Verfügbarkeit: Fehlangepasste Epitaxie von III V-Halbleitern

Fehlangepasste Epitaxie von III V-Halbleitern:

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Wehmann, Hergo-Heinrich (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 2000
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:	Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	X, 200 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3826580583

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adam_text	FEHLANGEPASSTE EPITAXIE VON III/V-HALBLEITERN HABILITATIONSSCHRIFT VON DR.-ING. HERGO-HEINRICH WEHMANN INSTITUT FUER HALBLEITERTECHNIK DER TECHNISCHEN UNIVERSITAET CAROLO-WILHEHNINA ZU BRAUNSCHWEIG 2000 VN 1 EINLEITUNG 1 2 GRUNDLAGEN FEHLANGEPASSTER SYSTEME 10 2.1 PSEUDOMORPHE SCHICHTEN 11 2.1.1 ELASTISCHE VERSPANNUNG 11 2.1.2 EINFLUSS AUF DIE BANDSTRUKTUR 14 2.2 TEILRELAXIERTE SCHICHTEN 20 2.2.1 VERSETZUNGEN 20 2.2.2 MODELLE ZUR SCHICHTENTSPANNUNG 24 KRITISCHE SCHICHTDICKE 26 KINETISCHE MODELLE 28 DURCHSTOSSENDE VERSETZUNGEN 32 EMPIRISCHE MODELLE 33 VERGLEICH DER MODELLE ZUR VERSETZUNGSDICHTE 34 2.2.3 WEITERE GITTERDEFEKTE IN REALEN SYSTEMEN 35 ANTIPHASEN-GRENZEN 36 STAPELFEHLER UND ZWILLINGSLAMELLEN 37 DREIDIMENSIONALES WACHSTUM 41 2.2.4 ERSCHEINUNGSFORMEN DER DEFEKTE 44 3 GITTERFEHIANGEPASSTE EPITAXIE 52 3.1 EPITAXIEVERFAHREN 52 3.1.1 FLUESSIGPHASEN-EPITAXIE 52 3.1.2 GASPHASEN-EPITAXIE 54 3.1.3 METALLORGANISCHE GASPHASEN-EPITAXIE 55 APPARATUR 55 SELEKTIVES WACHSTUM 61 3.1.4 MOLEKULARSTRAHL-EPITAXIE 65 VFFL 3.1.5 VERGLEICH DER EPITAXIE-VERFAHREN 68 3.2 TECHNOLOGIEN ZUM FEHLANGEPASSTEN WACHSTUM 70 _ 3.2.1 SUBSTRAT UND VORBEHANDLUNG 70 3.2.2 PSEUDOMORPHE SCHICHTEN AUF STRUKTURIERTEM SUBSTRAT 78 3.2.3 SPEZIELLE MASSNAHMEN ZUM WACHSTUM PSEUDOMORPHER SCHICHTEN 83 3.2.4 TEILRELAXIERTE ID/V-SCHICHTEN AUF SI 84 NIEDERTEMPERATUR-PUFFERSCHICHT 84 GAAS-PUFFER FUER INP/SI 89 INGAP-PUFFER 92 ABGESTUFTE PUFFERSCHICHTEN 94 IN 053 GA 047 AS-BAUELEMENTSCHICHT 95 3.2.5 VERBESSERUNG DER TEILRELAXIERTEN SCHICHTEN 98 SIO 2 -UMMANTELUNG 99 TEMPERZYKLEN 100 UEBERGITTERSTRUKTUREN 102 SELEKTIVE EPITAXIE 103 LATERALES UEBERWACHSEN 113 KONFORMES WACHSTUM 115 PENDEO-EPITAXIE 116 FREIGEAETZTE STRUKTUREN 116 3.2.6 ALTERNATIVE TECHNIKEN 117 NACHGIEBIGE SUBSTRATE 117 DUENNFILM-TRANSFER 122 4 FEHLANGEPASSTE III/V-BAUELEMENTE 126 4.1 PSEUDOMORPHE STRUKTUREN 126 4.1.1 SCHICHTEN IN OPTIMIERTEN BAUELEMENTEN 128 PHOTODETEKTOREN 128 LASER 128 DC FELDEFFEKT-TRANSISTOREN 129 4.1.2 NIEDERDIMENSIONALE SYSTEME 131 INGAAS/INP-QUANTENDRAHT-STRUKTUREN 133 NULL-DIMENSIONALE STRUKTUREN 134 4.2 TEILRELAXIERTE STRUKTUREN 135 4.2.1 MSM-PHOTODETEKTOREN AUF SI 136 4.2.2 OPTISCHE SENDER 141 LEDS AUF SI 142 LASER AUF SI 143 4.3 INTEGRATION 144 4.3.1 MONOLITHISCHE INTEGRATION MIT SI-ELEKTRONIK 145 KOMPATIBILITAET M/V-EPITAXIE ZUR MOS-TECHNOLOGIE 146 4.3.2 ANDERE INTEGRATIONSTECHNIKEN 148 DUENNFILM-TRANSFER 148 FLIP-CHIP-TECHNIK 150 4.3.3 VERGLEICH DER INTEGRATIONSTECHNIKEN 151 5 AUSBLICK 154 6 ZUSAMMENFASSUNG 157 7 ANHANG 159 7.1 VERWENDETE DATEN 159 7.2 VERZEICHNIS DER VERWENDETEN ABKUERZUNGEN 161 7.3 SYMBOLVERZEICHNIS 164 8 LITERATURVERZEICHNIS 168
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