Verfügbarkeit: Bauelemente und Grundschaltungen der Mikroelektronik

Bauelemente und Grundschaltungen der Mikroelektronik: Lehrbuch.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	München Pflaum 1991
Ausgabe:	6., vollst. überarb. Aufl.
Schriftenreihe:	HPI-Fachbuchreihe Elektronik/Mikroelektronik
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	583 S. 696 graph. Darst. 24 cm
ISBN:	3790505854

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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS VORWORT . 5 1 HALBLEITERDIODEN . 17 1.1 ALLGEMEINES . 17 1.2 HALBLEITERPHYSIK . 19 1.2.1 HALBLEITERWERKSTOFFE . 19 1.2.2 EIGENLEITFAEHIGKEIT . 23 1.2.3 DOTIERTE HALBLEITER . 26 1.2.3.1 STOERSTELLENLEITFAEHIGKEIT . 26 1.2.3.2 N-HALBLEITER . 27 1.2.3.3 P-HALBLEITER . 28 1.2.4 PN-UEBERGANG . 29 1.2.4.1 HERSTELLUNG EINES PN-UEBERGANGES . 29 1.2.4.2 PN-UEBERGANG OHNE ANGELEGTE SPANNUNG . 29 1.2.4.3 PN-UEBERGANG IN DURCHLASSRICHTUNG . 31 1.2.4.4 PN-UEBERGANG IN SPERRICHTUNG . 32 1.3 GLEICHRICHTER-UND SCHALTDIODEN . 34 1.3.1 KENNLINIEN . 34 1.3.2 KENNWERTE . 37 1.3.2.1 GRENZDATEN . 37 1.3.2.2 KENNDATEN . 40 1.3.2.3 TEMPERATURABHAENGIGKEIT . 45 1.3.3 CHARAKTERISTISCHE EIGENSCHAFTEN VON SI-, GE-UND SE-DIODEN . 51 1.3.4 KENNZEICHNUNG VON DIODEN . 52 1.3.4.1 KENNZEICHNUNG NACH JEDEC . 52 1.3.4.2 KENNZEICHNUNG NACH PRO ELECTRON . 52 1.4 ANWENDUNGSBEISPIELE FUER GLEICHRICHTER-UND SCHALTDIODEN . 54 1.4.1 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN . 55 1.4.1.1 EINPULS-MITTELPUNKT-SCHALTUNG . 55 1.4.1.2 ZWEIPULS-SCHALTUNGEN . 61 1.4.1.3 SIEBUNG DER AUSGANGSSPANNUNG . 67 1.4.1.4 SPANNUNGSVERDOPPLER-UND SPANNUNGSVERVIELFACHERSCHALTUNGEN . 70 1.4.2 DIODENSCHALTER . 73 1.4.2.1 GRUNDPRINZIP . 73 1.4.2.2 LOGISCHE VERKNUEPFUNGEN . 76 1.4.2.3 BEGRENZERSCHALTUNGEN . 78 1.5 Z-DIODEN . 80 1.5.1 GRUNDPRINZIP UND ARBEITSWEISE . 80 INHALTSVERZEICHNIS 1.5.2 KENNWERTE . 82 1.5.2.1 KENNLINIEN . 82 1.5.2.2 SPANNUNGSBEREICHE . 84 1.5.2.3 TEMPERATURABHAENGIGKEIT . 85 1.5.2.4 DIFFERENTIELLER WIDERSTAND R Z . 88 1.5.2.5 KENN-UND GRENZDATEN . 89 1.5.3 BEISPIELE FUER ORIGINAL-DATENBLAETTER . 90 1.5.4 ANWENDUNGSBEISPIELE . 94 1.5.4.1 SPANNUNGSSTABILISIERUNG . 94 1.5.4.2 SPANNUNGSBEGRENZUNG . 100 1.6 KAPAZITAETSDIODEN . 102 1.6.1 GRUNDPRINZIP UND ARBEITSWEISE . 102 1.6.2 KENNWERTE . 