Verfügbarkeit: Halbleiterätzverfahren

Halbleiterätzverfahren: Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Loewe, Hans (VerfasserIn), Keppel, Peter (VerfasserIn), Zach, Dietrich (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Berlin Akad.-Verl. 1990
Schlagworte:	Ätzen Halbleiterwerkstoff Halbleiter
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	Literaturverz. S. 155 - 163
Beschreibung:	167 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3055007069

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000 c 4500
001	BV025860218
003	DE-604
005	20170425
007	t
008	100417s1990 ad\|\| \|\|\|\| 00\|\|\| ger d
016	7		\|a 910719659 \|2 DE-101
020			\|a 3055007069 \|9 3-05-500706-9
035			\|a (OCoLC)299607434
035			\|a (DE-599)BVBBV025860218
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakwb
041	0		\|a ger
049			\|a DE-11
084			\|a UP 3100 \|0 (DE-625)146372: \|2 rvk
084			\|a UP 7550 \|0 (DE-625)146434: \|2 rvk
084			\|a ZN 4170 \|0 (DE-625)157366: \|2 rvk
100	1		\|a Loewe, Hans \|e Verfasser \|4 aut
245	1	0	\|a Halbleiterätzverfahren \|b Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen \|c Hans Löwe ; Peter Keppel ; Dietrich Zach
264		1	\|a Berlin \|b Akad.-Verl. \|c 1990
300			\|a 167 S. \|b Ill., graph. Darst.
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
500			\|a Literaturverz. S. 155 - 163
650	0	7	\|a Ätzen \|0 (DE-588)4000648-7 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleiterwerkstoff \|0 (DE-588)4158817-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleiter \|0 (DE-588)4022993-2 \|2 gnd \|9 rswk-swf
689	0	0	\|a Halbleiter \|0 (DE-588)4022993-2 \|D s
689	0	1	\|a Ätzen \|0 (DE-588)4000648-7 \|D s
689	0		\|5 DE-604
689	1	0	\|a Halbleiterwerkstoff \|0 (DE-588)4158817-4 \|D s
689	1	1	\|a Ätzen \|0 (DE-588)4000648-7 \|D s
689	1		\|5 DE-604
700	1		\|a Keppel, Peter \|e Verfasser \|4 aut
700	1		\|a Zach, Dietrich \|e Verfasser \|4 aut
856	4	2	\|m DNB Datenaustausch \|q application/pdf \|u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=019107943&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA \|3 Inhaltsverzeichnis
999			\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019107943

