Transistoren und Thyristoren: Grundlagen und Anwendung
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Verl. Technik
1977
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | ElektronischejFestkörperbauelemente
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 480 S. Ill |
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Datensatz im Suchindex
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INHALTSVERZEICHNIS
SCHREIBWEISE UND FORMELZEICHEN DER WICHTIGSTEN GROESSEN
............................... 13
1.1.1. TRAEGERDICHTE UND STROEME
............................................... 30
1.1.2. KENNLINIENDARSTELLUNG
.................................................. 41
1.1.3. ABGRENZUNG DES AUSNUTZBAREN KENNLINIENBEREICHS
......................... 52
1.1.4. AEUSSERER TRANSISTOR
.................................................... 58
1.2. KLEINSIGNALVERHALTEN
........................................................ 61
1.2.1. NIEDERFREQUENZPARARNETER . HYBRIDPARAMETER DES I ~ E R E N
TRANSISTORS ......... 62 1.2.2. FREQUENZVERHALTEN DES INNEREN
TRANSISTORS ............................... 71
1.2.3. ERSATZSCHALTUNGEN
..................................................... 81
1.2.4. AEUSSERE VIERPOLPARAMETER
.............................................. 84
1.2.5. ORTSKURVEN*
.......................................................... 86
1.2.6. GRENZFREQUENZEN
...................................................... 90
1.2.7. ANSCHAULICHE HERLEITUNG DER TRANSISTORERSATZSCHALTUNG
..................... 95 1.2.8. NICHTLINEARES VERHALTEN
................................................ 100
1.3. IMPULS- UND SCHALTVERHALTEN
.................................................. 107
1.3.1. TRANSISTOR ALS STATISCHER SCHALTER
......................................... 108
1.3.2. DYNAMISCHES VERHALTEN . LADUNGSSTEUERTHEORIE
............................. 117
1.3.3. SCHALTZEITFAKTOREN
..................................................... 128
1.3.4. LADUNGSSTEUERTHEORIE MIT AUFGETEILTER BASISLADUNG
.......................... 135
1.3.5. TRANSISTORMODELL FUER DEN RECHNERGESTUETZTEN SCHALTUNGSENTWURF
.............. 141
1.4. THERMISCHE PROBLEME
....................................................... 143
1.4.1. TEMPERATURKOEFFIZIENTEN
............................................... 144
1.4.2. THERMISCHER WIDERSTAND
............................................... 149
1.4.3. NICHTISOTHERME NIEDERFREQUENZVIERPOLPARAMETER . MITLAUFEFFEKT
.............. 149 1.4.4. THERMISCHE STABILITAET UND STABILISIERUNG
................................. 154
1.5. RAUSCHEN
................................................................ 161
1.5.1. RAUSCHURSACHEN . RAUSCHERSATZSCHALTUNG
................................. 163
1.5.2.RAUSCHZAHL
.......................................................... 166
1.6.1. BAU- UND HERSTELLUNGSFORRNEN
........................................... 172
1.6.2. MULTIEMITTER- UND MULTIKOLLEKTORTRANSISTOR
................................ 180
1.6.3. UNIJUNCTIONTRANSISTOR
.................................................. 182
1.7. ANWENDUNGEN
.............................................................. 188
1.7.1. ANALOGSCHALTUNGEN
.................................................... 192
1.7.2. DIGITALSCHALTUNGEN
.................................................... 206
WIEDERHOLUNGSFRAGEN
........................................................... 212
IMAGE 2
10 INHALTSVERZEICHNIS
2 . PNPN.. PNPNPANORDNUNGEN . THYRISTOREN . STEUERBARE UND
NICHTSTEUERBARE VIER- UND FUENF..CHICHTELEMENTE..
