Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
München
Hut
2008
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | VI, 214 S. Ill., zahlr. graph. Darst. |
ISBN: | 9783899637410 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV023315264 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 00000000000000.0 | ||
007 | t | ||
008 | 080527s2008 ad|| m||| 00||| ger d | ||
020 | |a 9783899637410 |9 978-3-89963-741-0 | ||
035 | |a (OCoLC)239101484 | ||
035 | |a (DE-599)HBZHT015540079 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-91 |a DE-12 | ||
100 | 1 | |a Driesen, Jörn |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden |c von Jörn Driesen |
264 | 1 | |a München |b Hut |c 2008 | |
300 | |a VI, 214 S. |b Ill., zahlr. graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
502 | |a Zugl.: Duisburg, Essen, Univ., Diss., 2008 | ||
650 | 0 | 7 | |a Resonanz-Tunneldiode |0 (DE-588)4439439-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Indiumphosphid |0 (DE-588)4161535-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Heterobipolartransistor |0 (DE-588)4254091-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Heterobipolartransistor |0 (DE-588)4254091-4 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Indiumphosphid |0 (DE-588)4161535-9 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Resonanz-Tunneldiode |0 (DE-588)4439439-1 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016499466&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016499466 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804137651114082304 |
---|---|
adam_text | GESCANNT DURCH INHALTSVERZEICHNIS 1. EINLEITUNG 1 2. AUFBAU UND FUNKTION
DER BAUELEMENTE 5 2.1. DER HETEROSTRUKTUR-BIPOLAR-TRANSISTOR 5 2.1.1.
AUFBAU DES TRANSISTORS 5 2.1.2. GLEICHSTROMVERHALTEN DER HBT 11 2.1.3.
HOCHFREQUENZVERHALTEN DER HBT 13 2.2. DIE RESONANZ-TUNNEL-DIODE 20
2.2.1. FUNKTIONSPRINZIP DER RTD 20 2.2.2. GLEICHSTROMVERHALTEN DER RTD
21 2.2.3. DYNAMISCHES VERHALTEN DER RTD 25 2.3. INTEGRATIONSKONZEPT 28
2.4. HERSTELLUNG DER BAUELEMENTE 31 3. MODELLBILDUNG FUER DIE BAUELEMENTE
35 3.1. TRANSISTORMODELLE 35 3.1.1. MODELL NACH GUMMEL UND POOU 37
3.1.2. MAKROMODELL FUER DIE MODELLIERUNG VON SHBT 41 3.2. MODELLIERUNG
DES RTD-VERHALTENS 42 3.3. UNTERSUCHUNG UND MODELLIERUNG DER PASSIVEN
BAUELEMENTE 45 3.3.1. HERSTELLUNG UND MODELLIERUNG VON WIDERSTAENDEN -15
3.3.2. HERSTELLUNG UND MODELLIERUNG VON KAPAZITAETEN UND INDUKTIVITAETEN .
47 3.4. PARAMETEREXTRAKTION 50 3.4.1. UEBERBLICK UEBER DIE MESSUNGEN UND
AUSWERTUNGEN FUER DEN HBT . . 52 3.4.2. BESCHREIBUNG DER MESSAUFBAUTEN 53
3.4.3. EXTRAKTION DER HBT-GROSSSIGNALPARAMETER 55 3.4.4. BESTIMMUNG VON
INDUKTIVITAETEN UND KAPAZITAETEN 57 3.4.5. EXTRAKTION DER ZEITPARAMETER 61
3.4.6. BESTIMMUNG DER PARAMETER DER RTD 63 3.4.7. BESTIMMUNG DER
PARAMETER DER PASSIVEN BAUELEMENTE 63 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/988423065 DIGITALISIERT DURCH * * * * *
INHALTSVERZEICHNIS 6.2.3. SCHALTUNGSKONZEPT 157 6.3. PULSFORMER 163
6.3.1. DEFINITION VON ULTRA-WIDEBAND-SIGNALEN 163 6.3.2. TRADITIONELLE
ERZEUGUNG VON PULSFOERMIGEN SIGNALEN 164 6.3.3. ERZEUGUNG VON
PULSFOERMIGEN SIGNALEN MIT RTD 164 6.3.4. ZUSAMMENFASSUNG 167 7.
