Karthaus, E. (1991). Kristallwachstum von GeSi-Legierungen beim Bridgman-Verfahren. Forschungszentrum Jülich, Inst. für Festkörperforschung.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Karthaus, Engelbert. Kristallwachstum Von GeSi-Legierungen Beim Bridgman-Verfahren. Jülich: Forschungszentrum Jülich, Inst. für Festkörperforschung, 1991.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Karthaus, Engelbert. Kristallwachstum Von GeSi-Legierungen Beim Bridgman-Verfahren. Forschungszentrum Jülich, Inst. für Festkörperforschung, 1991.
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