103 1.6.3 ANWENDUNGSBEISPIEL . 107 1.7 SCHOTTKY-DIODEN . 107 2 BIPOLARE TRANSISTOREN . 111 2.1 ALLGEMEINES . 111 2.2 GRUNDPRINZIP . 114 2.2.1 WIRKUNGSWEISE VON NPN-UND PNP-TRANSISTOREN . 114 2.2.2 GEGENUEBERSTELLUNG VON GE-UND SI-TRANSISTOREN . 118 2.3 KENNLINIEN . 118 2.3.1 EINGANGSKENNLINIE . 119 2.3.2 STROMVERSTAERKUNGSKENNLINIE . 120 2.3.3 AUSGANGSKENNLINIE . 121 2.3.4 STEUERKENNLINIE . 122 2.4 KENNWERTE . 123 2.4.1 ALLGEMEINES . 123 2.4.2 GRENZDATEN . 124 2.4.2.1 GRENZWERTE FUER SPANNUNGEN UND STROEME . 124 2.4.2.2 GRENZWERTE FUER DIE VERLUSTLEISTUNG . 125 2.4.2.3 GRENZWERTE FUER DIE SPERRSCHICHTTEMPERATUR . 126 2.4.2.4 GRENZWERTE FUER DIE UMGEBUNGSTEMPERATUR & U . 126 2.4.2.5 ZULAESSIGER ARBEITSBEREICH . 127 2.4.3 KENNDATEN . 128 2.5 TRANSISTORAUSFUEHRUNGEN . 132 2.5.1 TRANSISTORARTEN . 132 2.5.2 BEZEICHNUNGSSCHEMA FUER HALBLEITER . 132 2.6 EINSTELLUNG UND STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES . 134 2.6.1 BESTIMMUNG DES KOLLEKTORWIDERSTANDES R C . 134 8 INHALTSVERZEICHNIS 2.6.2 ERZEUGUNG DER BASISVORSPANNUNG . 137 2.6.3 THERMISCHE ARBEITSPUNKTSTABILISIERUNG . 139 2.6.3.1 STABILISIERUNG DURCH NTC-WIDERSTAND . 139 2.6.3.2 STABILISIERUNG DURCH EMITTERWIDERSTAND . 140 2.6.3.3 STABILISIERUNG DURCH SPANNUNGSGEGENKOPPLUNG . 143 2.7 TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGEN . 144 2.7.1 EMITTERSCHALTUNG . 145 2.7.2 KOLLEKTORSCHALTUNG . 149 2.7.3 ZUSAMMENFASSUNG UND GEGENUEBERSTELLUNG . 154 2.8 ANWENDUNGSBEISPIELE . 155 2.8.1 GLEICHSPANNUNGSVERSTAERKER . 155 2.8.2 WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER . 158 2.8.3 LEISTUNGSVERSTAERKER . 165 2.8.4 SCHALTVERSTAERKER . 171 3 FELDEFFEKT-TRANSISTOREN . 181 3.1 ALLGEMEINES . 181 3.2 SPERRSCHICHT-FETS . 184 3.2.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE . 184 3.2.2 BEZEICHNUNGEN UND SCHALTZEICHEN . 185 3.2.3 KENNLINIEN . 186 3'2.3.1 STEUER UND UEBERTRAGUNGSKENNLINIE . 186 3.2.3.2 AUSGANGSKENNLINIE . 187 3.2.3.3 TEMPERATURABHAENGIGKEIT . 190 3.2.4 KENNWERTE . 191 3.2.4.1 GRENZDATEN . 191 3.2.4.2 KENNDATEN . 193 3.2.4.3 WAERMEWIDERSTAND . 199 3.3 MOS-FETS . 199 3.3.1 SELBSTLEITENDE MOS-FETS . 200 3.3.1.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE . 200 3.3.1.2 BEZEICHNUNGEN UND SCHALTZEICHEN . 201 3.3.1.3 KENNLINIEN . 201 3.3.2 SELBSTSPERRENDE MOS-FETS . 204 3.3.2.