Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2008
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | VIII, 138 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 9783867277150 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV035158110 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20081212 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 081113s2008 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 9783867277150 |9 978-3-86727-715-0 | ||
| 035 | |a (OCoLC)444825778 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV035158110 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-12 | ||
| 082 | 0 | |a 621.3815284 |2 22/ger | |
| 084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Sterkel, Martin |e Verfasser |0 (DE-588)136474519 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten |c Martin Sterkel |
| 250 | |a 1. Aufl. | ||
| 264 | 1 | |a Göttingen |b Cuvillier |c 2008 | |
| 300 | |a VIII, 138 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2008 | ||
| 650 | 4 | |a T-FET - Kurzkanal-FET | |
| 650 | 0 | 7 | |a Kurzkanal-FET |0 (DE-588)4207298-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a T-FET |0 (DE-588)7577741-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a T-FET |0 (DE-588)7577741-1 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Kurzkanal-FET |0 (DE-588)4207298-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016965273&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016965273 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804138319923118080 |
|---|---|
| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 2 FUNKTIONSWEISE DES MOSFET 5 2.1
LANGKANAL 5 2.1.1 MOS-DIODE 5 2.1.2 N-MOSFET 7 2.1.3 SCALING 13 2.2
KURZKANAL 15 2.2.1 SCHWIERIGKEITEN BEI KLEINEN GEOMETRIEN 15 2.2.2
LOESUNGSANSAETZE 19 2.3 ZUSAMMENFASSUNG 21 2.3.1 ANFORDERUNGEN AN
MOSFET-NACHFOLGER 22 3 DER TFET ALS MOSFET-NACHFOLGER 25 3.1
PHYSIKALISCHES GRUNDPRINZIP 25 3.1.1 BAND-ZU-BAND LADUNGSTRAEGERTRANSPORT
25 3.1.2 KOMPLEMENTAERE TFETS 31 3.2 OPTIMIERUNGSMOEGLICHKEITEN UND
DESIGNPARAMETER 37 3.2.1 STEIGERUNG DES ELEKTRISCHEN FELDES 38 3.2.2
VARIATION DER MATERIALPARAMETER 41 3.3 MOSFET UND TFET IM VERGLEICH 42
3.3.1 EINSATZSPANNUNG, UNTERSCHWELLENSTEIGUNG 45 3.3.2 SCALING 48 3.4
HISTORIE UND AKTUELLER STAND DER FORSCHUNG 51 4 IDEE UND REALISIERUNG
DES SPACER-GATE-TFET 55 4.1 GRUNDKONZEPT . 55 4.2 PROZESSSCHRITTE IM
DETAIL 58 4.2.1 REINIGUNG UND NASSCHEMISCHES AETZEN 59 4.2.2 LITHOGRAFIE
60 4.Z3 SCHICHTTECHNIK 62 4.2.4 TROCKENAETZEN 69 4.2.5 DOTIERUNG 73
GESCANNT DURCH BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/990746445
DIGITALISIERT DURCH INHALTSVERZEICHNIS 4.3 GESAMTPROZESS 77 4.3.1
ILLUSTRATION DER PROZESSFOLGE 77 4.3.2 DOTIERPROFILE UND EFFEKTIVE
KANALLAENGE 84 5 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG DER SPACER-GATE-TFETS 89
5.1 GATEDIELEKTRIKUM 89 5.2 TRANSFER-UND AUSGANGSCHARAKTERISTIKEN 92 5.3
DISKUSSION DER ELEKTRISCHEN ERGEBNISSE 96 6 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND
AUSBLICK 101 6.1 STAERKEN UND SCHWAECHEN DES SPACER-GATE KONZEPTS 101
6.1.1 TECHNOLOGISCHE MOEGLICHKEITEN 103 6.1.2 WEITERENTWICKLUNG DES
SPACER-GATE KONZEPTS 103 6.2 AUSBLICK 105 A TECHNOLOGIEDETAILS 107 A.L
MASKENLAYOUT 107 A.2 PROZESSPARAMETER 110 A.3 MATERIALDATEN 114
FORMELZEICHEN UND ABKUERZUNGEN 115 VERZEICHNISSE 122 ABBILDUNGEN 122
TABELLEN 123 LITERATUR 125 DANKSAGUNG 137
|
| adam_txt |
INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 2 FUNKTIONSWEISE DES MOSFET 5 2.1
LANGKANAL 5 2.1.1 MOS-DIODE 5 2.1.2 N-MOSFET 7 2.1.3 SCALING 13 2.2
KURZKANAL 15 2.2.1 SCHWIERIGKEITEN BEI KLEINEN GEOMETRIEN 15 2.2.2
LOESUNGSANSAETZE 19 2.3 ZUSAMMENFASSUNG 21 2.3.1 ANFORDERUNGEN AN
MOSFET-NACHFOLGER 22 3 DER TFET ALS MOSFET-NACHFOLGER 25 3.1
PHYSIKALISCHES GRUNDPRINZIP 25 3.1.1 BAND-ZU-BAND LADUNGSTRAEGERTRANSPORT
25 3.1.2 KOMPLEMENTAERE TFETS 31 3.2 OPTIMIERUNGSMOEGLICHKEITEN UND
DESIGNPARAMETER 37 3.2.1 STEIGERUNG DES ELEKTRISCHEN FELDES 38 3.2.2
VARIATION DER MATERIALPARAMETER 41 3.3 MOSFET UND TFET IM VERGLEICH 42
3.3.1 EINSATZSPANNUNG, UNTERSCHWELLENSTEIGUNG 45 3.3.2 SCALING 48 3.4
HISTORIE UND AKTUELLER STAND DER FORSCHUNG 51 4 IDEE UND REALISIERUNG
DES SPACER-GATE-TFET 55 4.1 GRUNDKONZEPT . 55 4.2 PROZESSSCHRITTE IM
DETAIL 58 4.2.1 REINIGUNG UND NASSCHEMISCHES AETZEN 59 4.2.2 LITHOGRAFIE
60 4.Z3 SCHICHTTECHNIK 62 4.2.4 TROCKENAETZEN 69 4.2.5 DOTIERUNG 73
GESCANNT DURCH BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/990746445
DIGITALISIERT DURCH INHALTSVERZEICHNIS 4.3 GESAMTPROZESS 77 4.3.1
ILLUSTRATION DER PROZESSFOLGE 77 4.3.2 DOTIERPROFILE UND EFFEKTIVE
KANALLAENGE 84 5 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG DER SPACER-GATE-TFETS 89
5.1 GATEDIELEKTRIKUM 89 5.2 TRANSFER-UND AUSGANGSCHARAKTERISTIKEN 92 5.3
DISKUSSION DER ELEKTRISCHEN ERGEBNISSE 96 6 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND
AUSBLICK 101 6.1 STAERKEN UND SCHWAECHEN DES SPACER-GATE KONZEPTS 101
6.1.1 TECHNOLOGISCHE MOEGLICHKEITEN 103 6.1.2 WEITERENTWICKLUNG DES
SPACER-GATE KONZEPTS 103 6.2 AUSBLICK 105 A TECHNOLOGIEDETAILS 107 A.L
MASKENLAYOUT 107 A.2 PROZESSPARAMETER 110 A.3 MATERIALDATEN 114
