Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente: [Aufbau, Strukturen, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile]
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Poing
Franzis
2009
|
| Schriftenreihe: | Franzis Elektronik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis Klappentext |
| Beschreibung: | 2. Aufl. u.d.T.: Stiny, Leonhard: Aktive elektronische Bauelemente. - 2015 |
| Beschreibung: | 695 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 9783772351167 |
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Datensatz im Suchindex
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|---|---|
| adam_text | Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung......................................................................................................17
2 Grundlagen der Halbleiter..............................................................................21
2.1 Halbleiter im Periodensystem der Elemente......................................21
2.2 Halbleiter zwischen Nichtleiter und Leiter.........................................23
2.3 Aufbau der Atome.............................................................................23
2.3.1 Bohrsches Atommodell.....................................................................24
2.3.2 Elektronenpaarbindung, Kristallgitter...............................................25
2.3.3 Schalenmodell und Wechselwirkung................................................28
2.3.4 Bändermodell und Fermi-Statistik.....................................................29
2.4 Direkte und indirekte Halbleiter........................................................36
2.4.1 Quanten und Wellen.........................................................................36
2.4.2 Direkte Rekombination.....................................................................38
2.4.3 Indirekte Rekombination..................................................................38
2.5 Eigenleitung.....................................................................................39
2.5.1 Eigenleitungsdichte..........................................................................40
2.5.2 Ladungsträgerlebensdauer...............................................................43
2.5.3 Beweglichkeit...................................................................................44
2.6 Störstellenleitung.............................................................................45
2.6.1 Dotieren...........................................................................................45
2.6.2 Störstellenleitung im Bändermodell..................................................47
2.6.3 Allgemeines zu dotierten Halbleitern................................................48
2.6.4 Einfluss der Temperatur auf dotierte Halbleiter.................................49
2.6.5 Auswirkung der Temperatur auf Halbleiterbauelemente....................50
3 Der pn-Obergang............................................................................................51
3.1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung.........................................51
3.1.1 Der ideale abrupte pn-Übergang.......................................................51
3.1.2 Diffusion und Rekombination im pn-Grenzgebiet..............................52
3.1.3 Ladungsträgerdichte.........................................................................53
3.1.4 Raumladungsdichte..........................................................................55
3-1.5 Diffusionsspannung.........................................................................55
3.1.6 Sperrschichtweite.............................................................................57
3.1.7 Sperrschichtkapazität.......................................................................58
3.1.8 Energiebänder-Modell des pn-Übergangs.........................................58
3.2 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung...........................................59
3.2.1 Äußere Spannung in Sperrrichtung...................................................59
8 Inhaltsverzeichnis
3.2.2 Äußere Spannung in Flussrichtung....................................................64
3.3 Durchbruchmechanismen beim pn-Übergang...................................68
3.3.1 Lawinen-Durchbruch.........................................................................68
3.3.2 Zener-Durchbruch.............................................................................70
3.3.3 Überlappung von Lawinen- und Zener-Effekt.....................................72
3.3.4 Thermischer Durchbruch (2. Durchbruch)..........................................72
3.3.5 Durchgriff
(punch-through)
...............................................................73
3.4 Schaltverhalten des pn-Übergangs...................................................75
3.4.1 Einschaltvorgang..............................................................................75
3.4.2 Aus- und Umschaltvorgang...............................................................76
3.5 Gesamtkennlinie des pn-Übergangs.................................................78
3.6 Halbleiter-Metall-Übergang...............................................................79
Halbleiterdioden............................................................................................81
4.1 Ausführung.......................................................................................81
4.2 Aufbau..............................................................................................81
4.3 Elektrische Funktion.........................................................................82
4.4 Bauarten...........................................................................................83
4.5 Verhalten einer Diode.......................................................................84
4.5.1 Kennlinienbereiche...........................................................................84
4.5.2 Näherungen für die Diodenkennlinie.................................................87