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE . 204 3.3.2.2 BEZEICHNUNGSWEISE UND SCHALTZEICHEN . 205 3.3.2.3 KENNLINIEN . 206 3.3.3 KENNWERTE . 207 3.3.3.1 GRENZDATEN . 207 3.3.3.2 KENNDATEN . 207 3.3.3.3 WAERMEWIDERSTAND . 209 3.3.4 GEGENUEBERSTELLUNG . 209 9 INHALTSVERZEICHNIS 3.4 MOS-FET-SONDERBAUFORMEN . 210 3.4.1 DUAL-GATE-MOS-FET . 210 3.4.2 VMOS-FET . 212 3.4.3 SIPMOS-FET . 214 3.5 EINSTELLUNG DES ARBEITSPUNKTES . 216 3.6 FET-GRUNDSCHALTUNGEN . 220 3.6.1 SOURCESCHALTUNG . 221 3.6.2 DRAINSCHALTUNG . 224 3.6.3 ZUSAMMENFASSUNG UND GEGENUEBERSTELLUNG . 228 3.7 ANWENDUNGSBEISPIELE . 229 3.7.1 WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER . 229 3.7.2 GLEICHSPANNUNGSVERSTAERKER . 232 3.7.3 KONSTANTSTROMQUELLE . 234 3.7.4 STEUERBARER WIDERSTAND . 235 4 OPERATIONSVERSTAERKER . 237 4.1 ALLGEMEINES . 237 4.2 GRUNDPRINZIP UND KENNWERTE VON OPERATIONSVERSTAERKERN . 239 4.2.1 SCHALTUNGSTECHNISCHES GRUNDPRINZIP VON OPERATIONSVERSTAERKERN . 239 4.2.2 KENNWERTE UND BAUFORMEN . 244 4.3 GRUNDLAGEN DER OPERATIONSVERSTAERKER . 246 4.3.1 EINGANGS UND AUSGANGSSPANNUNGEN . 246 4.3.2 DER KOMPARATOR . 247 4.3.3 DER INVERTIERENDE VERSTAERKER . 249 4.3.4 DER NICHT-INVERTIERENDE VERSTAERKER . 252 4.3.5 KOMPENSATION VON STOERGROESSEN . 254 4.3.5.1 KOMPENSATION DER EINGANGSRUHESTROEME . 254 4.3.5.2 KOMPENSATION DER OFFSETSPANNUNG . 256 4.3.5.3 KOMPENSATION DES FREQUENZGANGES . 258 4.3.5:4 ANSTIEGSGESCHWINDIGKEIT DER AUSGANGSSPANNUNG . 259 4.4 OPERATIONSVERSTAERKER MIT FREQUENZUNABHAENGIGER GEGENKOPPLUNG . 260 4.4.1 DER UMKEHRVERSTAERKER . 261 4.4.1.1 GRUNDPRINZIPDESUMKEHRVERSTAERKERS . 261 4.4.1.2 ANWENDUNGSBEISPIEL . 262 4.4.2 DER ELEKTROMETERVERSTAERKER . 263 4.4.2.1 GRUNDPRINZIP DES ELEKTROMETERVERSTAERKERS . 263 4.4.2.2 DER SPANNUNGSFOLGER . 263 4.4.2.3 ANWENDUNGSBEISPIELE . 264 4.4.3 DER ADDIERER . 267 4.4.3.1 GRUNDPRINZIP DES ADDIERERS . 267 4.4.3.2 ANWENDUNGSBEISPIEL . 268 10 INHALTSVERZEICHNIS 4.4.4 DER SUBTRAHIERER . 269 4.4.4.1 GRUNDPRINZIP DES SUBTRAHIERERS . 269 4.4.4.2 ANWENDUNGSBEISPIEL . 271 4.5 OPERATIONSVERSTAERKER MIT FREQUENZABHAENGIGER GEGENKOPPLUNG . 272 4.5.1 DER INTEGRATOR . 272 4.5.2 DER DIFFERENZIERER . 274 4.5.3 WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER . 