Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2007
|
| Schriftenreihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik
2007,1 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006 |
| Beschreibung: | 172 S. 87 schw.-w. Ill. 210 mm x 148 mm, 258 gr. |
| ISBN: | 9783832261597 3832261591 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV022430230 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20080925 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 070521s2007 gw a||| m||| 00||| ger d | ||
| 015 | |a 07,N22,1103 |2 dnb | ||
| 016 | 7 | |a 984080066 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 9783832261597 |c Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 |9 978-3-8322-6159-7 | ||
| 020 | |a 3832261591 |c Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 |9 3-8322-6159-1 | ||
| 024 | 3 | |a 9783832261597 | |
| 035 | |a (OCoLC)255786526 | ||
| 035 | |a (DE-599)DNB984080066 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c XA-DE-NW | ||
| 049 | |a DE-29 |a DE-29T |a DE-91 | ||
| 082 | 0 | |a 621.3815284 |2 22/ger | |
| 084 | |a UP 7570 |0 (DE-625)146436: |2 rvk | ||
| 084 | |a 620 |2 sdnb | ||
| 100 | 1 | |a Jank, Michael |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |c Michael Jank |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2007 | |
| 300 | |a 172 S. |b 87 schw.-w. Ill. |c 210 mm x 148 mm, 258 gr. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2007,1 | |
| 500 | |a Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006 | ||
| 650 | 4 | |a MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung | |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Prozessoptimierung |0 (DE-588)4176074-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Maskentechnik |0 (DE-588)4125845-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Maskentechnik |0 (DE-588)4125845-9 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Prozessoptimierung |0 (DE-588)4176074-8 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2007,1 |w (DE-604)BV010300264 |9 2007,1 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015638430 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804136502903439360 |
|---|---|
| adam_txt | |
| any_adam_object | |
| any_adam_object_boolean | |
| author | Jank, Michael |
| author_facet | Jank, Michael |
| author_role | aut |
| author_sort | Jank, Michael |
| author_variant | m j mj |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV022430230 |
| classification_rvk | UP 7570 |
| ctrlnum | (OCoLC)255786526 (DE-599)DNB984080066 |
| dewey-full | 621.3815284 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 621 - Applied physics |
| dewey-raw | 621.3815284 |
| dewey-search | 621.3815284 |
| dewey-sort | 3621.3815284 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| discipline | Maschinenbau / Maschinenwesen Physik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| discipline_str_mv | Maschinenbau / Maschinenwesen Physik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02263nam a2200565 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV022430230</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20080925 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">070521s2007 gw a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">07,N22,1103</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">984080066</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783832261597</subfield><subfield code="c">Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60</subfield><subfield code="9">978-3-8322-6159-7</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832261591</subfield><subfield code="c">Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60</subfield><subfield code="9">3-8322-6159-1</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="3" ind2=" "><subfield code="a">9783832261597</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)255786526</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB984080066</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-NW</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3815284</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 7570</subfield><subfield code="0">(DE-625)146436:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">620</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Jank, Michael</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen</subfield><subfield code="c">Michael Jank</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2007</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">172 S.</subfield><subfield code="b">87 schw.-w. Ill.</subfield><subfield code="c">210 mm x 148 mm, 258 gr.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2007,1</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Prozessoptimierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176074-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Maskentechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125845-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Maskentechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125845-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Prozessoptimierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176074-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2007,1</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV010300264</subfield><subfield code="9">2007,1</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015638430</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV022430230 |
| illustrated | Illustrated |
| index_date | 2024-07-02T17:29:01Z |
| indexdate | 2024-07-09T20:57:26Z |
| institution | BVB |
| isbn | 9783832261597 3832261591 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015638430 |
| oclc_num | 255786526 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29 DE-29T DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-29 DE-29T DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | 172 S. 87 schw.-w. Ill. 210 mm x 148 mm, 258 gr. |
| publishDate | 2007 |
| publishDateSearch | 2007 |
| publishDateSort | 2007 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
| series2 | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
| spelling | Jank, Michael Verfasser aut Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank Aachen Shaker 2007 172 S. 87 schw.-w. Ill. 210 mm x 148 mm, 258 gr. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Erlanger Berichte Mikroelektronik 2007,1 Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006 MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd rswk-swf Prozessoptimierung (DE-588)4176074-8 gnd rswk-swf CMOS (DE-588)4010319-5 gnd rswk-swf Maskentechnik (DE-588)4125845-9 gnd rswk-swf Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MOS-FET (DE-588)4207266-9 s CMOS (DE-588)4010319-5 s Maskentechnik (DE-588)4125845-9 s Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 s Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 s Prozessoptimierung (DE-588)4176074-8 s DE-604 Erlanger Berichte Mikroelektronik 2007,1 (DE-604)BV010300264 2007,1 |
| spellingShingle | Jank, Michael Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Erlanger Berichte Mikroelektronik MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Prozessoptimierung (DE-588)4176074-8 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Maskentechnik (DE-588)4125845-9 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4158813-7 (DE-588)4176074-8 (DE-588)4010319-5 (DE-588)4125845-9 (DE-588)4027606-5 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4113937-9 |
| title | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
| title_auth | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
| title_exact_search | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
| title_exact_search_txtP | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
| title_full | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank |
| title_fullStr | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank |
| title_full_unstemmed | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank |
| title_short | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
| title_sort | entwicklung und charakterisierung eines cmos prozesses mit minimierter anzahl an lithographieebenen |
| topic | MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Prozessoptimierung (DE-588)4176074-8 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Maskentechnik (DE-588)4125845-9 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
| topic_facet | MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat Prozessoptimierung CMOS Maskentechnik Ionenimplantation MOS-FET Hochschulschrift |
| volume_link | (DE-604)BV010300264 |
| work_keys_str_mv | AT jankmichael entwicklungundcharakterisierungeinescmosprozessesmitminimierteranzahlanlithographieebenen |