AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und -Modulatoren:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1996
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Fortschritt-Berichte VDI
Reihe 9, Elektronik ; 227 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | VIII, 168 S. Ill., graph. Darst. |
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