276 4.5.3.1 GRUNDPRINZIP DES WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKERS MIT FREQUENZ ABHAENGIGER GEGENKOPPLUNG 276 4.5.3.2 ANWENDUNGSBEISPIELE . 277 4.5.4 FILTER . 279 4.5.4.1 AKTIVER TIEFPASS . 279 4.5.4.2 AKTIVER HOCHPASS . 280 4.6 OPERATIONSVERSTAERKER MIT LEISTUNGSENDSTUFE . 281 4.6.1 LEISTUNGSENDSTUFE MIT TRANSISTOREN . 281 4.6.2 OPERATIONSVERSTAERKER MIT INTEGRIERTER LEISTUNGSENDSTUFE . 282 5 SENSOREN . 285 5.1 ALLGEMEINES . 285 5.2 VARISTOREN . 287 5.2.1 GRUNDPRINZIP UND KENNLINIEN . 287 5.2.2 ANWENDUNGSBEISPIELE . 290 5.3 TEMPERATURSENSOREN . 291 5.3.1 WIDERSTANDSMESSFUEHLER . 292 5.3.1.1 GRUNDPRINZIP UND AUFBAU . 292 5.3.1.2 ANWENDUNGSBEISPIELE UND AUSWAHLKRITERIEN . 295 5.3.2 THERMISTOREN . 296 5.3.2.1 NTC-WIDERSTAENDE (HEISSLEITER) . 296 5.3.2.2 PTC-WIDERSTAENDE (KALTLEITER) . 308 5.3.3 SILIZIUM-TEMPERATURSENSOREN . 318 5.3.3.1 GRUNDPRINZIP UND KENNLINIE . 318 5.3.3.2 KENNLINIENKORREKTUR . 319 5.3.3.3 KENNWERTE UND AUSFUEHRUNGSFORMEN . 321 5.3.3.4 ANWENDUNGSBEISPIEL . 322 5.3.4 INTEGRIERTE TEMPERATURSENSOREN . 323 5.4 MAGNETFELDABHAENGIGE SENSOREN . 325 5.4.1 MAGNETORESISTIVE SENSOREN . 326 5.4.1.1 GRUNDPRINZIP UND ARBEITSWEISE . 326 5.4.1.2 KENNLINIEN UND KENNWERTE . 328 5.4.1.3 BAUFORMEN UND ANWENDUNGSBEREICHE . 329 11 INHALTSVERZEICHNIS 5.4.1.4 ANWENDUNGSBEISPIELE . 330 5.4.2 HALL-EFFEKT-SENSOREN . 331 5.4.2.1 GRUNDPRINZIP UND ARBEITSWEISE . 332 5.4.2.2 KENNLINIEN UND KENNWERTE . 333 5.4.2.3 BAUFORMEN UND ANWENDUNGSBEREICHE . 334 5.5 DEHNUNGSABHAENGIGE SENSOREN . 336 5.5.1 PIEZORESISITIVE SENSOREN . 337 5.5.1.1 WIDERSTANDS-DEHNUNGSMESSSTREIFEN . 337 5.5.1.2 HALBLEITER-DEHNUNGSMESSSTREIFEN . 341 5.5.2 PIEZOELEKTRISCHE SENSOREN . 344 5.5.2.1 GRUNDPRINZIP UND ARBEITSWEISE . 345 5.6 LICHTEMPFINDLICHE SENSOREN . 345 5.6.1 LICHTTECHNISCHE GRUNDGROESSEN . 346 5.6.2 LICHTEMPFINDLICHE FOTOHALBLEITER . 350 5.6.2.1 FOTOWIDERSTAND . 351 5.6.2.2 FOTOELEMENTE UND SOLARZELLEN . 355 5.6.2.3 FOTODIODEN . 362 5.6.2.4 FOTOTRANSISTOREN . 367 5.6.3 ANWENDUNGSBEISPIELE . 372 6 LICHTEMITTIERENDE FOTOHALBLEITER, LICHTWELLENLEITER UND ANZEIGEEINHEITEN . 377 6.1 ALLGEMEINES . 377 6.2 LICHTEMITTIERENDE FOTOHALBLEITER . 377 6.2.1 GRUNDPRINZIP . 377 6.2.2 LEUCHTDIODEN FUER SICHTBARES LICHT . 380 6.2.3 LEUCHTDIODEN FUER INFRAROTLICHT . 384 6.2.4 ANWENDUNGSBEISPIELE . 386 6.2.4.1 LEDS ALS SIGNALANZEIGE . 386 6.2.4.2 OPTOKOPPLER . 390 6.2.4.3 LICHTSCHRANKEN . 