4.5.3 Beschreibung durch Gleichungen.....................................................90
4.5.4 Bestimmung der Diodenparameter mit Regressionsverfahren...........92
4.5.5 Kleinsignalverhalten von Dioden......................................................94
4.5.6 Schaltverhalten von Dioden..............................................................97
4.6 Temperaturabhängigkeit der Diodenparameter...............................101
4.6.1 Temperaturabhängigkeit des Sperrstromes.....................................101
4.6.2 Temperaturabhängigkeit der Durchlassspannung...........................102
4.6.3 Zusammenfassung: Temperaturabhängigkeit der Diodenparameter.. 103
4.7 Kenn- und Grenzdaten von Dioden..................................................103
4.7.1 Grenzspannungen..........................................................................104
4.7.2 Grenzströme...................................................................................104
4.7.3 Sperrstrom.....................................................................................104
4.7.4 Maximale Verlustleistung...............................................................105
4.8 Auszüge aus Datenblättern von Dioden..........................................105
4.8.1 Silizium-Epitaxial-Planar-Diode IN 4148........................................105
4.8.2 Silizium-Diffusions-Dioden IN 4001...1N 4007...............................109
4.9 Herstellungsmethoden für pn-Übergänge........................................111
4.9.1 Legierungstechnik..........................................................................111
4.9.2 Planartechnik.................................................................................112
4.10 Aufbau von Halbleiterdioden..........................................................115
4.10.1 Einzeldiode.....................................................................................115
4.10.2 Integrierte Diode.............................................................................120
Inhaltsverzeichnis
4.11 Diodentypen...................................................................................121
4.11.1 Schaltdiode, Universaldiode...........................................................121
4.11.2 Gleichrichterdiode..........................................................................121
4.11.3 Schottky-Diode...............................................................................121
4.11.4 Suppressordiode............................................................................122
4.11.5 Temperatursensoren.......................................................................125
4.11.6
DIAC
...............................................................................................125
4.11.7 Zenerdiode, Z-Diode.......................................................................129
4.11.8 Avalanchediode..............................................................................131
4.11.9 Stromregeldiode.............................................................................131
4.11.10 Leuchtdiode (Lumineszenzdiode, LED)...........................................132
4.11.11 Organische Leuchtdiode
(OLED)
......................................................144
4.11.12
Laserdiode (LD)
..............................................................................149
4.11.13 Fotodiode.......................................................................................160
4.11.14 Solarzelle.......................................................................................170
4.11.15 Kapazitätsdiode (Varaktor-Diode)...................................................180
4.11.16
ріп
-Diode
........................................................................................186
4.11.17 Tunneldiode (Esaki-Diode)..............................................................189
4.11.18 Rückwärtsdiode (Backwarddiode)...................................................195
4.11.19 Gunndiode......................................................................................196
4.11.20 IMPATT-Diode.................................................................................202
4.11.21 TRAPATT-Diode...............................................................................205
4.11.22 BARITT-Diode..................................................................................206
4.11.23 DOVETT-Diode.................................................................................207
4.11.24 Ladungsspeicherungsdiode............................................................207
4.11.25 Speicherschaltdiode (Step-Recovery-Diode)...................................208
4.11.26 Magnetdiode..................................................................................209
Bipolare Transistoren...................................................................................213
5.1 Definition und Klassifizierung von Transistoren..............................213
5.2 Grundsätzlicher Aufbau des Transistors..........................................216
5.3 Richtungvon Strömen und Spannungen.........................................217
5.4 Betriebszustände (Arbeitsbereiche)................................................218
5.4.1 Aktiver Zustand (Normalbetrieb, Vorwärtsbetrieb)..........................218
5.4.2 Gesättigter Zustand (Sättigungsbetrieb).........................................219
5.4.3 Gesperrter Zustand (Sperrbetrieb)..................................................219
5.4.4
Inverser
Zustand (Inversbetrieb, Rückwärtsbetrieb)........................219
5.5 Signaldynamik und Signalgröße.....................................................220
5.6 Funktionsweise...............................................................................220
5.7 Die drei Grundschaltungen des Bipolartransistors..........................226
5.8 Einsatz als Verstärker oder Schalter................................................226
5.8.1 Verstärkerbetrieb............................................................................227
