Oxidationsverhalten von drucklos gesintertem Siliciumcarbid:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kim, Hyung Sik (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1986
Schlagworte:
Beschreibung:87 S. Ill.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!