ZUSAMMENFASSUNG 171 A. ZWEITORMATRIZEN 175 B. PROGRAMME ZUR AUSWERTUNG
DER MESSDATEN 177 B.L. PROGRAMME UNTER DEM UNIX-BETRIEBSSYSTEM 177
B.L.L. AUSWERTUNG DER GUMMEL-PLOTS 177 B.L.2. DEEMBEDDING UND BESTIMMUNG
DER GRENZFREQUENZEN 178 B.L.3. BERECHNUNG DER EXTRINSISCHEN KAPAZITAETEN
UND INDUKTIVITAETEN . . . 179 B.L.4. UMRECHNUNGSROUTINEN 179 B.2.
PROGRAMME UNTER DEN WINDOWS-BETRIEBSSYSTEMEN 180 B.2.1. DARSTELLUNG UND
AUSWERTUNG DER HOCHFREQUENZDATEN MIT VIEWPORT 180 B.2.2. WEITERE
PROGRAMME ZUR AUSWERTUNG 183 C. DAS SIMULATIONSPROGRAMM ESTBIP 185 C.L.
GRUNDGLEICHUNGEN 185 C.2. BESCHREIBUNG DER PARAMETERDATEI 187 C.3.
REALISIERUNG 189 D. PROZESS MIT ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAPHIE 193
LITERATURVERZEICHNIS 197 ABBILDUNGSVERZEICHNIS 203 TABELLENVERZEICHNIS
207 LISTE DER VERWENDETEN FORMELZEICHEN 209 DANKSAGUNG 213 LEBENSLAUF
215
|
adam_txt |
GESCANNT DURCH INHALTSVERZEICHNIS 1. EINLEITUNG 1 2. AUFBAU UND FUNKTION
DER BAUELEMENTE 5 2.1. DER HETEROSTRUKTUR-BIPOLAR-TRANSISTOR 5 2.1.1.
AUFBAU DES TRANSISTORS 5 2.1.2. GLEICHSTROMVERHALTEN DER HBT 11 2.1.3.
HOCHFREQUENZVERHALTEN DER HBT 13 2.2. DIE RESONANZ-TUNNEL-DIODE 20
2.2.1. FUNKTIONSPRINZIP DER RTD 20 2.2.2. GLEICHSTROMVERHALTEN DER RTD
21 2.2.3. DYNAMISCHES VERHALTEN DER RTD 25 2.3. INTEGRATIONSKONZEPT 28
2.4. HERSTELLUNG DER BAUELEMENTE 31 3. MODELLBILDUNG FUER DIE BAUELEMENTE
35 3.1. TRANSISTORMODELLE 35 3.1.1. MODELL NACH GUMMEL UND POOU 37
3.1.2. MAKROMODELL FUER DIE MODELLIERUNG VON SHBT 41 3.2. MODELLIERUNG
DES RTD-VERHALTENS 42 3.3. UNTERSUCHUNG UND MODELLIERUNG DER PASSIVEN
BAUELEMENTE 45 3.3.1. HERSTELLUNG UND MODELLIERUNG VON WIDERSTAENDEN -15
3.3.2. HERSTELLUNG UND MODELLIERUNG VON KAPAZITAETEN UND INDUKTIVITAETEN .
47 3.4. PARAMETEREXTRAKTION 50 3.4.1. UEBERBLICK UEBER DIE MESSUNGEN UND
AUSWERTUNGEN FUER DEN HBT . . 52 3.4.2. BESCHREIBUNG DER MESSAUFBAUTEN 53
3.4.3. EXTRAKTION DER HBT-GROSSSIGNALPARAMETER 55 3.4.4. BESTIMMUNG VON
INDUKTIVITAETEN UND KAPAZITAETEN 57 3.4.5. EXTRAKTION DER ZEITPARAMETER 61
3.4.6. BESTIMMUNG DER PARAMETER DER RTD 63 3.4.7. BESTIMMUNG DER
PARAMETER DER PASSIVEN BAUELEMENTE 63 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/988423065 DIGITALISIERT DURCH * * * * *
INHALTSVERZEICHNIS 6.2.3. SCHALTUNGSKONZEPT 157 6.3. PULSFORMER 163
6.3.1. DEFINITION VON ULTRA-WIDEBAND-SIGNALEN 163 6.3.2. TRADITIONELLE
ERZEUGUNG VON PULSFOERMIGEN SIGNALEN 164 6.3.3. ERZEUGUNG VON
PULSFOERMIGEN SIGNALEN MIT RTD 164 6.3.4. ZUSAMMENFASSUNG 167 7.
