Oberflächenspeicherung und Rekombination von Trägern in Germanium zwischen 90 und 300 K:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Beckmann, Karl Heinz 1928- (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1962
Schlagworte:
Beschreibung:Aus: Zeitschrift für angewandte Physik ; 14. 1962, Heft 6
Beschreibung:Seite 352-358 Illustrationen

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!