Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1995
|
| Ausgabe: | Als Ms. Gedr. |
| Schriftenreihe: | Fortschritt-Berichte VDI
Reihe 9, Elektronik ; 210 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | VII, 182 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3183210096 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV024122951 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20090910 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 951215s1995 ad|| ma|| 00||| und d | ||
| 015 | |a 95,A50,0991 |2 dnb | ||
| 016 | 7 | |a 94.551645.2 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3183210096 |9 3-18-321009-6 | ||
| 035 | |a (OCoLC)75628405 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV024122951 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-83 | ||
| 084 | |a UP 3100 |0 (DE-625)146372: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Aller, Ingo |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P |c Ingo Aller |
| 250 | |a Als Ms. Gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Düsseldorf |b VDI-Verl. |c 1995 | |
| 300 | |a VII, 182 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik |v 210 | |
| 502 | |a Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss. | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumphosphid |0 (DE-588)4155879-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Plasma |0 (DE-588)4046249-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Indiumphosphid |0 (DE-588)4161535-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Epitaxie |0 (DE-588)4152545-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Epitaxie |0 (DE-588)4152545-0 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Plasma |0 (DE-588)4046249-3 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Indiumphosphid |0 (DE-588)4161535-9 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Galliumphosphid |0 (DE-588)4155879-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Fortschritt-Berichte VDI |v Reihe 9, Elektronik ; 210 |w (DE-604)BV047505631 |9 210 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018339673 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804140310632071168 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Aller, Ingo |
| author_facet | Aller, Ingo |
| author_role | aut |
| author_sort | Aller, Ingo |
| author_variant | i a ia |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV024122951 |
| classification_rvk | UP 3100 |
| ctrlnum | (OCoLC)75628405 (DE-599)BVBBV024122951 |
| discipline | Physik |
| edition | Als Ms. Gedr. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01666nam a2200457 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV024122951</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20090910 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">951215s1995 ad|| ma|| 00||| und d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">95,A50,0991</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">94.551645.2</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3183210096</subfield><subfield code="9">3-18-321009-6</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75628405</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV024122951</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Aller, Ingo</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P</subfield><subfield code="c">Ingo Aller</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. Gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI-Verl.</subfield><subfield code="c">1995</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VII, 182 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik</subfield><subfield code="v">210</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4155879-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Plasma</subfield><subfield code="0">(DE-588)4046249-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Indiumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161535-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Epitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4152545-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Epitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4152545-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Plasma</subfield><subfield code="0">(DE-588)4046249-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Indiumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161535-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Galliumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4155879-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Fortschritt-Berichte VDI</subfield><subfield code="v">Reihe 9, Elektronik ; 210</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">210</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018339673</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV024122951 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T21:57:57Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3183210096 |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-018339673 |
| oclc_num | 75628405 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-83 |
| owner_facet | DE-83 |
| physical | VII, 182 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1995 |
| publishDateSearch | 1995 |
| publishDateSort | 1995 |
| publisher | VDI-Verl. |
| record_format | marc |
| series | Fortschritt-Berichte VDI |
| series2 | Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik |
| spelling | Aller, Ingo Verfasser aut Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P Ingo Aller Als Ms. Gedr. Düsseldorf VDI-Verl. 1995 VII, 182 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik 210 Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss. Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 gnd rswk-swf Plasma (DE-588)4046249-3 gnd rswk-swf Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd rswk-swf Epitaxie (DE-588)4152545-0 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Epitaxie (DE-588)4152545-0 s Plasma (DE-588)4046249-3 s Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 s Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 s DE-604 Fortschritt-Berichte VDI Reihe 9, Elektronik ; 210 (DE-604)BV047505631 210 |
| spellingShingle | Aller, Ingo Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P Fortschritt-Berichte VDI Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 gnd Plasma (DE-588)4046249-3 gnd Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd Epitaxie (DE-588)4152545-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4155879-0 (DE-588)4046249-3 (DE-588)4161535-9 (DE-588)4152545-0 (DE-588)4113937-9 |
| title | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P |
| title_auth | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P |
| title_exact_search | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P |
| title_full | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P Ingo Aller |
| title_fullStr | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P Ingo Aller |
| title_full_unstemmed | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P Ingo Aller |
| title_short | Die plasmaunterstützte Feststoff-Epitaxie: Untersuchungen am Beispiel des Materialsystems In(Ga)P |
| title_sort | die plasmaunterstutzte feststoff epitaxie untersuchungen am beispiel des materialsystems in ga p |
| topic | Galliumphosphid (DE-588)4155879-0 gnd Plasma (DE-588)4046249-3 gnd Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd Epitaxie (DE-588)4152545-0 gnd |
| topic_facet | Galliumphosphid Plasma Indiumphosphid Epitaxie Hochschulschrift |
| volume_link | (DE-604)BV047505631 |
| work_keys_str_mv | AT alleringo dieplasmaunterstutztefeststoffepitaxieuntersuchungenambeispieldesmaterialsystemsingap |