5.8.2 Schalterbetrieb...............................................................................228
10 Inhaltsverzeichnis
5.9 Kennlinien des Transistors..............................................................229
5.9.1 Eingangskennlinie..........................................................................229
5.9.2 Ausgangskennlinie.........................................................................233
5.9.3 Steuerkennlinien............................................................................239
5.9.4 Rückwirkungskennlinie...................................................................241
5.9.5 Vierquadranten-Kennlinienfeld.......................................................242
5.10 Durchbruchspannungen und Grenzströme......................................245
5.10.1 Durchbruch 1. Art............................................................................245
5.10.2 Durchbruch 2. Art............................................................................246
5.10.3 Grenzströme...................................................................................247
5.11 Maximale Verlustleistung...............................................................247
5.11.1 Statischer Betrieb...........................................................................247
5.11.2 Pulsbetrieb.....................................................................................250
5.12 Erlaubter Arbeitsbereich.................................................................251
5.13 Rauschen beim Bipolartransistor....................................................252
5.13.1 Allgemeines zum Rauschen............................................................252
5.13.2 Beschreibung stochastischer Signale.............................................254
5.13.3 Rauschquellen beim Bipolartransistor............................................262
5.13.4 Rauschzahl.....................................................................................265
5.14 Beschreibung durch Gleichungen...................................................268
5.15 Abhängigkeiten der Stromverstärkung............................................270
5.15.1 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Arbeitspunkt....................270
5.15.2 Abhängigkeit der Stromverstärkung von der Grundschaltung..........271
5.15.3 Stromverstärkung in Abhängigkeit der Frequenz, Grenzfrequenzen ...273
5.16 Dynamisches Schaltverhalten des Bipolartransistors......................275
5.16.1 Schaltzeiten...................................................................................276
5.17 Modelle und Ersatzschaltungen des Bipolartransistors...................279
5.17.1 Die physikalische Ersatzschaltung..................................................281
5.17.2 Die formale Ersatzschaltung...........................................................291
5.17.3 Wechselstrom-Kleinsignalersatzschaltbild......................................306
5.18 Aufbau und Herstellungserfahren von Bipolartransistoren..............308
5.18.1 Spitzentransistor............................................................................308
5.18.2 Legierungstransistor.......................................................................309
5.18.3
Mesatransistor
...............................................................................309
5.18.4 Planartransistor..............................................................................310
5.19 Hetero-Bipolartransistor (HBT)........................................................316
5.20 Darlington-Transistor......................................................................320
5.20.1 Verlauf der Stromverstärkung.........................................................321
5.20.2 Schaltverhalten..............................................................................324
5.20.3 Kleinsignalverhalten.......................................................................325
5.20.4 Weitere Besonderheiten des Darlington-Transistors........................325
Inhaltsverzeichnis 11
Feldeffekttransistoren..................................................................................327
6.1 Allgemeine Eigenschaften...............................................................327
6.2 Funktionsprinzip und Klassifikation................................................328
6.2.1 Praxis mit Feldeffekttransistoren.....................................................332
6.2.2 Unterschiede zwischen unipolaren und bipolaren Transistoren......333
6.3 Die drei Grundschaltungen des Feldeffekttransistors......................334
6.4 Prinzipieller Aufbau und Wirkungsweise des Sperrschicht-FET........335
6.4.1 JFETohne äußere Spannung...........................................................335
6.4.2 ¿/¿¿variabel, ¿/¿^klein und konstant...............................................336
6.4.3 UDSvariabel, UGS= 0.......................................................................337
6.4.4
¿/05
und ¿/^5variabel.......................................................................339
6.4.5 Kennlinien des JFET, Beschreibung durch Gleichungen...................340
6.4.6 Temperaturabhängigkeit der
J
FET-
Para m
eter...................................
345
6.5 Prinzipieller Aufbau und Wirkungsweise des MOSFETs....................346
6.5.1 MOS-Kondensator, Grundlagen des MOSFETs.................................346
6.5.2 Aufbau eines n-Kanal-MOSFETs......................................................349
6.5.3 Wirkungsweise des n-Kanal-MOSFETs, Anreicherungstyp................351
6.5.4 Wirkungsweise des n-Kanal-MOSFETs, Verarmungstyp....................355
6.5.5 Kennlinien des MOSFETs, Beschreibung durch Gleichungen...........357
6.5.6 MOSFET als steuerbarer Widerstand...............................................362
6.5.7 Temperaturabhängigkeit der MOSFET-Parameter............................365
6.6 Modelle und Ersatzschaltungen des Feldeffekttransistors...............367
6.6.1 Statisches Verhalten.......................................................................367
