Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik:
Das Hauptziel der vorliegenden Dissertation war die Realisierung von unter normalen Umgebungsbedingungen arbeitenden Mikro- und Nanoresonatoren für die Sensorik. Das angestrebte Anwendungsgebiet ist die Viskositätsmessung, eine Temperaturmessung und selektive Sensoren für die Bio-Medizin. Hoch sensi...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2006
|
Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Zusammenfassung: | Das Hauptziel der vorliegenden Dissertation war die Realisierung von unter normalen Umgebungsbedingungen arbeitenden Mikro- und Nanoresonatoren für die Sensorik. Das angestrebte Anwendungsgebiet ist die Viskositätsmessung, eine Temperaturmessung und selektive Sensoren für die Bio-Medizin. Hoch sensitive Sensorsysteme erfordern die Entwicklung und Optimierung einer Technologie für die Herstellung SiC-basierender mikro- und nanoelektromechanischer Resonatoren möglichst kleiner Masse. Der theoretische Anteil dieser Arbeit befasst sich mit der Resonatortheorie, dem Resonatordesign und dem Einfluss unterschiedlich verspannter Epitaxieschichten auf die zu erzielenden Resonanzfrequenzen. Die technologische Herausforderung bestand in der Entwicklung eines Epitaxieprozesses für gering verspanntes 3C-SiC und die Optimierung der Schichteigenschaften hinsichtlich der Anwendung als MEMS- und NEMS-Resonatoren. Des weiteren musste eine geeignete Strukturierungstechnik für das chemisch sehr stabile Material SiC mit der entsprechenden Ätzcharakteristik entwickelt werden. Diese Optimierung erfolgte bezüglich anisotroper und isotroper Ätzprofile sowie der Selektivität zwischen Silizium und Siliziumkarbid. Hierzu wurden drei unterschiedliche Plasmatechnologien charakterisiert und ihrer Anwendbarkeit für Mikro- und Nanostrukturen diskutiert. Die experimentelle Bestimmung der Resonanzfrequenzen und Resonatorgüten unter normalen Messbedingungen erfolgt mit einer Impulsmessmethode. Die unter Luft charakterisierten Resonatoren erzielen Resonanzfrequenzen bis 2 MHz und Resonatorgüten bis 350. Die Güte wird hauptsächlich durch die viskose Dämpfung der Luft bestimmt. |
Beschreibung: | 162 S. graph. Darst. |
ISBN: | 3832252754 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV021797981 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20100527 | ||
007 | t | ||
008 | 061107s2006 d||| m||| 00||| ger d | ||
020 | |a 3832252754 |9 3-8322-5275-4 | ||
035 | |a (OCoLC)255427673 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV021797981 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-M347 |a DE-858 | ||
084 | |a ZQ 3120 |0 (DE-625)158040: |2 rvk | ||
100 | 1 | |a Förster, Christian |d 1976- |e Verfasser |0 (DE-588)13200092X |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik |c Christian Förster |
264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2006 | |
300 | |a 162 S. |b graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
502 | |a Zugl.: Ilmenau, Tachn. Univ. Diss., 2005 | ||
