Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger: der 'Hot-Electron'-Effekt
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1988
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Fortschritt-Berichte VDI
9 ; 81 |
| Schlagworte: | |
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