6.6.2 Dynamisches Verhalten..................................................................368
6.6.3 Kleinsignalmodell...........................................................................369
6.7 Grenzdaten und Sperrströme..........................................................374
6.7.1 Durchbruchspannungen.................................................................374
6.7.2 Grenzströme...................................................................................375
6.7.3 Sperrströme....................................................................................376
6.7.4 Maximale Verlustleistung...............................................................376
6.7.5 Erlaubter Arbeitsbereich.................................................................377
6.8 Der
FET
als Schalter........................................................................377
6.8.1 Schaltstufen mit
FET
.......................................................................377
6.8.2 Dynamisches Verhalten von FET-Schaltstufen.................................379
6.9 Rauschen beim Feldeffekttransistor................................................380
6.10 Spezielle Bauformen von Feldeffekttransistoren.............................381
6.10.1 Leistungs-MOSFETs........................................................................381
6.10.2 Intelligente Leistungs-FETs..............................................................387
6.10.3 Weitere Bauformen von FETs...........................................................388
6.11
Insulated
Gate Bipolar Transistor (IGBT)..........................................394
6.11.1 Struktureller Aufbau.......................................................................395
6.11.2 NPT- und PT-Struktur.......................................................................395
6.11.3 Funktionsweise...............................................................................398
12 Inhaltsverzeichnis
6.11.4 IGBT
Latch-Up
.................................................................................400
6.11.5 Kennlinien......................................................................................402
6.11.6 Schaltverhalten..............................................................................404
6.11.7 Trench-IGBT....................................................................................407
Thyristoren..................................................................................................409
7.1 Einteilung der Thyristoren...............................................................409
7.2 Einrichtungs-Thyristortriode (Thyristor)...........................................410
7.2.1 Grundlagen der Funktionsweise......................................................410
7.2.2 Aufbau............................................................................................412
7.2.3 Strom-Spannungs-Kennlinie...........................................................414
7.2.4 Der Zündvorgang............................................................................417
7.2.5 Löschen des Thyristors...................................................................422
7.2.6 Kennlinie des Steuerkreises............................................................422
7.2.7 Temperaturabhängigkeit.................................................................424
7.2.8 Dynamische Eigenschaften.............................................................424
7.2.9
Spannungs-
und Stromgrenzwerte..................................................429
7.2.10 Phasenanschnittsteuerung mit Thyristor.........................................429
7.2.11 Zusammenfassung der Eigenschaften von Thyristoren....................432
7.2.12 Vergleich von Thyristor und mechanischem Schalter.......................432
7.3 Spezielle Bauformen des Thyristors................................................433
7.3.1 Zweirichtungs-ThyristordiodeCTRIAC)..............................................433
7.3.2 Einrichtungs-Thyristortetrode..........................................................436
7.3.3 Asymmetrisch sperrende Thyristoren..............................................436
7.3.4 Gate
Turn-Off
Thyristor (GTO)..........................................................437
7.3.5 MOS-gesteuerter Thyristor (MCT).....................................................440
7.3.6 Lichtgesteuerter Thyristor (LTT).......................................................442
7.3.7 Feldgesteuerter Thyristor (FCT)........................................................443
7.3.8 Gate-Commutated Thyristor (GCT, IGCT)..........................................444
7.3.9
Unijunction-Transistor (UJT)
............................................................445
Operationsverstärker...................................................................................449
8.1 Allgemeines, Überblick...................................................................449
8.2 Schaltsymbol, Anschlüsse..............................................................450
8.3 Ausführungsformen........................................................................451
8.4 Betriebsspannungen......................................................................452
8.5 Operationsverstärker-Typen............................................................453
8.5.1 Normaler Operationsverstärker.......................................................454
8.5.2 Transkonduktanz-Verstärker...........................................................455
8.5.3 Transimpedanz-Verstärker..............................................................456
8.5.4 Strom-Verstärker.............................................................................456
8.6 Der normale Operationsverstärker..................................................457
8.6.1 Begriffsdefinitionen........................................................................457
Inhaltsverzeichnis 1
3
8.6.2 Differenzverstärkung, Leerlaufspannungsverstärkung
l^................
