Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das "burried channel charge-coupled device":
Gespeichert in:
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| Veröffentlicht: |
Berlin-Wannsee
HMI
1981
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| Schriftenreihe: | Berichte / Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin
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