Monolithisch integrierte spannungsgesteuerte Oszillatoren für den Millimeterwellen-Bereich in SiGe-Bipolartechnologie:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2007
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| adam_text | MONOLITHISCH INTEGRIERTE SPANNUNGSGESTEUERTE OSZILLATOREN FUER DEN
MILLIMETERWELLEN-BEREICH IN SIGE-BIPOLARTECHNOLOGIE DISSERTATION ZUR
ERLANGUNG DES GRADES EINES DOKTOR-INGENIEURS DER FAKULTAET FUER
ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK AN DER RUHR-UNIVERSITAET BOCHUM
VON HAO LI AUS JIANGSU, CHINA BOCHUM 2007 INHALTSVERZEICHNIS 1
EINLEITUNG UND ZIEL DER ARBEIT 1 2 VERWENDETE TECHNOLOGIEN UND MODELLE
DER BENOETIGTEN BAUELE- MENTE 11 2.1 VERWENDETE TECHNOLOGIEN 11 2.2
SIGE-BIPOLARTRANSISTORMODELLE 12 2.2.1 BESONDERE FORDERUNGEN DER
OSZILLATORSCHALTUNGEN AN TRAN- SISTORMODELLE 13 2.2.2 MODIFIZIERTES
SPICE-GP (GUMMEL-POON) MODELL 13 2.2.3 RAUSCHMODELL DES
BIPOLARTRANSISTORS 15 2.2.4 VERMEIDUNG DES HOCHSTRORNBEREICHS 16 2.2.5
1-TRANSISTOR-MODELL (1TM) UNTER BERUECKSICHTIGUNG DER
LADUNGSTRAEGERMULTIPLIKATION 17 2.2.6 6-TRANSISTOR-MODELL (6TM) ZUR
MODELLIERUNG LATERALER DURCHBRUCHEFFEKTE 19 2.3 REALISIERUNG UND
MODELLIERUNG VON MIKROSTREIFENLEITIINGEN AUF DEM CHIP 22 2.3.1
VORUEBERLEGUNGEN 22 2.3.2 MIKROSTREIFENLEITUNG * GRUNDLAGEN UND
REALISIERUNG . . . . 23 2.3.3 SIMULATIONSERGEBNISSE DER
MIKROSTREIFENLEITUNG 26 2.3.3.1 EINZELLEITUNGEN 26 2.3.3.2 KOPPLUNG
ZWISCHEN ZWEI LEITUNGEN 31 2.3.3.3 VERHALTEN AN KNICKSTELLEN 34 2.3.3.4
LEITUNG MIT VARIIERBARER LAENGE 38 2.4 VARAKTORDIODE - REALISIERUNG UND
MODELLIERUNG 42 2.4.1 VARAKTORDIODE IN DER B7HF-PRODUKTIONSTECHNOLOGIE .
. . . 43 2.4.2 MIT TRANSISTOREN REALISIERTE VARAKTOREN IN DER SIGE-
LABORTECHNOLOGIE 44 INHALTSVERZEICHNIS 3 SCHALTUNGSKONZEPTE FUER
RAUSCHARME MILLIMETERWELLEN (MMW)- VGOS 49 3.T VORBEMERKUNGEN 49 3.2
GRUNDSCHALTUNGEN VON MMW-LC-OSZILLATOREN 50 3.2.1 GEBRAEUCHLICHE
VCO-SCHALTUNGSKONZEPTE 50 3.2.2 NEUES VCO-SCHALTUNGSKONZEPT 55 3.3
REALISIERTE SCHALTUNG DES OSZILLATORKERNS 58 3.4 BEISPIELE FUER
AUSGANGSBUFFER 60 3.4.1 EINFUEHRUNG 60 3.4.2 ERWEITERUNG DES
OSZILLATORKERNS DURCH EINE BASISSCHALTUNG ( KASKODEBUFFER ) 63 3.4.3
MEHRSTUFIGER BUFFER 64 4 ENTWURFSVERFAHREN FUER DEN OSZILLATORKERN 67 4.1
VORBEMERKUNGEN 67 4.1.1 BESCHREIBUNG DES OSZILLATORS DURCH EINEN
