Grundlagen integrierter Schaltungen: Bauelemente und Mikrostrukturierung
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München
Fachbuchverl. Leipzig im Carl Hanser Verl.
2010
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| Ausgabe: | 2., aktualisierte Aufl. |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Literaturverz. S. 227 |
| Beschreibung: | 235 S. Ill., graph. Darst. 25 cm |
| ISBN: | 9783446422322 |
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS 1 ELEKTRONISCHE SCHALTUNGEN UND MIKROSYSTEME 11 1.1
DIE ENTWICKLUNG INTEGRIERTER SCHALTUNGEN 11 1.2 PRODUKTION VON ICS 14
1.3 STRUKTURGROESSE UND YIELD 17 1.4 MIKROSYSTEME 20 2 INTEGRIERTE
ELEKTRONISCHE BAUTEILE 22 2.1 DIE ELEKTRISCHE LEITFAEHIGKEIT 22 2.1.1 DAS
BOHRSCHE ATOMMODELL 22 2.1.2 DAS QUANTENMECHANISCHE ORBITALMODELL 24
2.1.3 DAS BAENDERMODELL FUER FESTKOERPER 26 2.1.4 STROM, SPANNUNG UND
WIDERSTAND 28 2.1.5 DIE ELEKTRISCHE LEITFAEHIGKEIT BEI LEITER UND
NICHTLEITER 29 2.1.6 EIGENLEITUNG BEI HALBLEITERN 30 2.1.7 DOTIERTE
HALBLEITER 31 2.2 DIE DIODE 33 2.2.1 DER PN-UEBERGANG 33 2.2.2 DIE
DIODENKENNLINIE 35 2.2.3 AUFBAU EINER DIODE 37 2.3 DER OHMSCHE
WIDERSTAND 38 2.3.1 DER SPEZIFISCHE WIDERSTAND 38 2.3.2 DER
POLYWIDERSTAND 39 2.3.3 DER AKTIVGEBIETSWIDERSTAND 40 2.4 DER
KONDENSATOR 41 2.4.1 DIE KAPAZITAET 41 2.4.2 DER AUFBAU EINES
MOS-KONDENSATORS 42 2.5 DER BIPOLAR-TRANSISTOR 43 2.5.1 FUNKTION UND
EMITTERSCHALTUNG 44 2.5.2 AUFBAU EINES NPN-TRANSISTORS 46 2.6 DER
MOS-TRANSISTOR 47 2.6.1 AUFBAU UND FUNKTION 47 2.6.2 KURZKANAL-EFFEKTE
51 2.6.3 PARASITAERE FELDTRANSISTOREN 54 2.7 DER CMOS-INVERTER 55 2.7.1
DIE CMOS-TECHNOLOGIE 55 2.7.2 DER INVERTER 56 2.7.3 DERLATCHUP-EFFEKT 56
2.8 SPEICHERBAUTEILE 57 2.8. BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/998864323 DIGITALISIERT DURCH 8 INHALTSVERZEICHNIS 3
REINRAUMTECHNIK 61 3.1 VERUNREINIGUNGEN 61 3.1.1 PARTIKULARE
VERUNREINIGUNGEN 61 3.1.2 AMC-VERUNREINIGUNGEN 63 3.1.3 ELEKTROSTATISCHE
AUFLADUNGEN 64 3.2 DER REINRAUM 64 3.2.1 AUFBAU DES REINRAUMES UND
REINRAUMKLASSEN 64 3.2.2 TURBULENTE DURCHMISCHUNG UND LAMINAR FLOW 66
3.3 DER MENSCH IM REINRAUM 67 4 SILIZIUMWAFER 69 4.1
HALBLEITERMATERIALIEN 69 4.2 HERSTELLUNG DES REINSTSILIZIUMS
(TRICHLORSILAN-PROZESS) 70 4.3 EINKRISTALLINES SILIZIUM 73 4.3.1
SILIZIUMKRISTALLSTRUKTUR UND DIE OBERFLAECHE 73 4.3.2 DAS
CZOCHRALSKI-VERFAHREN 76 4.3.3 DAS ZONENZIEH-VERFAHREN 78 4.3.4
KRISTALLFEHLER 79 4.4 ENDFERTIGUNG DES WAFERS 80 5 HERSTELLUNG DUENNER
SCHICHTEN 83 5.1 THERMISCHE OXIDATION 83 5.1.1 DIE OXIDATION VON
SILIZIUMOBERFLAECHEN 83 5.1.2 TROCKENE UND FEUCHTE OXIDATION 85 5.1.3
EINFLUESSE AUF DIE OXIDATIONSRATE 87 5.1.4 EIGENSCHAFTEN UND EINSATZ DER
OXIDSCHICHTEN 88 5.1.5 SEGREGATION 90 5.1.6 OXIDATIONSOEFEN 91 5.2
CHEMISCHE GASPHASENDEPOSITION (CVD) 93 5.2.1 GRUNDLAGEN DER DEPOSITION
