Loewe, H., Keppel, P., & Zach, D. (1990). Halbleiterätzverfahren: Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen. Akad.-Verl.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Loewe, Hans, Peter Keppel, und Dietrich Zach. Halbleiterätzverfahren: Kinetik, Verfahrensgrundlagen Und Anwendungsgebiete Von Naßchemischen Ätzverfahren Für Si, GaAs, GaP Und InP ; Mit 9 Tabellen. Berlin: Akad.-Verl, 1990.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Loewe, Hans, et al. Halbleiterätzverfahren: Kinetik, Verfahrensgrundlagen Und Anwendungsgebiete Von Naßchemischen Ätzverfahren Für Si, GaAs, GaP Und InP ; Mit 9 Tabellen. Akad.-Verl, 1990.
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