Ramanspektroskopische Untersuchungen zur Entstehung von verspannten GaAs-SiGe-Heterostrukturen und Si-SiGe-Übergittern:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Brugger, Johann G. (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1987
Schlagworte:
Beschreibung:161 S. graph. Darst.

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