Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al/In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Queren, Désriée 1982- (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Aachen Shaker 2010
Schriftenreihe:Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:
Beschreibung:IV, 160 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:9783832291624

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