520 | 8 | |a Das Hauptziel der vorliegenden Dissertation war die Realisierung von unter normalen Umgebungsbedingungen arbeitenden Mikro- und Nanoresonatoren für die Sensorik. Das angestrebte Anwendungsgebiet ist die Viskositätsmessung, eine Temperaturmessung und selektive Sensoren für die Bio-Medizin. Hoch sensitive Sensorsysteme erfordern die Entwicklung und Optimierung einer Technologie für die Herstellung SiC-basierender mikro- und nanoelektromechanischer Resonatoren möglichst kleiner Masse. Der theoretische Anteil dieser Arbeit befasst sich mit der Resonatortheorie, dem Resonatordesign und dem Einfluss unterschiedlich verspannter Epitaxieschichten auf die zu erzielenden Resonanzfrequenzen. Die technologische Herausforderung bestand in der Entwicklung eines Epitaxieprozesses für gering verspanntes 3C-SiC und die Optimierung der Schichteigenschaften hinsichtlich der Anwendung als MEMS- und NEMS-Resonatoren. Des weiteren musste eine geeignete Strukturierungstechnik für das chemisch sehr stabile Material SiC mit der entsprechenden Ätzcharakteristik entwickelt werden. Diese Optimierung erfolgte bezüglich anisotroper und isotroper Ätzprofile sowie der Selektivität zwischen Silizium und Siliziumkarbid. Hierzu wurden drei unterschiedliche Plasmatechnologien charakterisiert und ihrer Anwendbarkeit für Mikro- und Nanostrukturen diskutiert. Die experimentelle Bestimmung der Resonanzfrequenzen und Resonatorgüten unter normalen Messbedingungen erfolgt mit einer Impulsmessmethode. Die unter Luft charakterisierten Resonatoren erzielen Resonanzfrequenzen bis 2 MHz und Resonatorgüten bis 350. Die Güte wird hauptsächlich durch die viskose Dämpfung der Luft bestimmt. | |
650 | 4 | |a Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - MEMS - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie | |
650 | 4 | |a Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - Nanotechnologie - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie | |
650 | 0 | 7 | |a Resonator |0 (DE-588)4131574-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Halbleitersensor |0 (DE-588)4140390-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Resonator |0 (DE-588)4131574-1 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Halbleitersensor |0 (DE-588)4140390-3 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 2 | |m GBV Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=015010541&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015010541 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804135712043302912 |
---|---|
adam_text | INHALTSVERZEICHNIS 1 INHALTSVERZEICHNIS 1. EINLEITUNG 3 2. MIKRO- UND
NANOELEKRROMECHANISCHE RESONATOREN 6 2.1 GRUNDLAGEN 6 2.1.1
INTERNATIONALER STAND VON MIKRO- UND NANORESONATOREN 7 2.1.2
MAGNETODYNAMISCHE ANREGUNG VON RESONATOREN 9 2.1.3 RESONANZFREQUENZ UND
RESONATORGUETE 10 2.1.4 TECHNOLOGIE FUER MEMS 13 2.2 RESONATORDESIGN 15
2.2.1 RESONATORGEOMETRIE 15 2.2.2 BENOETIGTE TECHNOLOGIE UND
ANFORDERUNGEN 17 3. DER KERAMISCHE HALBLEITER SIC 20 4. EPITAXIE VON
3C-SIC AUF SI 25 4.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE DES CVD-REAKTORS 27 4.2
SUBSTRATREINIGUNG 29 4.2.1 IN SITU PLASMAREINIGUNG 31 4.2.2 RCA
REINIGUNG 35 4.2.3 GEGENUEBERSTELLUNG DER SUBSTRATREINIGUNGSVERFAHREN 38
4.3 KARBONISIERUNG DER SUBSTRATE 38 4.3.1 CVD-KARBONISIERUNG 39 4.3.2
RTP-KARBONISIENMG 46 4.3.3 VERGLEICH DER KARBONISIERUNGSMETHODEN 48 4.4
CVD-WACHSTUM 50 4.4.1 VORBETRACHTUNGEN FUER DIE EPITAXIE 51 4.4.2
STOECHIOMETRIEUNTERSUCHUNG 52 4.4.3 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE DES
HVCVD-WACHSTUMS 53 4.4.4 VERSPANNUNG DER SIC-EPITAXIESCHICHTEN 62 4.5
ZUSAMMENFASSUNG 68 INHALTSVERZEICHNIS 7. ZUSAMMENFASSUNG 8.