RUECKGEKOPPELTEN VERSTAERKER (RINGVERSTAERKUNGSVERFAHREN) 67 4.1.2
BESCHREIBUNG DES OSZILLATORS DURCH EINE IMPEDANZ MIT NE- GATIVEM
REALTEIL (NR-VERFAHREN) 68 4.1.3 ZWEITOR-OSZILLATOREN 70 4.1.4
ERWEITERTES RINGVERSTAERKUNGSVERFAHREN 71 4.2 AUF DER RINGVERSTAERKUNG
BASIERENDE ENTWURFSVERFAHREN (KLEINSIGNAL-ANALYSE) 73 4.2.1
SCHALTUNGSUMFORMUNG MIT HILFE DES FLOATED GROUND - PRINZIPS 73 4.2.2
ANWENDUNG DES RINGVERSTAERKUNGSVERFAHRENS 73 4.3 TRANSIENTENSIMULATION
UND VERGLEICH DER ERGEBNISSE MIT DEM RING- VERSTAERKUNGSVERFAHREN 77 5
DAS PHASENRAUSCHEN UND SEINE OPTIMIERUNG 81 5.1 DAS PHASENRAUSCHEN IN
LC-OSZILLATOREN 81 5.1.1 BESCHREIBUNG DES PHASENRAUSCHENS 81 5.1.2
URSACHEN DES PHASENRAUSCHENS 83 5.2 MASSNAHMEN ZUR VERRINGERUNG DES
PHASENRAUSCHENS 93 5.2.1 MAXIMIERUNG DER GUETE QI UNTER BELASTUNG
(KLEINSIGNAL- ANALYSE) 93 5.2.2 OPTIMIERUNG DER SIGNALAMPLITUDE IM
RESONATOR 94 5.2.3 OPTIMIERUNG DER VORSPANNUNGS-NETZWERKE 95 5.2.4
OPTIMIERUNG DES RUHESTROMS IM OSZILLATORKERN 96 INHALTSVERZEICHNIS I]
5.2.5 EINFLUSS DER KOLLEKTOR-BASIS-KAPAZITAET DER SCHWINGTRAN- SISTOREN
AUF DAS PHASENRAUSCHEN 97 5.2.6 OPTIMIERUNG DER KOLLEKTORLASTIMPEDANZ
DER SCHWINGTRAN- SISTOREN 98 5.2.7 OPTIMIERUNG EINES POTENTIELLEN
KASKODEBUFFERS AM AUSGANG 101 6 FORDERUNGEN AN VCOS FUER ABSTANDSRADAR IN
AUTOMOBILEN 107 6.1 VORBEMERKUNGEN 107 6.2 REALISIERTE
OSZILLATORSCHALTUNG UND IHRE BESONDERHEITEN 108 7 AUSGANGSBUFFER MIT
GUTEN ENTKOPPLUNGSEIGENSCHAFTEN UND HOHER AUSGANGSLEISTUNG 117 7.1
VORBEMERKUNGEN 117 7.2 MAXIMIERUNG DER AUSGANGSLEISTUNG 118 7.2.1
GRUNDLAGEN DER ANPASSUNGSVERFAHREN 118 7.2.1.1 KONJUGIERT KOMPLEXE
ANPASSUNG (LEISTUNGSAN- PASSUNG) 119 7.2.1.2 LOADLINE-ANPASSUNG 120
7.2.1.3 LOADPULL-ANPASSUNG 122 7.2.1.4 VERGLEICH UND BESTAETIGUNG DER
ANPASSUNGSVER- FAHREN DURCH SIMULATIONEN 123 7.2.2 GRENZEN DES
AUSSTEUERUNGSBEREICHS 126 7.2.2.1 PHYSIKALISCHE GRENZEN DER TRANSISTOREN
126 7.2.2.2 LEISTUNGSERHOEHUNG DURCH VERWENDUNG GROSSER STROMDICHTEN 127
JT.2.2.3 LEISTUNGSERHOEHUNG DURCH VERWENDUNG GROSSER AUSGANGSSPANNUNGEN
130 7.2.3 MASSNAHMEN ZUR WEITEREN ERHOEHUNG DER AUSGANGSLEISTUNG DES
BUFFERS 133 7.2.3.1 VERBESSERUNG DER ANSTEUERUNG ZUR TRANSADMIT-
TANZSTUFE 133 7.2.3.2 EINSATZ EINES DC-VORSTROMS IN DER BASISSCHALTUNG
137 7.2.3.3 VERBESSERUNG DER ANPASSUNG ZWISCHEN TRANS- ADMITTANZSTUFE
