Queren, D. (2010). Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al/In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm. Shaker.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Queren, Désriée. Metall-organische Gasphasenepitaxie Von (Al/In)GaN-Halbleiterlaserdioden Im Wellenlängenbereich Von 440nm Bis 500nm. Aachen: Shaker, 2010.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Queren, Désriée. Metall-organische Gasphasenepitaxie Von (Al/In)GaN-Halbleiterlaserdioden Im Wellenlängenbereich Von 440nm Bis 500nm. Shaker, 2010.
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