FORMELZEICHEN UND ABKUERZUNGEN 115 VERZEICHNISSE 122 ABBILDUNGEN 122
TABELLEN 123 LITERATUR 125 DANKSAGUNG 137 |
| any_adam_object | 1 |
| any_adam_object_boolean | 1 |
| author | Sterkel, Martin |
| author_GND | (DE-588)136474519 |
| author_facet | Sterkel, Martin |
| author_role | aut |
| author_sort | Sterkel, Martin |
| author_variant | m s ms |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV035158110 |
| classification_tum | ELT 321d |
| ctrlnum | (OCoLC)444825778 (DE-599)BVBBV035158110 |
| dewey-full | 621.3815284 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 621 - Applied physics |
| dewey-raw | 621.3815284 |
| dewey-search | 621.3815284 |
| dewey-sort | 3621.3815284 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| discipline | Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| discipline_str_mv | Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| edition | 1. Aufl. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01525nam a2200397 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV035158110</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20081212 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">081113s2008 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783867277150</subfield><subfield code="9">978-3-86727-715-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)444825778</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV035158110</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3815284</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Sterkel, Martin</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)136474519</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten</subfield><subfield code="c">Martin Sterkel</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1. Aufl.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Göttingen</subfield><subfield code="b">Cuvillier</subfield><subfield code="c">2008</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VIII, 138 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2008</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">T-FET - Kurzkanal-FET</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kurzkanal-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207298-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">T-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)7577741-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">T-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)7577741-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Kurzkanal-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207298-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016965273&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016965273</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV035158110 |
| illustrated | Illustrated |
| index_date | 2024-07-02T22:49:34Z |
| indexdate | 2024-07-09T21:26:18Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783867277150 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016965273 |
| oclc_num | 444825778 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 |
| physical | VIII, 138 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2008 |
| publishDateSearch | 2008 |
| publishDateSort | 2008 |
| publisher | Cuvillier |
| record_format | marc |
| spelling | Sterkel, Martin Verfasser (DE-588)136474519 aut Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten Martin Sterkel 1. Aufl. Göttingen Cuvillier 2008 VIII, 138 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2008 T-FET - Kurzkanal-FET Kurzkanal-FET (DE-588)4207298-0 gnd rswk-swf T-FET (DE-588)7577741-1 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content T-FET (DE-588)7577741-1 s Kurzkanal-FET (DE-588)4207298-0 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016965273&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Sterkel, Martin Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten T-FET - Kurzkanal-FET Kurzkanal-FET (DE-588)4207298-0 gnd T-FET (DE-588)7577741-1 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4207298-0 (DE-588)7577741-1 (DE-588)4113937-9 |
| title | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten |
| title_auth | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten |
| title_exact_search | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten |
| title_exact_search_txtP | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten |
| title_full | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten Martin Sterkel |
| title_fullStr | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten Martin Sterkel |
| title_full_unstemmed | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten Martin Sterkel |
| title_short | Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten |
| title_sort | ultra kurzkanal tunnel feldeffekt transistoren auf silizium und soi substraten |
| topic | T-FET - Kurzkanal-FET Kurzkanal-FET (DE-588)4207298-0 gnd T-FET (DE-588)7577741-1 gnd |
| topic_facet | T-FET - Kurzkanal-FET Kurzkanal-FET T-FET Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016965273&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT sterkelmartin ultrakurzkanaltunnelfeldeffekttransistorenaufsiliziumundsoisubstraten |