UND BASISSCHALTUNG 141 7.2.4 ENTWURF DES ANPASSUNGSNETZWERKS AM AUSGANG
DER BASIS- SCHALTUNG 142 7.2.4.1 WAHL EINES ANPASSUNGSNETZWERKS 142
INHALTSVERZEICHNIS 7.2.4.2 EINFLUSS DER VERLUSTE DER
MIKROSTREIFENLEITUNGEN IM ANPASSUNGSNETZWERK UND MASSNAHMEN ZU DE- REN
REDUKTION 145 7.2.4.3 VARIABLE LEITUNGSLAENGEN IN ANPASSUNGSNETZ- WERKEN
UND EINSATZ FUER DIE MESSUNG AUF DEM WA- FER UND AUF EINER MESSFASSUNG
149 7.2.5 EINFLUSS DER LADUNGSTRAEGERMULTIPLIKATION UND DES TRAN-
SISTORDURCHBRUCHS 151 7.2.5.1 EINFLUSS IM AUSGANGSBUFFER 151 7.2.5.2
EINFLUSS IM OSZILLATORKERN 157 8 KONZEPTE ZUR WEITEREN ERHOEHUNG DER
AUSGANGSLEISTUNG 161 8.1 VORUEBERLEGUNGEN 161 8.2 SCHALTUNGSKONZEPTE 162
8.2.1 KONZEPT 1 162 8.2.2 KONZEPT 2 164 9 PARASITAERE OSZILLATIONEN IN
DER BUFFERSTUFE UND IHRE VERMEIDUNGL67 9.1 VORBEMERKUNGEN 167 9.2
DETEKTIEREN POTENTIELLER PARASITAERER GLEICHTAKT- UND GEGENTAKT-
OSZILLATIONEN 169 9.2.1 AUSSCHALTEN DES OSZILLATORKERNS 170 9.2.2
EINSCHALTEN DES OSZILLATORKERNS 176 9.3 MASSNAHME ZUR VERMEIDUNG
PARASITAERER OSZILLATIONEN 178 10 SIMULATION DER TEMPERATURVERTEILUNG AUF
DEM CHIP 183 10.1 EINFUEHRUNG 183 10.2 SIMULATIONSERGEBNISSE 187 10.2.1
SIMULATIONEN EINZELNER SCHALTURIGSTEILE 188 10.2.2 SIMULATION DER
GESAMTSCHALTUNG 189 10.3. OPTIMIERUNGSVORSCHLAG FUER DAS LAYOUT 194 11
TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER SCHWINGFREQUENZ 199 11.1 VORBEMERKUNG 199
11.2 HAUPTURSACHEN UND EINFACHE KOMPENSATIONSSCHALTUNG 200 12 VERFAHREN
ZUR MESSUNG DER OSZILLATOREIGENSCHAFTEN 207 12.1 MESSANORDNUNGEN 208
12.2 AUFBAUTECHNIK FUER DIE MMW-OSZILLATOREN 214 INHALTSVERZEICHNIS V 13
REALISIERTE OSZILLATORSCHALTUNGEN UND EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE219 13.1
VCOS FUER EINE MITTENFREQUENZ VON ETWA 42 GHZ OHNE UND MIT BASISSCHALTUNG
ALS AUSGANGSBUFFER 219 13.2 VCOS MIT WEIT EINSTELLBAREM BEREICH DER
MITTENFREQUENZ VON 45 BIS 65 GHZ UND MEHRSTUFIGEM AUSGANGSBUFFER 223
13.3 VCOS FUER 77/79 GHZ ABSTANDSRADAR MIT HOHER AUSGANGSLEISTUNG 226
13.3.1 MESSERGEBNISSE 226 13.3.2 MOEGLICHE VERBESSERUNGEN 230 13.3.3
ERWEITERUNG DES VCO-CHIPS DURCH ZUSAETZLICHE FUNKTIONEN 232 13.4 VCO MIT
WEITER ERHOEHTER OSZILLATIONSFREQUENZ (BIS 100 GHZ) ... 233 14
ZUSAMMENFASSUNG 235 ANHANG 237 A.L VERWENDETE SIGE-BIPOLARTECHNOLOGIEN ,
