Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InAlAs InGaAs InP HEMT-Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Bergamaschi, Crispino Enrico (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Mikrofilm Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1994
Ausgabe:[Mikrofiche-Ausg.]
Schlagworte:
Beschreibung:IV, 144 Bl.

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