CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2009
|
Ausgabe: | 1. Aufl. |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | X, 152 S. Ill., graph. Darst. |
ISBN: | 9783869551760 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV036031430 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 00000000000000.0 | ||
007 | t | ||
008 | 100211s2009 ad|| m||| 00||| ger d | ||
020 | |a 9783869551760 |9 978-3-86955-176-0 | ||
035 | |a (OCoLC)643942544 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV036031430 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-91 |a DE-12 | ||
082 | 0 | |a 621.38152 |2 22/ger | |
100 | 1 | |a Maul, Thomas |e Verfasser |0 (DE-588)138118965 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen |c Thomas Maul |
250 | |a 1. Aufl. | ||
264 | 1 | |a Göttingen |b Cuvillier |c 2009 | |
300 | |a X, 152 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
502 | |a Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2009 | ||
650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Spitzenkathode |0 (DE-588)4182383-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Mikrosystemtechnik |0 (DE-588)4221617-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Feldemissionskathode |0 (DE-588)4263441-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Feldemissionskathode |0 (DE-588)4263441-6 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Spitzenkathode |0 (DE-588)4182383-7 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Mikrosystemtechnik |0 (DE-588)4221617-5 |D s |
689 | 0 | 4 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |D s |
689 | 0 | 5 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=018923495&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018923495 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804141054205624320 |
---|---|
adam_text | INHALTSVERZEICHNIS ZUSAMMENFASSUNG V INHALTSVERZEICHNIS VIII 1
EINLEITUNG 1 2 FELDEMISSION 5 2.1 KLASSISCHE FELDEMISSION 5 2.2
FELDEMISSION AUS HALBLEITERN 8 2.3 EINFLUSSFAKTOREN 12 2.3.1 GEOMETRIE
12 2.3.2 AEUSSERE EINFLUESSE 16 2.3.3 THERMISCHE EFFEKTE 18 2.4 TECHNISCHE
ANWENDUNG 22 3 FIELD EMITTER ARRAYS 25 3.1 UNGATED FIELD EMITTER ARRAYS
25 3.2 GATED FIELD EMITTER ARRAYS 26 3.3 SPINDT-TYPE-EMITTER 27 3.4
GEAETZTE EMITTER 28 3.5 KOHLENSTOFFNANOROEHREN UND ANDERE EMITTER 30 4
STABILISIERUNG DES FELDEMISSIONSSTROMS 33 4.1 DOTIERUNG 33 4.2
TRIODENSTRUKTUR 34 4.3 RESISTIVE BEGRENZUNG 36 4.4 EXTERNE BESCHALTUNG
DURCH MOSFETS 38 4.4.1 FUNKTIONSWEISE DES MOSFETS 39 4.4.2 EXTERN
VERBUNDENE MOSFETS 41 4.4.3 MOSFET-INTEGRIERTE EMITTER 41 5
STEUERWIRKUNG VON MOSFETS FUER FELDEMISSIONSANWENDUNGEN 49 5.1
TEST-DEVICE MOS-KAPAZITAET 49 5.2 FUNKTIONSWEISE UND AUFBAU 51 5.3
SIMULATIONEN 52 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/999341057
DIGITALISIERT DURCH X INHALTSVERZEICHNIS 5.4 TECHNOLOGISCHE UMSETZUNG 53
5.5 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 55 6 UNTERSUCHUNGEN AN
FELDEMISSIONSSPITZEN 59 6.1 FUNKTIONSWEISE UND AUFBAU 59 6.2
SIMULATIONEN 60 6.3 AETZTECHNIKEN 65 6.3.1 ANISOTROPES NASSCHEMISCHES
AETZEN 66 6.3.2 TROCKENAETZEN 74 6.4 ABSCHEIDUNG VON FELDEMITTERN 78 6.4.1
KOHLENSTOFFBASIERTE EBID-EMITTER 78 6.4.2 METALLISCHE EBID-EMITTER 80
6.5 EXTRAKTIONSSTRUKTUREN 81 6.5.1 FREITRAGENDE EXTRAKTOREN 82 6.5.2
SELBSTJUSTIERENDE EXTRAKTOREN 90 6.6 ERMITTLUNG DES SPITZENRADIUS 95
6.6.1 RASTERELEKTRONENMIKROSKOPIE 95 6.6.2 RECHNERISCHE EXTRAKTION AUS
DER KENNLINIE 97 7 MOSFET-INTEGRIERTE FELDEMISSIONSSPITZEN 99 7.1
FUNKTIONSWEISE UND AUFBAU 99 7.2 DEFINITION DES STANDARDPROZESSES 100
7.3 SIMULATIONEN 102 7.4 TECHNOLOGISCHE VARIANTEN 106 7.5 ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG 110 7.5.1 EXTERN VERBUNDENE MOSFETS 110 7.5.2
MOSFET-INTEGRIERTE EMITTER 111 8 DISKUSSION - STAERKEN UND SCHWAECHEN DER
KONZEPTE 115 9 AUSBLICK 119 9.1 TECHNOLOGISCHE WEITERENTWICKLUNG 119 9.2
PRAKTISCHER EINSATZ MULTIPLER ELEKTRONENSTRAHLEN 120 A MASKEN-LAYOUT 121
B SIMULATIONS-QUELLTEXT FUER DAS EMITTER-BASISMODELL 125 FORMELZEICHEN
UND ABKUERZUNGEN 127 VERZEICHNISSE 134 ABBILDUNGEN 134 TABELLE
|
any_adam_object | 1 |
author | Maul, Thomas |
author_GND | (DE-588)138118965 |
author_facet | Maul, Thomas |
author_role | aut |
author_sort | Maul, Thomas |
author_variant | t m tm |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV036031430 |
ctrlnum | (OCoLC)643942544 (DE-599)BVBBV036031430 |
dewey-full | 621.38152 |
dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
dewey-ones | 621 - Applied physics |
dewey-raw | 621.38152 |
dewey-search | 621.38152 |
dewey-sort | 3621.38152 |
dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
