Untersuchung des niederfrequenten Rauschverhaltens und der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit von MOS-Strukturen unter der Wirkung ionisierender Bestrahlung:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin-Wannsee
1968
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| Schriftenreihe: | HMI-Berichte / Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH
75 |
| Beschreibung: | 15 S., 3 Bl. |
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