459
8.6.3 Übertragungskennlinie...................................................................460
8.6.4 Gleichtaktverstärkung, Gleichtaktunterdrückung............................461
8.6.5 Eingangswiderstände.....................................................................463
8.6.6 Ausgangswiderstand......................................................................465
8.6.7 Eingangsströme..............................................................................466
8.6.8 Offsetspannung..............................................................................468
8.6.9 Verstärkungseinstellung durch Gegenkopplung..............................471
8.6.10 Verstärkungs-Bandbreiteprodukt....................................................472
8.6.11 Frequenzgangkorrektur...................................................................474
8.6.12 Spannungsbereich und Stromaufnahme.........................................487
8.6.13 Temperaturbereich.........................................................................488
8.6.14 Anstiegsgeschwindigkeit................................................................488
8.6.15 Maximale Ausgangsspannung........................................................490
8.6.16 Einschwingzeit
(Settling Time)
........................................................490
8.6.17 Zeitverzögerung nach Überlast........................................................491
8.6.18 Rauschen.......................................................................................491
8.7 Der ideale Operationsverstärker.....................................................494
8.8 Interner Aufbau von Operationsverstärkern.....................................495
8.8.1 Übersicht........................................................................................495
8.8.2 Die Eingangsstufe (Differenzverstärker)..........................................496
8.8.3 Die Koppelstufe..............................................................................501
8.8.4 Die Ausgangsstufe..........................................................................502
8.9 Tipps zum praktischen Einsatz von Operationsverstärkern..............503
Grundlagen integrierter Halbleiterschaltungen............................................505
9.1 Allgemeines zu integrierten Schaltungen........................................505
9.1.1 Definition und Arten der Integration................................................505
9.1.2 Vor- und Nachteile integrierter Schaltungen....................................511
9.1.3 Einteilung integrierter Schaltungen.................................................512
9.2 Kenngrößen digitaler Schaltkreise..................................................517
9.2.1 Betriebsspannung..........................................................................517
9.2.2 Pegelbereiche und Übertragungskennlinie logischer Schaltungen.....518
9.2.3 Spannungspegel, Störabstand........................................................519
9.2.4 Lastfaktoren...................................................................................521
9.2.5 Ausgangsstufen..............................................................................521
9.2.6 Schaltzeiten...................................................................................522
9.2.7 Verlustleistung...............................................................................523
9.3 Logikbaureihen...............................................................................524
9.3.1 Übersicht bipolare Schaltkreisfamilien...........................................524
9.3.2 Übersicht MOS-Schaltkreisfamilien.................................................524
9.4 Bipolare Schaltkreisfamilien...........................................................525
9.4.1 RTL.................................................................................................525
14 Inhaltsverzeichnis
9.4.2 DTL.................................................................................................526
9.4.3 ECL.................................................................................................527
9.4.4 I2L..................................................................................................530
9.4.5
TTL
..................................................................................................531
9.5 MOS-Schaltkreisfamilien................................................................547
9.5.1 Vorteile von MOSFETs in integrierten Schaltungen..........................547
9.5.2 PMOS-Technologie.........................................................................547
9.5.3 NMOS-Technologie.........................................................................547
9.5.4 CMOS-Technologie.........................................................................549
9.5.5 BICMOS-Logik.................................................................................558
10 Halbleiterspeicher.......................................................................................561
10.1 Einteilung digitaler Halbleiterspeicher............................................561
10.2 Allgemeiner Aufbau der Speicherbausteine....................................562
10.2.1 Speicherorganisation......................................................................563
10.2.2 Der Adressdekoder.........................................................................565
10.2.3 Die Speicherzelle............................................................................567
10.2.4 Aufbau von Speicherbausteinen, Zusammenfassung......................567
10.2.5 Busleitungen, Steuersignale...........................................................568
10.2.6 Kenndaten......................................................................................569
10.3 Einteilung der Tabellenspeicher......................................................571
10.4 Einteilung der Festwertspeicher......................................................571
10.4.1 Masken-ROM..................................................................................571
10.4.2 Mit Programmiergerät programmierbare PROMs..............................573
10.4.3 In der Schaltung lösch-und programmierbare PROMs.....................578
10.4.4 MRAM
(Magnetic
Random Access Memory).....................................587
10.4.5
FRAM
(Ferroelectric Random
Access Memory).................................591
10.5 Einteilung der flüchtigen Speicher..................................................595
10.5.1 Statisches RAM (SRAM)..................................................................596
10.5.2 Dynamisches RAM (DRAM)..............................................................600
11 Anwendungsspezifische integrierte Bausteine.............................................611
11.1 Einsatz von
ASICs
...........................................................................611
11.2 Einteilung von
ASICs
.......................................................................612
11.2.1 Full-Custom-ASIC............................................................................612
11.2.2 Standardzellen-ASIC.......................................................................613
11.2.3 Gate
Array
.......................................................................................614
11.2.4 Programmierbare Logikbausteine...................................................614
11.3 Entwurfsablauf eines
ASIC
..............................................................616
11.3.1 Vorüberlegungen............................................................................616
11.3.2 Schaltungsentwicklung...................................................................618
11.3.3 Schaltungseingabe.........................................................................620
11.3.4 Simulation......................................................................................622
Inhaltsverzeichnis 15
11.3.5 Layout............................................................................................624
11.3.6 Entwurfsprüfung.............................................................................626
11.3.7 Fertigung........................................................................................627
11.3.8 Mechanischer Aufbau.....................................................................628
11.3.9 Test................................................................................................629
11.4 Einteilung programmierbarer Logikbausteine..................................634
11.4.1 Übersicht und Begriffe....................................................................634
11.4.2 Architektur anwenderprogrammierbarer Logikschaltkreise..............635
11.4.3 PAL.................................................................................................640
11.4.4
GAL
.................................................................................................645
11.4.5 CPLD...............................................................................................648
11.4.6 FPGA...............................................................................................653
12 Literaturverzeichnis.....................................................................................661
Stichwortverzeichnis....................................................................................665
FRANZIS
ELEKTRONIK
Leonhard Stiny
Handbuch
aktiver elektronischer
Bauelemente
Das Werk bietet ein umfangreiches Wissen über diskrete und
integrierte Bauelemente der Halbleitertechnik. Es werden sowohl
Standard-Bauelemente als auch neueste Bausteine der Mikroelek¬
tronik und Computertechnologie behandelt Das Buch kann zum
Selbststudium, in der Lehre, als Handbuch in der Elektronikpraxis
und als ausführliches Nachschlagewerk eingesetzt werden.