Datensatz im Suchindex

_version_	1804141313080164352
adam_text	INHALTSVERZEICHNIS SEITE EINLEITUNG 9 1. REAKTIONSKINETISCHE UND VERFAHRENSTECHNISCHE GRUNDLAGEN 13 1.1. DER AETZVORGANG ALS HETEROGENE CHEMISCHE REAKTION 13 1.2. KINETISCHE UNTERSUCHUNGSVERFAHREN 17 1.3. KINETIK UND OBERFLAECHENSTRUKTUR 22 1.3.1. POLIERENDE AUFLOESUNG 22 1.3.2. STRUKTURIERUNG 25 1.3.3. STRUKTURDEFEKTAETZUNG 27 1.4. ANISOTROPIE DER STZGESCHWINDIGKEIT UND OBERFLAECHEN STRUKTUR 30 1.4.1. URSACHEN DER ANISOTROPIE 30 1.4.2. ABLEITUNG REALISIERBARER STZSTRUKTUREN 34 1.4.3. RANDEFFEKTE UND UNTERAETZUNG 38 1.5. REPRODUZIERBARE FESTLEGUNG VON KONVEKTIONSBEDINGUNGEN 43 1.5.1. KONVEKTIONSBEDINGUNGEN AN DER EINZELN ROTIERENDEN SCHEIBE 45 1.5.2. KONVEKTIONSBEDINGUNGEN BEI DER WISCHPOLITUR 45 2. AETZLOESUNGSSYSTEME UND AETZVERFAHREN 51 2.1. STZLOESUNGSSYSTEME UND STZVERFAHREN FUER SILIZIUM 51 2.1.1. SALPETERSAEURE-FLUSSSAEURE-ESSIGSAEURE-MISCHUNGEN 51 2.1.2. BASISCHE SILIZIUMAETZSYSTEME 60 - ALKALIHYDROXIDLOESUNGEN 65 - ORGANISCHE BASEN ZUR SILIZIUMAETZUNG 71 2.1.3. CHROM-(VI)-FLUSSSAEURE-MISCHUNGEN 75 2.1.4. KUPFEI*(IL)-IONENLOESUNGEN ZUR SILIZIUMAETZUNG 79 2.1.5. WISCHPOLIERVERFAHREN FUER SILIZIUM 80 - WISCHPOLITUR MIT EINER ALKALISCHEN LOESUNG KOLLOIDAL VERTEILTER KIESELSAEURE 80 - WISCHPOLITUR MIT KUPFERIONENLOESUNG 82 2.2. STZLOESUNGSSYSTEME UND STZVERFAHREN FUER GAL1IUMARSENID 84 2.2.1. SAEUREHALTIGE WASSERSTOFFPEROXID-LOESUNGEN 85 2.2.2. BASENHALTIGE WASSERSTOFFPEROXID-LOESUNGEN 90 2.2.3. HALOGENE UND ABGELEITETE VERBINDUNGEN 94 2.2.4. CHROM-(VI)-HALTIGE STZLOESUNGSSYSTEME 96 2.2.5. WEITERE STZLOESUNGSSYSTEME 98 2.2.6. SELEKTIVE AUFLOESUNG AN GAAS-ALGAAS-SCHICHTSTRUKTUREN 99 2.2.7. ANWENDUNGEN STRUKTURIERENDER GAAS-STZVERFAHREN 102 -OBERFLAECHENGEOMETRIEN ZUR ERHOEHUNG DER LICHTAUS KOPPLUNG 102 -LASERSPIEGELHERSTELLUNG 103 -V-GRAEBEN UND MESASTRUKTUREN AUF EPITAXIESUBSTRATEN 104 -PERIODISCHE STRUKTUREN 107 2.2.8. WISCHPOLIERVERFAHREN FUER GAL1IUMARSENID 108 - WISCHPOLITUR MIT ALKALISCHER HYPOCHLORITLOESUNG 109 - WISCHPOLITUR MIT METHANOLISCHER BROMLOESUNG 114 - WISCHPOLITUR MIT ALKALISCHEN WASSERSTOFFPEROXID- LOESUNGEN 115 7 HTTP://D-NB.INFO/910719659 2.3. STZLOESUNGSSYSTEME UND STZVERFAHREN FUER GALLIUMPHOSPHID 116 2.3.1. HALOGENE UND HYPOHALOGENITE ENTHALTENDE STZLOESUNGS SYSTEME 116 2.3.2. HEXACYANOFERRAT-(III)-HALTIGE STZLOESUNGSSYSTEME 118 2.3.3. WASSERSTOFFPEROXID ENTHALTENDE STZLOESUNGSSYSTEME 119 2.3.4. PHOSPHORSAEURE-STZLOESUNGEN 120 2.3.5. WISCHPOLIERVERFAHREN FUER GAL1IUMPHOSPHID 121 - WISCHPOLITUR MIT NAOCL-LOESUNG UND FESTSTOFF ZUSAETZEN 122 - WISCHPOLIERVERFAHREN MIT CHLORHALTIGEN STZLOESUNGEN 123 - WISCHPOLIERVERFAHREN MIT BROMHALTIGEN STZLOESUNGEN 123 2.4. STZLOESUNGSSYSTEME UND STZVERFAHREN FUER INDIUMPHOSPHID 125 2.4.1. HALOGENWASSERSTOFFSAEUREN ENTHALTENDE STZLOESUNGEN 126 - HCL(KONZ.) UND MISCHUNGEN MIT ESSIGSAEURE UND H3PO4 127 - HCL-HNC 3-GEMISCHE 130 - HCL-GEMISCHE MIT H202~ZUSATZ 133 - HBRFKONZ.) UND MISCHUNGEN MIT ESSIGSAEURE, H3PO4 UND HF 134 - HBR-HNC 3-GEMISCHE 135 - HBR-H2C 2-GEMISCHE 136 - HBR-CR(VI)-LOESUNGEN 136 2.4.2. BROMHALTIGE STZLOESUNGSSYSTEME 138 - BROM-METHANOL-LOESUNGEN 138 - WAESSRIGE BROM-BROMID-LOESUNGEN 141 2.4.3. SELEKTIVE STZLOESUNGSSYSTEME 146 - H2SO4- UND H3PC 4-HALTIGE H202~LOESUNGEN 147 -K 3 FE(CN)G-KOH-LOESUNGEN 147 2.4.4. ANWENDUNGSGEBIETE VON STZVERFAHREN FUER INP UND GALNASP/INP-HETEROSTRUKTUREN 148 - V-GRAEBEN UND MESASTREIFEN FUER VERGRABENE LASERSTRUKTUREN 148 - GEAETZTE LASERSPIEGELFLAECHEN 150 - PERIODISCHE STRUKTUREN 151 - AZIMUTALORIENTIERUNGSBESTIMMUNG 151 2.4.5. WISCHPOLIERVERFAHREN FUER INDIUMPHOSPHID 152 - WISCHPOLITUR VON INP MIT BROM-METHANOL-LOESUNG 152 - WISCHPOLITUR MIT WAESSRIGER BROM-BROMID-LOESUNG 154 - WISCHPOLITUR MIT CHLORHALTIGEN LOESUNGEN 154 3. LITERATUR 155 4. SACHVERZEICHNIS 165 8
any_adam_object	1
author	Loewe, Hans Keppel, Peter Zach, Dietrich
author_facet	Loewe, Hans Keppel, Peter Zach, Dietrich
author_role	aut aut aut
author_sort	Loewe, Hans
author_variant	h l hl p k pk d z dz
building	Verbundindex
bvnumber	BV025860218
classification_rvk	UP 3100 UP 7550 ZN 4170
ctrlnum	(OCoLC)299607434 (DE-599)BVBBV025860218
discipline	Physik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