93 52.2 WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT, STRUKTURZONENMODELL UND KONFORMITAET 95
5.2.3 APCVD-VERFAHREN (EPITAXIE) 97 5.2.4 LPCVD-VERFAHREN 99 5.2.5
PECVD-VERFAHREN 102 5.2.6 NIEDERDRACKPLASMAIMPARALLELPLATTENREAKTOR 103
5.3 PHYSIKALISCHE GASPHASENDEPOSITION (PVD) 105 5.3. INHALTSVERZEICHNIS
6.2.1 KONTAKT- UND ABSTANDSBELICHTUNG 114 6.2.2 DIE
PROJEKTIONSBELICHTUNG 116 6.3 AUFLOESUNGSVERMOEGEN DER
PROJEKTIONSBELICHTUNG 119 6.3.1 DIE LICHTBEUGUNG 119 6.3.2 DAS
RAYLEIGH-KRITERIUM UND DIE SCHAERFENTIEFE 121 6.4 DIE MASKEN 124 6.4.1
ELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE 124 6.4.2 MASTERMASKEN UND RETICLES 125
6.4.3 PHASENSCHIEBE-MASKEN 126 6.5 DER FOTOLACK 127 6.5.1 DIE CHEMISCHE
REAKTION BEI DER BELICHTUNG UND ENTWICKLUNG 127 6.5.2
MEHRSCHICHTLACKTECHNIK 129 6.5.3 DIE SCHLEUDERBESCHICHTUNG 130 6.5.4
ENTWICKLUNG UND LACKHAERTUNG 132 7 AETZPROZESSE 134 7.1 WAFERREINIGUNG 134
7.1.1 REINIGUNGSPROZESSE 134 7.1.2 SPUELEN UND TROCKNEN DER WAFER 137
7.1.3 REINIGUNGSANLAGEN 138 7.2 NASSCHEMISCHES AETZEN 139 7.2.1 AETZRATE
UND SELEKTIVITAET 139 7.2.2 ISOTROPIE UND AETZPROFIL 140 72.3 ANGEWANDTE
NASSAETZPROZESSE 142 7.2.4 NASSCHEMISCHE AETZANLAGEN 143 7.3 TROCKENE
AETZPROZESSE 144 7.3.1 PLASMAAETZEN 144 7.32 SPUTTERAETZEN 146 7.3.3
REAKTIVES IONENAETZEN 149 7.4 MESSTECHNIK 154 7.4.1 ENDPUNKTDETEKTION 154
7.4.2 MESSUNG VON STRUKTURBREITEN 154 7.4.3 KONTAKTWINKELMESSUNG 155 8
DOTIERUNG 156 8.1 DAS LEGIERANGSVERFAHREN 156 8.2 DAS
DIFFUSIONSVERFAHREN 157 8.2.1 THERMISCHE DIFFUSION 157 82.2 TECHNISCHE
DIFFUSIONSVERFAHREN 159 8. 10 INHALTSVERZEICHNIS 9 PROZESSINTEGRATION
172 9.1 LOCOS-PROZESS 172 9.1.1 HISTORISCHE ENTWICKLUNG 172 9.1.2
PROZESSABLAUF 174 9.2 METALLISIERUNG 185 9.2.1 GRENZFLAECHE
SILIZIUM/ALUMINIUM 186 922 MEHRLAGENVERDRAHTUNG UND KONTAKTLOECHER 189
9.2.3 PLANARISIERUNG 190 9.2.4 KORROSION UND ELEKTROMIGRATION 192 9.2.5
DER METALLISIERUNGSPROZESS 193 9.3 SOI-TECHNOLOGIE 198 9.3.1 VORTEILE
DER SOI-TECHNIK 198 9.3.2 HERSTELLUNG DER SOI-WAFER 199 9.3.3 DER
TRENCH-PROZESS 201 9.4 PARAMETERTEST 203 9.4.1 DIE TESTSTRUKTUR UND
DUT-BOARD 203 9.4.2 DIE PROBECARD 205 9.4.3 DER WAFERPROBER 206 10
AUFBAU- UND VERBINDUNGSTECHNIK........ 208 LO.LEINHAEUSEN INTEGRIERTER
SCHALTUNGEN 208 10.1.1 ASSEMBLY UND BACKEND 208 10.1.2 BACKGRINDEN UND
SAEGEN 209 10.1.3 DIE-BONDING 211 10.1.4 DRAHT-BONDING 212 10.1.5 MOLDING
214 10.2DAS IC-GEHAEUSE 215 10.2.1 GEHAEUSETYPEN 215 10.2.2 EIGENSCHAFTEN
DER KUNSTSTOFFGEHAEUSE 217 10.3 MONTAGE UNGEHAEUSTER BAUELEMENTE 218 11
QUALITAET INTEGRIERTER SCHALTUNGEN 220 11.1 FUNKTIONSFAEHIGKEIT 220 11.1.1
AUSFALLMECHANISMEN 220 11.1.2 DER FUNKTIONSTEST 221 11.1.3 HANDLER 223
11.2 ZUVERLAESSIGKEIT 225 11.2.1 ZUVERLAESSIGKEIT UND AUSFALLRATE 225
11.2.2 DER BURN-IN-PROZESS 227 LITERATURVERZEICHNI
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