Herstellung großflächiger Nanostrukturen mittels Interferenzlithographie:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2008
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Schriftenreihe: | Berichte aus der Elektrotechnik
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Schlagworte: | |
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Beschreibung: | 109 S. Ill., graph. Darst. |
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adam_text | 1 INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 3 1.1 LITHOGRAPHIE VON PERIODISCHEN
NANOSTRUKTUREN 4 2 AUFBAU DER INTERFERENZLITHOGRAPHIE 7 2.1 INTERFERENZ
EBENER WELLEN 7 2.2 INTERFERENZ VON KUGELWELLEN 8 2.3
INTERFERENZKONTRAST 10 2.4 RAEUMLICHE UND ZEITLICHE KOHAERENZ 11 2.5
LASERQUELLE 13 2.6 EINSTRAHMNTERFERENZLITHOGRAPHIE 14 2.7
ZWEISTRAHHNTERFERENZLITHOGRAPHIE 17 2.7.1 STRAHLTELLER 17 2.7.2
INTENSITATSREGELUNG 17 2.7.3 RAUMFFLTER 18 2.7.4 PHASENSTABILISIERUNG
DER INTERFERENZMUSTERS 21 2.8 ALTERNATIVE FORMEN DER
INTERFERENZIHHOGRAPHIE 26 2.8.1 SCAIMING INTERFERENCE LITHOGRAPHY 28
2.8.2 ACHROMATISCHE INTERFERENZLITHOGRAPHIE 26 2.8.3 EUV
INTERFERENZLITHOGRAPHIE 26 2.8.4 ELECTRON HOTOGRAPHY 26 2.8.5 IMAGING
INTERFEROMETRIC LITHOGRAPHY 26 2.8.6 ZIRKULARE INTERFERENZLITHOGRAPHIE
27 2.8.7 MEHRSTRAHMNTERFERENZLITHOGRAPHIE 27 3 PROZESSTECHNOLOGIE 28 3.1
THEORETISCHE BETRACHTUNG DER PROZESSBEDINGUNGEN 28 3.1.1 SCHWEVWERTMODEL
DES PHOTORESISTS 28 3.1.2 PROZESSFENSTER UND KONTRAST , 30 3.2
BESCHREIBUNG DES RESISTSYSTEMS 31 3.2.1 CHEMISCH VERSTAERKTE RESISTE 31
3.3 HERSTELLUNG VON UNIENGITTEM 33 3.3.1 BELICHTUNG VON POSWVRESISTEN 34
3.3.2 BELICHTUNG NEGATFVRESISTEN 36 3.3.3 EINFLUSS DER PEB TEMPERATUR 38
3.3.4 EINFLUSS DER BELICHTUNGSDOSIS AUF DAS RESTSTPROFLL 40 3.4
REDUKTION STEHENDER WEFEN 42 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/991819527 DIGITALISIERT DURCH 3.4.1
ANTI-REFLEXIONSSCHICHTEN 42 3.4.2 OPTIMIERUNG DER BARC SCHICHTDICKE 45
3.4.3 LOESLICHE BARC SCHICHTEN 47 3.5 CHARAKTERISTISCHE
LITHOGRAPHIEERGEBNISSE 47 3.5.1 HOCHAUFLOSUNG 47 3.5.2 PRAEZISION 50
3.5.3 ASPEKTVERHAELTNIS 51 3.5.4 HOMOGENITAET 53 3.6 HERSTELLUNG VON 2
DIMENSIONALEN GITTERN 56 3.6.1 KREUZGITTER 56 3.6.2 HEXAGONALE GITTER 60
3.6.3 PSEUDC-HEXAGONATE GITTER 60 4 SPATIAL PHASE LOCKED ELECTRON BEAM
LITHOGRAPHIE 63 4.1 KONZEPT DES REALISIERTEN SPLEBL VERFAHRENS 65 4.2
HERSTELLUNG VON REFERENZGITTEM 66 4.3 JUSTAGE UND KALIBRIERUNG DES EBL
SYSTEMS 66 4.3.1 KORREKTUR DES WINKELFEHLERS IM ABLENKSYSTEM 67 4.3.2
KORREKTUR DES ZOOMFEHLERS IM ABLENKSYSTEM 67 4.3.3 KORREKTUR DER
TISCHFEHLER 70 4.3.4 EXPERIMENTELLE BELICHTUNGSERGEBNISSE 70 5
ANWENDUNGEN DER INTERFERENZLITHOGRAPHIE 75 5.1 PHOTONISCHE BAUELEMENTE
75 5.2 EINDIMENSIONAL PHOTONISCHE KRISTALLE 76 5.2.1 HERSTELLUNG VON DBR
STRUKTUREN AUF RIPPENWELLENLEITEM 78 5.2.2 CHARAKTERISIERUNG DER DBR
GITTER 78 5.3 ZWEIDIMENSIONALE PHOTONISCHE KRISTALLE 81 5.4
NANOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE 83 5.4.1 METALLISCHE
EINZELELEKTRONENTRANSITOREN 83 5.4.2 HERSTELLUNG VON TRIPEL GATE MOSFET
BAUELEMENTEN 90 5.4.3 ERGEBNIS DES TRIPEL GATE MOSFET PROZESSES 93 6
ZUSAMMENFASSUNG 94 7 AUSBLICK 95 8 LITERATURVERZEICHNIS 98 9 EIGENE
VEROEFFENTLICHUNGEN 101 1
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