Ein Beitrag zur Modellierung von MOSFETs für Hochfrequenzanwendungen:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Tian, Feng (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Berlin dissertation.de 2006
Ausgabe:Als Ms. gedr.
Schlagworte:
Beschreibung:III, 145 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:3866241240

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