Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2005
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | VI, 122 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3832242473 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000zc 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV021988828 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20220406 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 050809s2005 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 3832242473 |9 3-8322-4247-3 | ||
| 035 | |a (OCoLC)76778952 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV021988828 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-706 | ||
| 100 | 1 | |a Ludsteck, Alexandra |d 1976- |e Verfasser |0 (DE-588)12991553X |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie |c Alexandra Ludsteck |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2005 | |
| 300 | |a VI, 122 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 502 | |a Zugl.: Neubiberg, Univ. der Bundeswehr München, Diss., 2005 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Gate |g Elektronik |0 (DE-588)4269385-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Dielektrische Schicht |0 (DE-588)4194257-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumoxinitride |0 (DE-588)4268721-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-Schaltung |0 (DE-588)4135571-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Dielektrikum |0 (DE-588)4149716-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumdioxid |0 (DE-588)4077447-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Siliciumdioxid |0 (DE-588)4077447-8 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a MOS-Schaltung |0 (DE-588)4135571-4 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a Dielektrische Schicht |0 (DE-588)4194257-7 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 689 | 3 | 0 | |a Siliciumoxinitride |0 (DE-588)4268721-4 |D s |
| 689 | 3 | |5 DE-604 | |
| 689 | 4 | 0 | |a Gate |g Elektronik |0 (DE-588)4269385-8 |D s |
| 689 | 4 | |5 DE-604 | |
| 689 | 5 | 0 | |a Dielektrikum |0 (DE-588)4149716-8 |D s |
| 689 | 5 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015203671 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804135963647016960 |
|---|---|
| adam_txt | |
| any_adam_object | |
| any_adam_object_boolean | |
| author | Ludsteck, Alexandra 1976- |
| author_GND | (DE-588)12991553X |
| author_facet | Ludsteck, Alexandra 1976- |
| author_role | aut |
| author_sort | Ludsteck, Alexandra 1976- |
| author_variant | a l al |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV021988828 |
| ctrlnum | (OCoLC)76778952 (DE-599)BVBBV021988828 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01900nam a2200517zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV021988828</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20220406 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">050809s2005 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832242473</subfield><subfield code="9">3-8322-4247-3</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76778952</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV021988828</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-706</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Ludsteck, Alexandra</subfield><subfield code="d">1976-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)12991553X</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie</subfield><subfield code="c">Alexandra Ludsteck</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2005</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VI, 122 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Neubiberg, Univ. der Bundeswehr München, Diss., 2005</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Gate</subfield><subfield code="g">Elektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269385-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dielektrische Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4194257-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumoxinitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4268721-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135571-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dielektrikum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4149716-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumdioxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077447-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumdioxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077447-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135571-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">Dielektrische Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4194257-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumoxinitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4268721-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="0"><subfield code="a">Gate</subfield><subfield code="g">Elektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269385-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="5" ind2="0"><subfield code="a">Dielektrikum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4149716-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="5" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015203671</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV021988828 |
| illustrated | Illustrated |
| index_date | 2024-07-02T16:10:25Z |
| indexdate | 2024-07-09T20:48:51Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3832242473 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015203671 |
| oclc_num | 76778952 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-706 |
| owner_facet | DE-706 |
| physical | VI, 122 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2005 |
| publishDateSearch | 2005 |
| publishDateSort | 2005 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Ludsteck, Alexandra 1976- Verfasser (DE-588)12991553X aut Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie Alexandra Ludsteck Aachen Shaker 2005 VI, 122 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Neubiberg, Univ. der Bundeswehr München, Diss., 2005 Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 gnd rswk-swf Dielektrische Schicht (DE-588)4194257-7 gnd rswk-swf Siliciumoxinitride (DE-588)4268721-4 gnd rswk-swf MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 gnd rswk-swf Dielektrikum (DE-588)4149716-8 gnd rswk-swf Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 s DE-604 MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 s Dielektrische Schicht (DE-588)4194257-7 s Siliciumoxinitride (DE-588)4268721-4 s Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 s Dielektrikum (DE-588)4149716-8 s 1\p DE-604 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Ludsteck, Alexandra 1976- Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 gnd Dielektrische Schicht (DE-588)4194257-7 gnd Siliciumoxinitride (DE-588)4268721-4 gnd MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 gnd Dielektrikum (DE-588)4149716-8 gnd Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4269385-8 (DE-588)4194257-7 (DE-588)4268721-4 (DE-588)4135571-4 (DE-588)4149716-8 (DE-588)4077447-8 (DE-588)4113937-9 |
| title | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie |
| title_auth | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie |
| title_exact_search | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie |
| title_exact_search_txtP | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie |
| title_full | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie Alexandra Ludsteck |
| title_fullStr | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie Alexandra Ludsteck |
| title_full_unstemmed | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie Alexandra Ludsteck |
| title_short | Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie |
| title_sort | optimierung von gate dielektrika fur die mos technologie |
| topic | Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 gnd Dielektrische Schicht (DE-588)4194257-7 gnd Siliciumoxinitride (DE-588)4268721-4 gnd MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 gnd Dielektrikum (DE-588)4149716-8 gnd Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd |
| topic_facet | Gate Elektronik Dielektrische Schicht Siliciumoxinitride MOS-Schaltung Dielektrikum Siliciumdioxid Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT ludsteckalexandra optimierungvongatedielektrikafurdiemostechnologie |