237 A.2 REALISIERTE OSZILLATORSCHALTUNGEN 237 A.3 PARAMETER DER
MIKROSTREIFENLEITUNGEN 242
|
| adam_txt |
MONOLITHISCH INTEGRIERTE SPANNUNGSGESTEUERTE OSZILLATOREN FUER DEN
MILLIMETERWELLEN-BEREICH IN SIGE-BIPOLARTECHNOLOGIE DISSERTATION ZUR
ERLANGUNG DES GRADES EINES DOKTOR-INGENIEURS DER FAKULTAET FUER
ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK AN DER RUHR-UNIVERSITAET BOCHUM
VON HAO LI AUS JIANGSU, CHINA BOCHUM 2007 INHALTSVERZEICHNIS 1
EINLEITUNG UND ZIEL DER ARBEIT 1 2 VERWENDETE TECHNOLOGIEN UND MODELLE
DER BENOETIGTEN BAUELE- MENTE 11 2.1 VERWENDETE TECHNOLOGIEN 11 2.2
SIGE-BIPOLARTRANSISTORMODELLE 12 2.2.1 BESONDERE FORDERUNGEN DER
OSZILLATORSCHALTUNGEN AN TRAN- SISTORMODELLE 13 2.2.2 MODIFIZIERTES
SPICE-GP (GUMMEL-POON) MODELL 13 2.2.3 RAUSCHMODELL DES
BIPOLARTRANSISTORS 15 2.2.4 VERMEIDUNG DES HOCHSTRORNBEREICHS 16 2.2.5
1-TRANSISTOR-MODELL (1TM) UNTER BERUECKSICHTIGUNG DER
LADUNGSTRAEGERMULTIPLIKATION 17 2.2.6 6-TRANSISTOR-MODELL (6TM) ZUR
MODELLIERUNG LATERALER DURCHBRUCHEFFEKTE 19 2.3 REALISIERUNG UND
MODELLIERUNG VON MIKROSTREIFENLEITIINGEN AUF DEM CHIP 22 2.3.1
VORUEBERLEGUNGEN 22 2.3.2 MIKROSTREIFENLEITUNG * GRUNDLAGEN UND
REALISIERUNG . . . . 23 2.3.3 SIMULATIONSERGEBNISSE DER
MIKROSTREIFENLEITUNG 26 2.3.3.1 EINZELLEITUNGEN 26 2.3.3.2 KOPPLUNG
ZWISCHEN ZWEI LEITUNGEN 31 2.3.3.3 VERHALTEN AN KNICKSTELLEN 34 2.3.3.4
LEITUNG MIT VARIIERBARER LAENGE 38 2.4 VARAKTORDIODE - REALISIERUNG UND
MODELLIERUNG 42 2.4.1 VARAKTORDIODE IN DER B7HF-PRODUKTIONSTECHNOLOGIE .
. . . 43 2.4.2 MIT TRANSISTOREN REALISIERTE VARAKTOREN IN DER SIGE-
LABORTECHNOLOGIE 44 INHALTSVERZEICHNIS 3 SCHALTUNGSKONZEPTE FUER
RAUSCHARME MILLIMETERWELLEN (MMW)- VGOS 49 3.T VORBEMERKUNGEN 49 3.2
GRUNDSCHALTUNGEN VON MMW-LC-OSZILLATOREN 50 3.2.1 GEBRAEUCHLICHE
VCO-SCHALTUNGSKONZEPTE 50 3.2.2 NEUES VCO-SCHALTUNGSKONZEPT 55 3.3
REALISIERTE SCHALTUNG DES OSZILLATORKERNS 58 3.4 BEISPIELE FUER
AUSGANGSBUFFER 60 3.4.1 EINFUEHRUNG 60 3.4.2 ERWEITERUNG DES
OSZILLATORKERNS DURCH EINE BASISSCHALTUNG ("KASKODEBUFFER") 63 3.4.3
MEHRSTUFIGER BUFFER 64 4 ENTWURFSVERFAHREN FUER DEN OSZILLATORKERN 67 4.1
VORBEMERKUNGEN 67 4.1.1 BESCHREIBUNG DES OSZILLATORS DURCH EINEN
RUECKGEKOPPELTEN VERSTAERKER (RINGVERSTAERKUNGSVERFAHREN) 67 4.1.2
BESCHREIBUNG DES OSZILLATORS DURCH EINE IMPEDANZ MIT NE- GATIVEM
