| volume_link | (DE-604)BV012777212 |
| work_keys_str_mv | AT eichlermarko anlagenundprozessentwicklungfurdasniedrigtemperaturdirektbondenmittelsatmospharendruckplasmaaktivierung |
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