Müllhäuser, J. R. (1999). Properties of zincblende GaN and (In, Ga, Al) N heterostructures grown by molecular beam epitaxy.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Müllhäuser, Jochen R. Properties of Zincblende GaN and (In, Ga, Al) N Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy. 1999.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Müllhäuser, Jochen R. Properties of Zincblende GaN and (In, Ga, Al) N Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy. 1999.
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