Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pichoff-Gebiet:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kässer, Rudolf (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Zürich Juris-Verl. 1973
Schriftenreihe:Publikationen / Abteilung für Industrielle Forschung am Institut für Technische Physik der Eidgenössischen Technischen Hochschule in Zürich 30
Schlagworte:
Beschreibung:149 S.

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