Entwurf und experimentelle Untersuchung von integrierbaren MOS-Hochspannungstransistoren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schmidt, Jürgen (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1986
Schlagworte:
Beschreibung:113 Bl. Ill.

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