Technologie und Charakterisierung von GaN-basierten Laserdioden:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Mensch-und-Buch-Verl.
c 2007
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| Schriftenreihe: | Physics
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|---|---|
| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS EINLEITUNG VUE 1 GRUNDLAGEN 1 1.1 DAS MATERIALSYSTEM
DER GRUPPE-III-NITRIDE 1 1.1.1 GITTEREIGENSCHAFTEN 1 1.1.2 TERNAERE
VERBINDUNGEN 3 1.1.3 CHEMISCHE STABILITAET 5 1.2 HALBLEITCRLASERDIODEN 6
1.2.1 PRINZIP DER LASINGS 6 1.2.2 AUFBAU EINER LASERDIODE 11 1.2.3 DIE
BREMER LASERDIODE 13 1.3 STAND DER FORSCHUNG 15 1.3.1 EINSATZGEBIETE VON
LEUCHT- UND LASERDIODEN 15 1.3.2 WEITERE ANWENDUNGSGEBIETE DES
MATERIALSYSTEMS 18 1.3.3 ZEITLICHE ENTWICKLUNG 19 1.3.4 TECHNOLOGIE 20
1.3.5 AUSSERINDUSTRIELLE LASER-FORSCHUNG 22 2 EXPERIMENTELLE METHODEN 25
2.1 WACHSTUM VON GAN 25 2.1.1 METALLORGANISCHE GASPHASEN EPITAXIE 26
2.1.2 HYDRIDGASPHASENEPITAXIE 29 2.2 TECHNOLOGIE 30 2.2.1
PHOTOLITHOGRAPHIE 30 2.2.2 CHEMISCH UNTERSTUETZES IONENSTRAHL-AETZEN 36
2.2.3 DEPOSITIONSVERFAHREN 40 2.2.4 RLLAPID THERMAL ANNEALING 42 SEITE
- IUE - GESCANNT DURCH BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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INHALTSVERZEICHNIS 5 CHARAKTERISIERUNG VON LASERDIODEN 123 5.1
AUSWIRKUNGEN DER SUBSTRATQUALITAET 124 5.1.1 DEFEKTDICHTE 124 5.1.2
BETRACHTUNGEN ZUR WAERMEGENERATION 130 5.2 STEIGERUNG DES
ELEKTRO-OPTISCHEN EINSCHLUSSES 135 5.2.1 HOEHE DER LASERRIPPE 136 5.2.2
DAUERSTRICHBETRIEB 138 5.2.3 ZUSAMMENFASSUNG 141 5.3 LEBENSDAUER- UND
DEGRADATIONSUNTERSUCHUNGEN 144 5.4 ZUAMMENFASSUNG 150 6 ZUSAMMENFASSUNG
153 LITERATURVERZEICHNIS 168 A DANKSAGUNG 169 B
VEROEFFENTLICHUNGEN/PRAESENTATIONEN 171 C SYNOPSIS OF THE THESIS 174 D
LEBENSLAUF 175 SEITE - V -
|
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