REALTEIL (NR-VERFAHREN) 68 4.1.3 ZWEITOR-OSZILLATOREN 70 4.1.4
ERWEITERTES RINGVERSTAERKUNGSVERFAHREN 71 4.2 AUF DER RINGVERSTAERKUNG
BASIERENDE ENTWURFSVERFAHREN (KLEINSIGNAL-ANALYSE) 73 4.2.1
SCHALTUNGSUMFORMUNG MIT HILFE DES "FLOATED GROUND"- PRINZIPS 73 4.2.2
ANWENDUNG DES RINGVERSTAERKUNGSVERFAHRENS 73 4.3 TRANSIENTENSIMULATION
UND VERGLEICH DER ERGEBNISSE MIT DEM RING- VERSTAERKUNGSVERFAHREN 77 5
DAS PHASENRAUSCHEN UND SEINE OPTIMIERUNG 81 5.1 DAS PHASENRAUSCHEN IN
LC-OSZILLATOREN 81 5.1.1 BESCHREIBUNG DES PHASENRAUSCHENS 81 5.1.2
URSACHEN DES PHASENRAUSCHENS 83 5.2 MASSNAHMEN ZUR VERRINGERUNG DES
PHASENRAUSCHENS 93 5.2.1 MAXIMIERUNG DER GUETE QI UNTER BELASTUNG
(KLEINSIGNAL- ANALYSE) 93 5.2.2 OPTIMIERUNG DER SIGNALAMPLITUDE IM
RESONATOR 94 5.2.3 OPTIMIERUNG DER VORSPANNUNGS-NETZWERKE 95 5.2.4
OPTIMIERUNG DES RUHESTROMS IM OSZILLATORKERN 96 INHALTSVERZEICHNIS I]
5.2.5 EINFLUSS DER KOLLEKTOR-BASIS-KAPAZITAET DER SCHWINGTRAN- SISTOREN
AUF DAS PHASENRAUSCHEN 97 5.2.6 OPTIMIERUNG DER KOLLEKTORLASTIMPEDANZ
DER SCHWINGTRAN- SISTOREN 98 5.2.7 OPTIMIERUNG EINES POTENTIELLEN
KASKODEBUFFERS AM AUSGANG 101 6 FORDERUNGEN AN VCOS FUER ABSTANDSRADAR IN
AUTOMOBILEN 107 6.1 VORBEMERKUNGEN 107 6.2 REALISIERTE
OSZILLATORSCHALTUNG UND IHRE BESONDERHEITEN 108 7 AUSGANGSBUFFER MIT
GUTEN ENTKOPPLUNGSEIGENSCHAFTEN UND HOHER AUSGANGSLEISTUNG 117 7.1
VORBEMERKUNGEN 117 7.2 MAXIMIERUNG DER AUSGANGSLEISTUNG 118 7.2.1
GRUNDLAGEN DER ANPASSUNGSVERFAHREN 118 7.2.1.1 KONJUGIERT KOMPLEXE
ANPASSUNG (LEISTUNGSAN- PASSUNG) 119 7.2.1.2 LOADLINE-ANPASSUNG 120
7.2.1.3 LOADPULL-ANPASSUNG 122 7.2.1.4 VERGLEICH UND BESTAETIGUNG DER
ANPASSUNGSVER- FAHREN DURCH SIMULATIONEN 123 7.2.2 GRENZEN DES
AUSSTEUERUNGSBEREICHS 126 7.2.2.1 PHYSIKALISCHE GRENZEN DER TRANSISTOREN
126 7.2.2.2 LEISTUNGSERHOEHUNG DURCH VERWENDUNG GROSSER STROMDICHTEN 127
JT.2.2.3 LEISTUNGSERHOEHUNG DURCH VERWENDUNG GROSSER AUSGANGSSPANNUNGEN
130 7.2.3 MASSNAHMEN ZUR WEITEREN ERHOEHUNG DER AUSGANGSLEISTUNG DES
BUFFERS 133 7.2.3.1 VERBESSERUNG DER ANSTEUERUNG ZUR TRANSADMIT-
TANZSTUFE 133 7.2.3.2 EINSATZ EINES DC-VORSTROMS IN DER BASISSCHALTUNG
137 7.2.3.3 VERBESSERUNG DER ANPASSUNG ZWISCHEN TRANS- ADMITTANZSTUFE
UND BASISSCHALTUNG 141 7.2.4 ENTWURF DES ANPASSUNGSNETZWERKS AM AUSGANG
