Kyburz, R. (1993). Integrated In 0.53 Ga 0.47 As, InP hall effect devices for highly sensitive magnetic field sensors ([Mikrofiche-Ausg.].).
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Kyburz, Rainer. Integrated In 0.53 Ga 0.47 As, InP Hall Effect Devices for Highly Sensitive Magnetic Field Sensors. [Mikrofiche-Ausg.]. 1993.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Kyburz, Rainer. Integrated In 0.53 Ga 0.47 As, InP Hall Effect Devices for Highly Sensitive Magnetic Field Sensors. [Mikrofiche-Ausg.]. 1993.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.