edition | 1. Aufl. |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01869nam a2200469 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV036031430</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">100211s2009 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783869551760</subfield><subfield code="9">978-3-86955-176-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)643942544</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV036031430</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.38152</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Maul, Thomas</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)138118965</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen</subfield><subfield code="c">Thomas Maul</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1. Aufl.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Göttingen</subfield><subfield code="b">Cuvillier</subfield><subfield code="c">2009</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">X, 152 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2009</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Spitzenkathode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4182383-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mikrosystemtechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4221617-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldemissionskathode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4263441-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Feldemissionskathode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4263441-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Spitzenkathode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4182383-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Mikrosystemtechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4221617-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=018923495&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018923495</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV036031430 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-09T22:09:46Z |
institution | BVB |
isbn | 9783869551760 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018923495 |
oclc_num | 643942544 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 |
physical | X, 152 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 2009 |
publishDateSearch | 2009 |
publishDateSort | 2009 |
publisher | Cuvillier |
record_format | marc |
spelling | Maul, Thomas Verfasser (DE-588)138118965 aut CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen Thomas Maul 1. Aufl. Göttingen Cuvillier 2009 X, 152 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2009 MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf CMOS (DE-588)4010319-5 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Spitzenkathode (DE-588)4182383-7 gnd rswk-swf Mikrosystemtechnik (DE-588)4221617-5 gnd rswk-swf Feldemissionskathode (DE-588)4263441-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Feldemissionskathode (DE-588)4263441-6 s Spitzenkathode (DE-588)4182383-7 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Mikrosystemtechnik (DE-588)4221617-5 s CMOS (DE-588)4010319-5 s MOS-FET (DE-588)4207266-9 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=018923495&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Maul, Thomas CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Spitzenkathode (DE-588)4182383-7 gnd Mikrosystemtechnik (DE-588)4221617-5 gnd Feldemissionskathode (DE-588)4263441-6 gnd |
subject_GND | (DE-588)4207266-9 (DE-588)4010319-5 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4182383-7 (DE-588)4221617-5 (DE-588)4263441-6 (DE-588)4113937-9 |
title | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen |
title_auth | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen |
title_exact_search | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen |
title_full | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen Thomas Maul |
title_fullStr | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen Thomas Maul |
title_full_unstemmed | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen Thomas Maul |
title_short | CMOS-integrierte Feldemissionsspitzen |
title_sort | cmos integrierte feldemissionsspitzen |
topic | MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Spitzenkathode (DE-588)4182383-7 gnd Mikrosystemtechnik (DE-588)4221617-5 gnd Feldemissionskathode (DE-588)4263441-6 gnd |
topic_facet | MOS-FET CMOS Silicium Spitzenkathode Mikrosystemtechnik Feldemissionskathode Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=018923495&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT maulthomas cmosintegriertefeldemissionsspitzen |