Als kleinste Einheiten einer Schaltung werden elektronische Bauele¬
mente zu Funktionseinheiten, Baugruppen oder Geräten zusam¬
mengefügt. Um entsprechend den Herstellerunterlagen die für eine
bestimmte Anwendung optimalen Bauteile auswählen zu können,
muss
der Anwender die Wirkungsweise auch sehr komplexer Halb¬
leiter-Bauelemente verstanden haben. Analyse und Entwurf elek¬
tronischer Schaltungen erfordern als Voraussetzung für fehlerfreie
und betriebssichere Elektronikprodukte gründliche Kenntnisse von
Aufbau und Funktionsweise der eingesetzten Bauelemente der
Halbleiterelektronik. Bei einer Schaltungsauslegung müssen die
Kenngrößen und speziellen Eigenschaften der eingesetzten Bauele¬
mente berücksichtigt werden, um sowohl eine technisch als auch
wirtschaftlich bestmögliche Lösung zu finden.
Dieses Buch bildet eine Brücke zwischen den physikalischen Grund¬
lagen von Halbleiter-Bauelementen und deren ingenieurtechnischen
Anwendungen in der Praxis der modernen Elektronik. Als Basis
werden die theoretischen und physikalischen Grundlagen der Halb¬
leitertechnik vermittelt. Darauf aufbauend, werden für alle Halblei¬
ter-Bauelemente Aufbau und Wirkungsweise erläutert, spezifische
Merkmale, Daten, Kenngrößen und Charakteristiken angegeben
und deren Bedeutung erklärt. Für die verschiedenen Typen
von Bauteilen werden übersichtlich die Vor- und Nachteile sowie
mögliche Anwendungen aufgezeigt. Allgemein gehaltene, für
jeden Einsatzfall gültige Beschreibungen können auf spezielle
Ansätze leicht angepasst, erweitert und so in der Praxis direkt
angewendet werden.
Zahlreiche Abbildungen vermitteln eine Vorstellung von Aufbau
und Aussehen der Bauelemente. Tabellarische Übersichten und
Beispiele mit ausführlichen und nachvollziehbaren Berechnungen
unterstützen die Auswahl, Dimensionierung und Anwendung von
elektronischen Halbleiter-Bauelementen.
Aus dem Inhalt:
• Grundlagen der Halbleiter, pn-Übergang
• Aufbau, Eigenschaften und Funktion
von Halbleiterdioden
• Diodentypen und ihre Anwendungen
• Bipolare Transistoren
• Transistortypen, Kenngrößen
und Einsatzbereiche
• Feldeffekttransistoren
• Bauformen und Betrieb von FETs
• Thyristoren, Ausführungsformen
und Kenndaten
• Operationsverstärker, Typen und
praktischer Einsatz
• Grundlagen integrierter
Halbleiterschaltungen
• Halbleiterspeicher, Einteilung
und Verwendung
• Anwendungsspezifische
integrierte Bausteine
• Und vieles mehr „.
Über den Autor:
Leonhard Stiny ist Dipl.-Ing. Univ. der
Elektrotechnik. Vor dem Ruhestand war
er als Abteilungsleiter in der Elektronik¬
entwicklung tätig. Zurzeit ist er Dozent an
der IHK München und Lehrbeauftragter
an der Fachhochschule Regensburg für
das Fach.Grundlagen der Elektrotechnik
und Elektronik*.
ISBN 978-3-7723-5116-7
167
Euro 49,95
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Besuchen Sie uns im Internet
www.franzis.de
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