GaN-basiernde Feldeffekttransistoren für die Hochtemperatur- und Hochleistungselektronik:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2002
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| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | III, 173 S. Ill., graph. Darst. 21 cm |
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