Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1987
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 11 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV024275150 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20090910 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 090924s1987 m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)916047026 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV024275150 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e pi | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-83 | ||
| 100 | 1 | |a Emeis, Norbert |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente |c Norbert Emeis |
| 264 | 1 | |c 1987 | |
| 300 | |a 11 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1987 | ||
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 940 | 1 | |q TUB-n | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018176457 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804140151240130560 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Emeis, Norbert |
| author_facet | Emeis, Norbert |
| author_role | aut |
| author_sort | Emeis, Norbert |
| author_variant | n e ne |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV024275150 |
| ctrlnum | (OCoLC)916047026 (DE-599)BVBBV024275150 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00853nam a2200277 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV024275150</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20090910 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">090924s1987 m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)916047026</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV024275150</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">pi</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Emeis, Norbert</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente</subfield><subfield code="c">Norbert Emeis</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1987</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">11 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1987</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">TUB-n</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018176457</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV024275150 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T21:55:25Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018176457 |
| oclc_num | 916047026 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-83 |
| owner_facet | DE-83 |
| physical | 11 S. |
| psigel | TUB-n |
| publishDate | 1987 |
| publishDateSearch | 1987 |
| publishDateSort | 1987 |
| record_format | marc |
| spelling | Emeis, Norbert Verfasser aut Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente Norbert Emeis 1987 11 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1987 (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| spellingShingle | Emeis, Norbert Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente |
| subject_GND | (DE-588)4113937-9 |
| title | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente |
| title_auth | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente |
| title_exact_search | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente |
| title_full | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente Norbert Emeis |
| title_fullStr | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente Norbert Emeis |
| title_full_unstemmed | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente Norbert Emeis |
| title_short | Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystems InP Ga c, 47 In c, 53 As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente |
| title_sort | isoelektronische dotierung des halbleitersystems inp ga c 47 in c 53 as und deren einfluß auf die eigenschaften bipolarer bauelemente |
| topic_facet | Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT emeisnorbert isoelektronischedotierungdeshalbleitersystemsinpgac47inc53asunddereneinflußaufdieeigenschaftenbipolarerbauelemente |