394 6.2.4.4 FERNSTEUERUNG MIT LICHT . 399 6.3 LICHTWELLENLEITER ZUR SIGNALUEBERTRAGUNG . 400 6.3.1 LICHTWELLENLEITER . 400 6.3.2 LEISTUNGS-LED UND LASERDIODE ALS STRAHLUNGSSENDER . 403 6.3.2.1 LEISTUNGS-LED . 404 6.3.2.2 LASERDIODE . 405 6.3.3 PIN-FOTODIODE UND FOTOTRANSISTOR ALS STRAHLUNGSEMPFAENGER . 406 6.3.4 ANWENDUNGSBEISPIELE . 408 6.4 ANZEIGEEINHEITEN . 411 6.4.1 LED-ANZEIGEN . 411 6.4.2 LCD-ANZEIGEN . 414 6.4.3 VAKUUM-FLUORESZENZ-ANZEIGEN . 417 12 INHALTSVERZEICHNIS 7 LOGISCHE SCHALTUNGEN UND SIGNALSPEICHER . 418 7.1 ALLGEMEINES . 418 7.2 GRUNDFUNKTIONEN DER LOGISCHEN VERKNUEPFUNGEN . 419 7.2.1 DIE UND-VERKNUEPFUNG (KONJUNKTION) . 421 7.2.2 DIE ODER-VERKNUEPFUNG (DISJUNKTION) . 423 7.2.3 DIE NICHT-VERKNUEPFUNG (NEGATION) . 425 7.2.4 DIE NAND-VERKNUEPFUNG . 425 7.2.5 DIE NOR-VERKNUEPFUNG . 427 7.2.6 DIE EXCLUSIV-ODER-VERKNUEPFUNG . 428 7.2.7 DIE AEQUIVALENZ-VERKNUEPFUNG . 429 7.3 SCHALTUNGSTECHNIK LOGISCHER VERKNUEPFUNGSELEMENTE . 430 7.3.1 SCHALTZEITEN UND SIGNALPEGEL . 430 7.3.2 SCHALTUNGSFAMILIEN . 434 7.3.2.1 TTL-FAMILIEN . 435 7.3.2.2 CMOS-FAMILIEN . 439 7.3.2.3 GEGENUEBERSTELLUNG DER SCHALTUNGSFAMILIEN . 444 7.3.3 BELASTUNGSFAELLE VON TTL UND CMOS-BAUSTEINEN . 445 7.3.4 OPEN-COLLECTOR-UND TRI-STATE-AUSGAENGE . 451 7.3.4.1 BAUSTEINE MIT OPEN-COLLECTOR-AUSGAENGEN . 451 7.3.4.2 BAUSTEINE MIT TRI-STATE-AUSGAENGEN . 456 7.4 ANALYSE LOGISCHER SCHALTNETZE . 457 7.4.1 ERMITTLUNG DER VOLLSTAENDIGEN WAHRHEITSTABELLE . 457 7.4.2 ERMITTLUNG DER FUNKTIONSGLEICHUNG . 459 7.4.3 ERMITTLUNG DES SIGNAL-ZEIT-PLANES . 461 7.4.4 ERMITTLUNG DER SYMBOLISCHEN DARSTELLUNG EINES SCHALTNETZES AUS DEM VERDRAHTUNGSPLAN . 463 7.4.5 UMWANDLUNG VON GRUNDVERKNUEPFUNGEN IN NAND UND NOR-VERKNUEPFUNGEN . 464 7.5 SYNTHESE LOGISCHER SCHALTNETZE . 472 7.5.1 SYNTHESE AUFGRUND EINER VORGEGEBENEN FUNKTIONSGLEICHUNG . 473 7.5.2 SYNTHESE AUFGRUND EINER VORGEGEBENEN WAHRHEITSTABELLE . 475 7.5.2.1 AUFSTELLEN DER ODER-NORMALFORM . 475 7.5.2.2 AUFSTELLEN DER UND-NORMALFORM . 477 7.5.2.3 GLEICHWERTIGKEIT VON ODER-NORMALFORM UND UND-NORMALFORM . 479 7.5.3 SYNTHESE AUFGRUND EINER BESCHREIBUNG DER AUFGABENSTELLUNG IN WORTEN 481 7.5.4 ANWENDUNGSBEISPIEL . 483 7.6 VEREINFACHUNG LOGISCHER SCHALTNETZE MIT HILFE VON KV-TAFELN . 488 7.6.1 AUFSTELLEN VON KV-TAFELN . 489 7.6.2 ZUSAMMENFASSEN VON FELDERN IN KV-TAFELN . 