Kristallwachstum von GeSi-Legierungen beim Bridgman-Verfahren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Karthaus, Engelbert (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Jülich Forschungszentrum Jülich, Inst. für Festkörperforschung 1991
Schlagworte:
Beschreibung:151 S. Ill., graph. Darst.

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