The influence of process induced defects on electrical properties of silicon junctions:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Andersson, Gert I. (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: Göteborg 1992
Schriftenreihe:Doktorsavhandlingar vid Chalmers Tekniska Högskola N.F.,844
Schlagworte:
Beschreibung:Getr. Zählung Ill., graph. Darst.
ISBN:9170326754

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!