490 7.6.3 ABLAUFPLAN FUER DAS VEREINFACHEN LOGISCHER SCHALTNETZE MIT HILFE VON KV-TAFELN . 493 7.6.4 ANWENDUNGSBEISPIELE . 494 7.7 SIGNALSPEICHER . 500 7.7.1 RS-KIPPGLIEDER . 501 13 INHALTSVERZEICHNIS 7.7.1.1 RS-KIPPGLIEDER AUS NOR UND NAND-GLIEDERN . 503 7.7.1.2 RS-KIPPGLIEDER DER TTL-SERIE 74XX . 506 7.7.1.3 ANWENDUNGSBEISPIELE . 508 7.7.2 D-KIPPGLIEDER . 512 7.7.2.1 D-KIPPGLIEDER MIT STATISCHER ANSTEUERUNG . 512 7.7.2.2 D-KIPPGLIEDER MIT FLANKENSTEUERUNG . 514 7.7.2.3 D-KIPPGLIEDER MIT FLANKENSTEUERUNG UND R-S-EINGAENGEN . 516 7.7.2.4 D-KIPPGLIEDER DER TTL-SERIE 74XX UND DER CMOS-SERIE 40XX . 516 7.2.2.5 ANWENDUNGSBEISPIEL . 518 7.7.3 JK-KIPPGLIEDER . 519 7.7.3.1 JK-KIPPGLIEDER MIT EINFLANKENSTEUERUNG . 520 7.7.3.2 JK-KIPPGLIEDER MIT ZWEIFLANKENSTEUERUNG . 521 7.7.3.3 JK-KIPPGLIEDER DER TTL-SERIE 74XX UND DER CMOS-SERIE 40XX . 522 7.7.3.4 ANWENDUNGSBEISPIEL . 525 8 THYRISTOREN . 527 8.1 ALLGEMEINES . 527 8.2 EINRICHTUNGS-THYRISTORTRIODEN (THYRISTOREN) . 529 8.2.1 TECHNOLOGISCHER AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE . 529 8.2.2 ZUENDUNG VON THYRISTOREN . 531 8.2.3 DURCHLASSVERHALTEN VON THYRISTOREN . 534 8.2.4 LOESCHEN VON THYRISTOREN . 535 8.2.5 KENNWERTE . 537 8.2.5.1 KENNDATEN . 537 8.2.5.2 GRENZDATEN . 538 8.2.5.3 VERLUSTLEISTUNG . 539 8.2.5.4 THERMISCHE KENNWERTE . 540 8.2.5.5 DYNAMISCHE KENNWERTE . 542 8.2.6 SCHUTZMASSNAHMEN . 543 8.2.6.1 UEBERSTROMSCHUTZ . 543 8.2.6.2 UEBERSPANNUNGSSCHUTZ . 544 8.2.7 GEHAEUSEFORMEN UND KENNZEICHNUNG VON THYRISTOREN . 545 8.2.7.1 GEHAEUSEFORMEN . 545 8.2.7.2 KENNZEICHNUNG . 547 8.3 ZWEIRICHTUNGS-THYRISTORTRIODEN (TRIACS) . 547 8.3.1 TECHNOLOGISCHER AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE . 547 8.3.2 KENNWERTE . 550 8.3.3 SCHUTZMASSNAHMEN . 551 8.3.4 GEHAEUSEFORMEN UND KENNZEICHNUNG VON TRIACS . 551 8.4 ZUENDVERFAHREN . 552 8.4.1 THYRISTORBETRIEB MIT GLEICHSPANNUNGSZUENDUNG . 552 8.4.2 THYRISTORBETRIEB MIT WECHSELSPANNUNGSZUENDUNG . 553 14 INHALTSVERZEICHNIS 8.4.3 IMPULSZUENDUNG . 554 8.4.3.1 IMPULSZUENDUNG MIT EINRICHTUNGS-THYRISTORDIODEN . 555 8.4.3.2 IMPULSZUENDUNG MIT ZWEIRICHTUNGS-THYRISTORDIODEN . 557 8.4.3.3 IMPULSZUENDUNG MIT INTEGRIERTEN SCHALTUNGEN . 558 8.5 ANWENDUNGEN . 560 8.5.1 PHASENANSCHNITTSTEUERUNG . 560 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