ZUSAMMENFASSUNG 171 A. ZWEITORMATRIZEN 175 B. PROGRAMME ZUR AUSWERTUNG
DER MESSDATEN 177 B.L. PROGRAMME UNTER DEM UNIX-BETRIEBSSYSTEM 177
B.L.L. AUSWERTUNG DER GUMMEL-PLOTS 177 B.L.2. DEEMBEDDING UND BESTIMMUNG
DER GRENZFREQUENZEN 178 B.L.3. BERECHNUNG DER EXTRINSISCHEN KAPAZITAETEN
UND INDUKTIVITAETEN . . . 179 B.L.4. UMRECHNUNGSROUTINEN 179 B.2.
PROGRAMME UNTER DEN WINDOWS-BETRIEBSSYSTEMEN 180 B.2.1. DARSTELLUNG UND
AUSWERTUNG DER HOCHFREQUENZDATEN MIT VIEWPORT 180 B.2.2. WEITERE
PROGRAMME ZUR AUSWERTUNG 183 C. DAS SIMULATIONSPROGRAMM ESTBIP 185 C.L.
GRUNDGLEICHUNGEN 185 C.2. BESCHREIBUNG DER PARAMETERDATEI 187 C.3.
REALISIERUNG 189 D. PROZESS MIT ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAPHIE 193
LITERATURVERZEICHNIS 197 ABBILDUNGSVERZEICHNIS 203 TABELLENVERZEICHNIS
207 LISTE DER VERWENDETEN FORMELZEICHEN 209 DANKSAGUNG 213 LEBENSLAUF
215 |
any_adam_object | 1 |
any_adam_object_boolean | 1 |
author | Driesen, Jörn |
author_facet | Driesen, Jörn |
author_role | aut |
author_sort | Driesen, Jörn |
author_variant | j d jd |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV023315264 |
ctrlnum | (OCoLC)239101484 (DE-599)HBZHT015540079 |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01579nam a2200373 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV023315264</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">080527s2008 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783899637410</subfield><subfield code="9">978-3-89963-741-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)239101484</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)HBZHT015540079</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Driesen, Jörn</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden</subfield><subfield code="c">von Jörn Driesen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">München</subfield><subfield code="b">Hut</subfield><subfield code="c">2008</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VI, 214 S.</subfield><subfield code="b">Ill., zahlr. graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Duisburg, Essen, Univ., Diss., 2008</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Resonanz-Tunneldiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4439439-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Indiumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161535-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterobipolartransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4254091-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Heterobipolartransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4254091-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Indiumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161535-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Resonanz-Tunneldiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4439439-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016499466&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016499466</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV023315264 |
illustrated | Illustrated |
index_date | 2024-07-02T20:51:51Z |
indexdate | 2024-07-09T21:15:41Z |
institution | BVB |
isbn | 9783899637410 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016499466 |
oclc_num | 239101484 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 |
physical | VI, 214 S. Ill., zahlr. graph. Darst. |
publishDate | 2008 |
publishDateSearch | 2008 |
publishDateSort | 2008 |
publisher | Hut |
record_format | marc |
spelling | Driesen, Jörn Verfasser aut Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden von Jörn Driesen München Hut 2008 VI, 214 S. Ill., zahlr. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: Duisburg, Essen, Univ., Diss., 2008 Resonanz-Tunneldiode (DE-588)4439439-1 gnd rswk-swf Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd rswk-swf Heterobipolartransistor (DE-588)4254091-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Heterobipolartransistor (DE-588)4254091-4 s Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 s Resonanz-Tunneldiode (DE-588)4439439-1 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016499466&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Driesen, Jörn Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden Resonanz-Tunneldiode (DE-588)4439439-1 gnd Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd Heterobipolartransistor (DE-588)4254091-4 gnd |
subject_GND | (DE-588)4439439-1 (DE-588)4161535-9 (DE-588)4254091-4 (DE-588)4113937-9 |
title | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden |
title_auth | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden |
title_exact_search | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden |
title_exact_search_txtP | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden |
title_full | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden von Jörn Driesen |
title_fullStr | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden von Jörn Driesen |
title_full_unstemmed | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden von Jörn Driesen |
title_short | Design von schnellen Heterostruktur-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in Schaltungen mit Resonanz-Tunnel-Dioden |
title_sort | design von schnellen heterostruktur bipolar transistoren fur den einsatz in schaltungen mit resonanz tunnel dioden |
topic | Resonanz-Tunneldiode (DE-588)4439439-1 gnd Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd Heterobipolartransistor (DE-588)4254091-4 gnd |
topic_facet | Resonanz-Tunneldiode Indiumphosphid Heterobipolartransistor Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016499466&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT driesenjorn designvonschnellenheterostrukturbipolartransistorenfurdeneinsatzinschaltungenmitresonanztunneldioden |