Elektrische Nanobauelemente auf Basis von C_1tn60-Fullerenen:
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Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2009
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Beschreibung: | XI, 197 S. Ill., graph. Darst. 21 cm |
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ABKUERZUNGSVERZEICHNIS.... ... V FORMELZEICHEN VII PHYSIKALISCHE
KONSTANTEN............*...... .... . .... ....... .... XI 1.
EINFUEHRUNG..............................................................................................................
1 2. ALL&EMEINE GRUNDLA&EN.................................... ....5 2.1
FULLERENE 5 2.1.1 GEOMETRISCHE STRUKTUR VON C 6 2.1.2 ELEKTRONISCHE
STRUKTUR VON C) 8 2.1.3 THERMISCHE STABILITAET DES CW MOLEKUELS 11 2.1.4
DER CEO KRISTALL 14 2.2 QUANTENPUNKTE 17 2.2.1 COULOMB-BLOCKADE 19 2.2.2
RESONANTES TUNNELN 23 2.3 DIEMETALL-LSOLATOR-HALBLEITER-KAPAZITAET. 24
2.3.1 CW-BAUELEMENT AUF BASIS EINER MIS-KAPAZITAET 24 2.3.2 DIE IDEALE
MIS-KAPAZITAET 25 2.3.3 MESSTECHNISCHE GRUNDLAGEN 27 2.4 FLOATING GATE
STRUKTUREN 28 2.4.1 DER KLASSISCHE FESTWERT-SPEICHER (EEPROM) 28 2.4.2
SONOS-STRUKTUREN 31 2.4.3 SILIZIUM-NANOKRISTALLE IN SIO 2 34 3
EXPERIMENTELLE GRUNDLAGEN
..............................................................................
... 35 3.1 DIE VAKUUMANLAGE 35 3.1.1 DIE UHV-KAMMER 36 3.1.
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/999328433 DIGITALISIERT
DURCH INHALTSVERZEICHNIS 3.2.1 RCA REINIGUNG 50 3.2.2 ACETON-ISOPROPANOL
52 3.2.3 AUSGASEN DER PROBEN 53 3.2.4 THERMISCHE DESORPTION 54 3.2.5
HOCHTEMPERATURSCHRITTE 55 3.3 SUBSTRATAUSWAHL UND PROBENPRAEPARATION 56
3.3.1 SI(LLL)-7X7 OBERFLAECHENREKONSTRUKTIONEN 56 3.3.2 SI(100)-2XL
OBERFLAECHENREKONSTRUKTION 60 3.3.3 CEO AUF SILIZIUMDIOXID 63 4
VERGRABENE CEO-S-SCHICHTEN
...........*..........*.......*.....*..................*65 4.1
EPITAKTISCHES UEBERWACHSEN VON CIO MIT SILIZIUM 65 4.1.1 UEBERWACHSEN VON
CM AUF SI(L 11) 66 4.1.2 UEBERWACHSEN VON COO AUF SI(100)-2XL 68 4.2
TEMPERATURSTABILITAET 75 4.2.1 TEMPERN VERGRABENER CORS-SCHICHTEN 76
4.2.2 SIC-NANODOTS 79 4.2.3 ENTSTEHUNG VON SILIZIUMCARBID 80 4.3
ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK. 82 5 EINFLUSS VON SAUERSTOFF AUF C^O UND
SILIZIUM 85 5.7 WECHSELWIRKUNG VON SAUERSTOFF MIT SILIZIUM 85 5.1.1
AETZREGIME DER AKTIVEN OXIDATION 87 5.1.2 DESORPTIONSREGIME DER AKTIVEN
OXIDATION 88 5.1.3 OXIDATIONSREGIME (PASSIVE OXIDATION) 89 5.2
TEMPERATURSTABILITAET VON CM UNTER SAUERSTOFFATMOSPHAERE 93 5.2.1 TEMPERN
EINER MONOLAGE C AUF SI(100) IN O 2 93 5.2.2 TEMPERN VON EINER
SUBMONOLAGE C AUF SI(100) BEI 10 1 MBAR O 2 INHALTSVERZEICHNIS ITI
6.1 REAKTIVES AUFDAMPF EN VON S1O2 IN UHV(IN SITU) 770 6.1.1
CHARAKTERISIERUNG DER ABSCHEIDEOXIDE 112 6.1.2 ABSCHEIDEOXIDE MIT
EINGEBETTETEN CM 121 6.2 TEOS-ABSCHEIDUNG MITTELS LPCVD (EX SITU) 725
6.2.1 TEOS AUF RCA-GEREINIGTEN OBERFLAECHEN 124 6.2.2 GATESTACKS AUS
THERMISCHEN OXIDEN UND TEOS 130 6.3 HIGH-K BASIERTE ABSCHEIDEDIELEKTRIKA
131 6.3.1 LANTHANOXID (LA 2 O 3 ) 132 6.3.2 ALUMINIUMOXID (A1 2 U3) 135
6.3.3 HAFNIUMOXID (HFO 2 ) 135 6.3.4 SILIZIUMNITRID (SI3N4) 136 6.4
DISKUSSION 136 6.5 ZUSAMMENFASSUNG 138 7 CTO-NANOCLUSTER IN SIO 2
MITTELS TEOS 141 7.1 PROBENDESIGN 141 7.1.1 GATEKAPAZITAET UND OXIDDICKEN
141 7.1.2 MAXIMAL ZULAESSIGE LECKSTROMDICHTE 142 7.1.3 BEDECKUNGSGRAD DER
CM 142 7.2 PROBENHERSTELLUNG 143 7.3 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 146
7.3.1 PROBEN MIT DICKEM TUNNELOXID (8 NM) 147 7.3.2 PROBEN MIT DUENNEM
TUNNELOXID (4 NM) 153 7.3.3 REFERENZPROBE (TEOS AUF NATUERLICHEM OXID)
154 7.4 ZUSAMMENFASSUNG 755 8 ZUSAMMENFASSUNG UND
AUSBLICK.................................................................
157 ANHAN INHALTSVERZEICHNIS DANKSASUNE. 195 LEBENSLAUF 197
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