DER BASIS- SCHALTUNG 142 7.2.4.1 WAHL EINES ANPASSUNGSNETZWERKS 142
INHALTSVERZEICHNIS 7.2.4.2 EINFLUSS DER VERLUSTE DER
MIKROSTREIFENLEITUNGEN IM ANPASSUNGSNETZWERK UND MASSNAHMEN ZU DE- REN
REDUKTION 145 7.2.4.3 VARIABLE LEITUNGSLAENGEN IN ANPASSUNGSNETZ- WERKEN
UND EINSATZ FUER DIE MESSUNG AUF DEM WA- FER UND AUF EINER MESSFASSUNG
149 7.2.5 EINFLUSS DER LADUNGSTRAEGERMULTIPLIKATION UND DES TRAN-
SISTORDURCHBRUCHS 151 7.2.5.1 EINFLUSS IM AUSGANGSBUFFER 151 7.2.5.2
EINFLUSS IM OSZILLATORKERN 157 8 KONZEPTE ZUR WEITEREN ERHOEHUNG DER
AUSGANGSLEISTUNG 161 8.1 VORUEBERLEGUNGEN 161 8.2 SCHALTUNGSKONZEPTE 162
8.2.1 KONZEPT 1 162 8.2.2 KONZEPT 2 164 9 PARASITAERE OSZILLATIONEN IN
DER BUFFERSTUFE UND IHRE VERMEIDUNGL67 9.1 VORBEMERKUNGEN 167 9.2
DETEKTIEREN POTENTIELLER PARASITAERER GLEICHTAKT- UND GEGENTAKT-
OSZILLATIONEN 169 9.2.1 AUSSCHALTEN DES OSZILLATORKERNS 170 9.2.2
EINSCHALTEN DES OSZILLATORKERNS 176 9.3 MASSNAHME ZUR VERMEIDUNG
PARASITAERER OSZILLATIONEN 178 10 SIMULATION DER TEMPERATURVERTEILUNG AUF
DEM CHIP 183 10.1 EINFUEHRUNG 183 10.2 SIMULATIONSERGEBNISSE 187 10.2.1
SIMULATIONEN EINZELNER SCHALTURIGSTEILE 188 10.2.2 SIMULATION DER
GESAMTSCHALTUNG 189 10.3. OPTIMIERUNGSVORSCHLAG FUER DAS LAYOUT 194 11
TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER SCHWINGFREQUENZ 199 11.1 VORBEMERKUNG 199
11.2 HAUPTURSACHEN UND EINFACHE KOMPENSATIONSSCHALTUNG 200 12 VERFAHREN
ZUR MESSUNG DER OSZILLATOREIGENSCHAFTEN 207 12.1 MESSANORDNUNGEN 208
12.2 AUFBAUTECHNIK FUER DIE MMW-OSZILLATOREN 214 INHALTSVERZEICHNIS V 13
REALISIERTE OSZILLATORSCHALTUNGEN UND EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE219 13.1
VCOS FUER EINE MITTENFREQUENZ VON ETWA 42 GHZ OHNE UND MIT BASISSCHALTUNG
ALS AUSGANGSBUFFER 219 13.2 VCOS MIT WEIT EINSTELLBAREM BEREICH DER
MITTENFREQUENZ VON 45 BIS 65 GHZ UND MEHRSTUFIGEM AUSGANGSBUFFER 223
13.3 VCOS FUER 77/79 GHZ ABSTANDSRADAR MIT HOHER AUSGANGSLEISTUNG 226
13.3.1 MESSERGEBNISSE 226 13.3.2 MOEGLICHE VERBESSERUNGEN 230 13.3.3
ERWEITERUNG DES VCO-CHIPS DURCH ZUSAETZLICHE FUNKTIONEN 232 13.4 VCO MIT
WEITER ERHOEHTER OSZILLATIONSFREQUENZ (BIS 100 GHZ) . 233 14
ZUSAMMENFASSUNG 235 ANHANG 237 A.L VERWENDETE SIGE-BIPOLARTECHNOLOGIEN ,
237 A.2 REALISIERTE OSZILLATORSCHALTUNGEN 237 A.3 PARAMETER DER
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