Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand: GaN, SiC, Diamant
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Freiburg im Breisgau
1994
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 154 S. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV024798324 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 100417s1994 d||| m||| 00||| ger d | ||
| 015 | |a 95,H07,0225 |2 dnb | ||
| 035 | |a (OCoLC)75560671 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV024798324 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-11 | ||
| 100 | 1 | |a Maier, Karin |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand |b GaN, SiC, Diamant |c von Karin Maier |
| 264 | 1 | |a Freiburg im Breisgau |c 1994 | |
| 300 | |a 154 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 1994 | ||
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019479200 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804141788791832576 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Maier, Karin |
| author_facet | Maier, Karin |
| author_role | aut |
| author_sort | Maier, Karin |
| author_variant | k m km |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV024798324 |
| ctrlnum | (OCoLC)75560671 (DE-599)BVBBV024798324 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00846nam a2200277 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV024798324</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">100417s1994 d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">95,H07,0225</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75560671</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV024798324</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Maier, Karin</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand</subfield><subfield code="b">GaN, SiC, Diamant</subfield><subfield code="c">von Karin Maier</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Freiburg im Breisgau</subfield><subfield code="c">1994</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">154 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 1994</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019479200</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV024798324 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T22:21:27Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019479200 |
| oclc_num | 75560671 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-11 |
| owner_facet | DE-11 |
| physical | 154 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1994 |
| publishDateSearch | 1994 |
| publishDateSort | 1994 |
| record_format | marc |
| spelling | Maier, Karin Verfasser aut Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant von Karin Maier Freiburg im Breisgau 1994 154 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 1994 (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| spellingShingle | Maier, Karin Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant |
| subject_GND | (DE-588)4113937-9 |
| title | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant |
| title_auth | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant |
| title_exact_search | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant |
| title_full | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant von Karin Maier |
| title_fullStr | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant von Karin Maier |
| title_full_unstemmed | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand GaN, SiC, Diamant von Karin Maier |
| title_short | Defektspektroskopie an Halbleitern mit hohem Bandabstand |
| title_sort | defektspektroskopie an halbleitern mit hohem bandabstand gan sic diamant |
| title_sub | GaN, SiC, Diamant |
| topic_facet | Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT maierkarin defektspektroskopieanhalbleiternmithohembandabstandgansicdiamant |