format	Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01828nam a2200457 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV025860218</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20170425 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">100417s1990 ad\|\| \|\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">910719659</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3055007069</subfield><subfield code="9">3-05-500706-9</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)299607434</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV025860218</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 7550</subfield><subfield code="0">(DE-625)146434:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4170</subfield><subfield code="0">(DE-625)157366:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Loewe, Hans</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterätzverfahren</subfield><subfield code="b">Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen</subfield><subfield code="c">Hans Löwe ; Peter Keppel ; Dietrich Zach</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin</subfield><subfield code="b">Akad.-Verl.</subfield><subfield code="c">1990</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">167 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Literaturverz. S. 155 - 163</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ätzen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4000648-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterwerkstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158817-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4022993-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4022993-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Ätzen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4000648-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterwerkstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158817-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Ätzen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4000648-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Keppel, Peter</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Zach, Dietrich</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=019107943&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019107943</subfield></datafield></record></collection>
id	DE-604.BV025860218
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-07-09T22:13:53Z
institution	BVB
isbn	3055007069
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019107943
oclc_num	299607434
open_access_boolean
owner	DE-11
owner_facet	DE-11
physical	167 S. Ill., graph. Darst.
publishDate	1990
publishDateSearch	1990
publishDateSort	1990
publisher	Akad.-Verl.
record_format	marc
spelling	Loewe, Hans Verfasser aut Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen Hans Löwe ; Peter Keppel ; Dietrich Zach Berlin Akad.-Verl. 1990 167 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Literaturverz. S. 155 - 163 Ätzen (DE-588)4000648-7 gnd rswk-swf Halbleiterwerkstoff (DE-588)4158817-4 gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 s Ätzen (DE-588)4000648-7 s DE-604 Halbleiterwerkstoff (DE-588)4158817-4 s Keppel, Peter Verfasser aut Zach, Dietrich Verfasser aut DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=019107943&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis
spellingShingle	Loewe, Hans Keppel, Peter Zach, Dietrich Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen Ätzen (DE-588)4000648-7 gnd Halbleiterwerkstoff (DE-588)4158817-4 gnd Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd
subject_GND	(DE-588)4000648-7 (DE-588)4158817-4 (DE-588)4022993-2
title	Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen
title_auth	Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen
title_exact_search	Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen
title_full	Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen Hans Löwe ; Peter Keppel ; Dietrich Zach
title_fullStr	Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen Hans Löwe ; Peter Keppel ; Dietrich Zach
title_full_unstemmed	Halbleiterätzverfahren Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen Hans Löwe ; Peter Keppel ; Dietrich Zach
title_short	Halbleiterätzverfahren
title_sort	halbleiteratzverfahren kinetik verfahrensgrundlagen und anwendungsgebiete von naßchemischen atzverfahren fur si gaas gap und inp mit 9 tabellen
title_sub	Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von naßchemischen Ätzverfahren für Si, GaAs, GaP und InP ; mit 9 Tabellen
topic	Ätzen (DE-588)4000648-7 gnd Halbleiterwerkstoff (DE-588)4158817-4 gnd Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd
topic_facet	Ätzen Halbleiterwerkstoff Halbleiter
url	http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=019107943&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
work_keys_str_mv	AT loewehans halbleiteratzverfahrenkinetikverfahrensgrundlagenundanwendungsgebietevonnaßchemischenatzverfahrenfursigaasgapundinpmit9tabellen AT keppelpeter halbleiteratzverfahrenkinetikverfahrensgrundlagenundanwendungsgebietevonnaßchemischenatzverfahrenfursigaasgapundinpmit9tabellen AT zachdietrich halbleiteratzverfahrenkinetikverfahrensgrundlagenundanwendungsgebietevonnaßchemischenatzverfahrenfursigaasgapundinpmit9tabellen

Verfügbarkeit

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand! Inhaltsverzeichnis

MARC

Datensatz im Suchindex

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Ähnliche Einträge