....................................................... 215
2.1. STATISCHES VERHALTEN
......................................................... 221
2.1.1. KENNLINIEN
........................................................... 221
2.1.2. REALE KENNLINIEN
..................................................... 230
2.1.3. ZUENDMECHANISMEN ................................... :
................. 233
2.2. SCHALTVERHALTEN . DYNAMISCHE VORGAENGE
........................................ 237
2.2.1. EINSCHALTVORGANG
..................................................... 238
2.2.2. AUSSCHALTVORGANG
..................................................... 246
2.2.3. QUANTITATIVE BETRACHTUNG DES EINSCHALTVERHALTENS*
......................... 252
2.3. GRENZBELASTUNGEN
.......................................................... 255
2.3.1. KENNWERTE . GRENZWERTE . UEBERLASTBARKEIT
................................. 256
2.3.2. VERLUSTLEISTUNG UND TEMPERATUR
......................................... 258
2.3.3. PHYSIKALISCH-KONSTRUKTIVE GRENZEN DES THYRISTORS*
........................ 260
2.4. VIERSCHICHT- UND FUENFSCHICHTBAUELEMENTE
...................................... 263
2.4.1. VIERSCHICHTDIODE
...................................................... 264
2.4.2. VIERSCHICHTELEMENTE MIT EINER STEUERELEKTRODE
............................. 268
2.4.3. VIERSCHICHTELEMENTE MIT ZWEI STEUERELEKTRODEN
............................ 272
2.4.4. FUENFSCHICHTDIODE*
.................................................... 274
2.4.5. FUENFSCHICHTELEMENTE MIT EINER STEUERELEKTRODE*
............................ 274
2.5. ANWENDUNGSPROBLEME VON THYRISTOREN
........................................ 276
2.5.1. ZUENDSCHALTWIGEN
...................................................... 276
2.5.2. AUSSCHALTEN DES THYRISTORS
............................................. 282
2.5.3. HAUPTANWENDUNGEN
................................................... 283
3.1. KENNLINIEN
................................................................ 294
3.1 . 1. VEREINFACHTE DARSTELLUNG . SYMMETRISCHER SFET
........................... 294
3.2. KLEINSIGNALVERHALTEN
........................................................ 298
3.2.1. NIEDERFREQUENZ-VIERPOLPARAMETER
....................................... 298
3.2.2. FREQUENZVERHAL TEN . MITTELFREQUENZPARAMETER
.............................. 301
3.3. SCHALT- UND IMPULSVERHALTEN*
................................................. 306
3.3.1. DYNAMISCHES VERHALTEN . INNERER TRANSISTOR
............................... 306
3.4. TEMPERATURVERHALTEN
........................................................ 311
3.4.1. TEMPERATURKOEFNZIENT
................................................. 311
3.5. RAUSCHEN
.................................................................. 315
3.5.1. PHYSIKALISCHE RAUSCHURSACHEN
........................................... 315
3.5.2. RAUSCHERSATZSCHDTUNG
................................................. 319
3.5.3. RAUSCHZAHL
.......................................................... 319
IMAGE 3
11 INHALTSVERZEICHNIS
3.6. BAUELEMENTE
............................................................... 321
3.6.1. HERSTELLUNGS- UND BAUFORMEN*
.......................................... 321
3.6.2. BAUELEMENTE AUF DER BASIS DES SFET-PRINZIPS
............................. 324
WIEDERHOLUNGSFRAGEN
............................................................ 331
4.1.KENNLINIEN
................................................................ 341
4.1 . 1. KENNLINIEN DES IDEALEN MIS-TRANSISTORS
.................................. 341
4.1.2. BESONDERE PHYSIKALISCHE EFFEKTE*
........................................ 348
4.1.3. SUBSTRATEINFLUSS . DOPPELSTEUERUNG
........................................ 351
4.1.4. GRENZEN IM KENNLINIENFELD
............................................. 358
4.2. KLEINSIGNALVERHALTEN
........................................................ 362
4.2.1. NIEDERFREQUENZLEITWERTPARAMETER
........................................ 362
4.2.2. MITTELFREQUENZPARAMETER
............................................... 367
4.2.3. HOCHFREQUENZPARAMETER
............................................... 375
4.2.4. NICHTLINEARES VERHALTEN*
............................................... 384
4.2.5. TRANSISTORMODELL FUER RECHNERGESTUETZTEN SCHALTUNGSENTWURF
.................. 385
4.3. SCHALT- UND IMPULSVERHALTEN
.................................................. 387
4.3.1. STATISCHES VERHALTEN
................................................... 387
4.3.2. DYNAMISCHES VERHALTEN . INNERER TRANSISTOR
............................... 389
4.3.3. DYNAMISCHES VERHALTEN . AEUSSERER TRANSISTOR
............................... 395
4.4. THERMISCHE PROBLEME
....................................................... 398
4.4.1. BETRIEBSTEMPERATUR
.................................................... 398
4.4.2. TEMPERATURKOEFFIZIENTEN
............................................... 398
4.5. RAUSCHEN
.................................................................. 402
4.5.1. PHYSIKALISCHE RAUSCHURSACHEN
.......................................... 402
4.5.2. RAUSCHERSATZSCHALTUNG ............................... :
................ 408
4.5.3.RAUSCHZAHL
.......................................................... 408
4.6. MIS-TRANSISTOR UND ABGELEITETE BAUELEMENTE
................................... 411
4.6.1. HERSTELLUNGS- UND BAUFORMEN
........................................... 411
4.6.2.MIS.TETRODEN
........................................................ 418
4.6.3. SPEICHER-MISFET
..................................................... 421
4.6.4. MIS-WANDLERFELDEFFEKTTRANSISTOREN*
..................................... 425
4.7. ANWENDUNGEN
............................................................. 430
4.7.1. ANALOGSCHALTUNGEN
.................................................... 432
4.7.2. DIGITALSCHALTUNGEN
.................................................... 442
4.7.3.SONDERANWENDUNGEN
.................................................. 455
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