Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Siliciumdioxid, das mit Hilfe der Ionenimplantation dotiert wird:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Haack, Dietmar (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1978
Schlagworte:
Beschreibung:Auch als: Berichte des Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin ; 280
Beschreibung:138 S.

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