Integrated In 0.53 Ga 0.47 As, InP hall effect devices for highly sensitive magnetic field sensors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kyburz, Rainer (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Mikrofilm Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1993
Ausgabe:[Mikrofiche-Ausg.]
Schlagworte:
Beschreibung:IV, 150 Bl.

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