Fundamentals of silicon integrated device technology: 1. Oxidation, diffusion and epitaxy
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Englewood Cliffs, N.J. Prentice-Hall [1967]
Schlagworte:
Beschreibung:XIV, 345 S. Ill., graph.Darst.

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