Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Logos
2004
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2003 |
| Beschreibung: | XII, 190 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3832503897 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000zc 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV021986456 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20050610000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 050428s2004 d||| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 3832503897 |9 3-8325-0389-7 | ||
| 035 | |a (OCoLC)66967666 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV021986456 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-706 | ||
| 084 | |a ZN 4810 |0 (DE-625)157409: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Neinhüs, Burkhard |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren |c Burkhard Neinhüs |
| 264 | 1 | |a Berlin |b Logos |c 2004 | |
| 300 | |a XII, 190 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2003 | ||
| 650 | 4 | |a Hochfrequenztransistor - Silicium - Germanium - Rauscheigenschaft - Hierarchische Simulation - Numerisches Verfahren | |
| 650 | 0 | 7 | |a Germanium |0 (DE-588)4135644-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Rauscheigenschaft |0 (DE-588)4177091-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hierarchische Simulation |0 (DE-588)4426470-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hochfrequenztransistor |0 (DE-588)4123385-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Hochfrequenztransistor |0 (DE-588)4123385-2 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a Germanium |0 (DE-588)4135644-5 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 689 | 3 | 0 | |a Rauscheigenschaft |0 (DE-588)4177091-2 |D s |
| 689 | 3 | |5 DE-604 | |
| 689 | 4 | 0 | |a Hierarchische Simulation |0 (DE-588)4426470-7 |D s |
| 689 | 4 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015201382 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804135960851513344 |
|---|---|
| adam_txt | |
| any_adam_object | |
| any_adam_object_boolean | |
| author | Neinhüs, Burkhard |
| author_facet | Neinhüs, Burkhard |
| author_role | aut |
| author_sort | Neinhüs, Burkhard |
| author_variant | b n bn |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV021986456 |
| classification_rvk | ZN 4810 |
| ctrlnum | (OCoLC)66967666 (DE-599)BVBBV021986456 |
| discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| discipline_str_mv | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01751nam a2200481zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV021986456</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20050610000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">050428s2004 d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832503897</subfield><subfield code="9">3-8325-0389-7</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)66967666</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV021986456</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-706</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4810</subfield><subfield code="0">(DE-625)157409:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Neinhüs, Burkhard</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren</subfield><subfield code="c">Burkhard Neinhüs</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin</subfield><subfield code="b">Logos</subfield><subfield code="c">2004</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XII, 190 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2003</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor - Silicium - Germanium - Rauscheigenschaft - Hierarchische Simulation - Numerisches Verfahren</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Rauscheigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4177091-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hierarchische Simulation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4426470-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123385-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123385-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2="0"><subfield code="a">Rauscheigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4177091-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="0"><subfield code="a">Hierarchische Simulation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4426470-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015201382</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV021986456 |
| illustrated | Illustrated |
| index_date | 2024-07-02T16:10:16Z |
| indexdate | 2024-07-09T20:48:49Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3832503897 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015201382 |
| oclc_num | 66967666 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-706 |
| owner_facet | DE-706 |
| physical | XII, 190 S. graph. Darst. |
| publishDate | 2004 |
| publishDateSearch | 2004 |
| publishDateSort | 2004 |
| publisher | Logos |
| record_format | marc |
| spelling | Neinhüs, Burkhard Verfasser aut Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren Burkhard Neinhüs Berlin Logos 2004 XII, 190 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2003 Hochfrequenztransistor - Silicium - Germanium - Rauscheigenschaft - Hierarchische Simulation - Numerisches Verfahren Germanium (DE-588)4135644-5 gnd rswk-swf Rauscheigenschaft (DE-588)4177091-2 gnd rswk-swf Hierarchische Simulation (DE-588)4426470-7 gnd rswk-swf Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s DE-604 Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 s Germanium (DE-588)4135644-5 s Rauscheigenschaft (DE-588)4177091-2 s Hierarchische Simulation (DE-588)4426470-7 s |
| spellingShingle | Neinhüs, Burkhard Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren Hochfrequenztransistor - Silicium - Germanium - Rauscheigenschaft - Hierarchische Simulation - Numerisches Verfahren Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Rauscheigenschaft (DE-588)4177091-2 gnd Hierarchische Simulation (DE-588)4426470-7 gnd Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4135644-5 (DE-588)4177091-2 (DE-588)4426470-7 (DE-588)4123385-2 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren |
| title_auth | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren |
| title_exact_search | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren |
| title_exact_search_txtP | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren |
| title_full | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren Burkhard Neinhüs |
| title_fullStr | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren Burkhard Neinhüs |
| title_full_unstemmed | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren Burkhard Neinhüs |
| title_short | Hierarchische Bauelementsimulationen von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren |
| title_sort | hierarchische bauelementsimulationen von si sige hochfrequenztransistoren |
| topic | Hochfrequenztransistor - Silicium - Germanium - Rauscheigenschaft - Hierarchische Simulation - Numerisches Verfahren Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Rauscheigenschaft (DE-588)4177091-2 gnd Hierarchische Simulation (DE-588)4426470-7 gnd Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Hochfrequenztransistor - Silicium - Germanium - Rauscheigenschaft - Hierarchische Simulation - Numerisches Verfahren Germanium Rauscheigenschaft Hierarchische Simulation Hochfrequenztransistor Silicium Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT neinhusburkhard hierarchischebauelementsimulationenvonsisigehochfrequenztransistoren |