WEITERFUEHRENDE ARBEITEN 9. ANHANG ANG 9.1 MAGNETODYNAMISCH ANGEREGTE
AIN-RESONATOREN 9.2 PIEZOELEKTRISCH ANGEREGTE AIN-RESONATOREN 9.3
VERZEICHNIS DER ABKUERZUNGEN UND FORMETZEICHEN 9.4 LITERATURVERZEICHNIS
S. STRUKTURIERUNG VON MIKRO- UND NANOELEKTROMECHANISCHEN SYSTEMEN 69 72
5.1 SPUTTERATZEN 5.1.1 THEORIE DES SPUTTERAETZENS 5.1.2 AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE DES SPUTTERAETZERS ISE 90 75 5.1.3 EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE 5.2 ELEKTRON-ZYKLOTRON-RESONANZ 91 5.2.1 THEORIE DER
ELEKTRON-ZYKLOTRON-RESONANZ-IONENQUELLEN 92 5.2.2 AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE DES PLS 500 SYSTEMS 97 5.2.3 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE
5.2.4 OBERFLAECHENPASSIVIERUNG VON MEMS UND NEMS 110 5.3 REAKTIVES
IONENAETZEN 5.4 ZUSAMMENFASSUNG 118 6. REALISIERTE MIKRO- UND
NANOELEKTROMECHANISCHE RESONATOREN 120 6.1 MESSMETHODE FUER
MAGNETODYNAMISCH ANGEREGTE RESONATOREN 120 6.2 HERGESTELLTE
RESONATORSTRUKTUREN 123 6.3 ERGEBNISSE 6.4 ALTERNATIVE STRUKTUREN 13 6.5
ZUSAMMENFASSUNG 135 137 141 141 145 147 151
|
adam_txt |
INHALTSVERZEICHNIS 1 INHALTSVERZEICHNIS 1. EINLEITUNG 3 2. MIKRO- UND
NANOELEKRROMECHANISCHE RESONATOREN 6 2.1 GRUNDLAGEN 6 2.1.1
INTERNATIONALER STAND VON MIKRO- UND NANORESONATOREN 7 2.1.2
MAGNETODYNAMISCHE ANREGUNG VON RESONATOREN 9 2.1.3 RESONANZFREQUENZ UND
RESONATORGUETE 10 2.1.4 TECHNOLOGIE FUER MEMS 13 2.2 RESONATORDESIGN 15
2.2.1 RESONATORGEOMETRIE 15 2.2.2 BENOETIGTE TECHNOLOGIE UND
ANFORDERUNGEN 17 3. DER KERAMISCHE HALBLEITER SIC 20 4. EPITAXIE VON
3C-SIC AUF SI 25 4.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE DES CVD-REAKTORS 27 4.2
SUBSTRATREINIGUNG 29 4.2.1 IN SITU PLASMAREINIGUNG 31 4.2.2 RCA
REINIGUNG 35 4.2.3 GEGENUEBERSTELLUNG DER SUBSTRATREINIGUNGSVERFAHREN 38
4.3 KARBONISIERUNG DER SUBSTRATE 38 4.3.1 CVD-KARBONISIERUNG 39 4.3.2
RTP-KARBONISIENMG 46 4.3.3 VERGLEICH DER KARBONISIERUNGSMETHODEN 48 4.4
CVD-WACHSTUM 50 4.4.1 VORBETRACHTUNGEN FUER DIE EPITAXIE 51 4.4.2
STOECHIOMETRIEUNTERSUCHUNG 52 4.4.3 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE DES
HVCVD-WACHSTUMS 53 4.4.4 VERSPANNUNG DER SIC-EPITAXIESCHICHTEN 62 4.5
ZUSAMMENFASSUNG 68 INHALTSVERZEICHNIS 7. ZUSAMMENFASSUNG 8.
WEITERFUEHRENDE ARBEITEN 9. ANHANG ANG 9.1 MAGNETODYNAMISCH ANGEREGTE
AIN-RESONATOREN 9.2 PIEZOELEKTRISCH ANGEREGTE AIN-RESONATOREN 9.3
VERZEICHNIS DER ABKUERZUNGEN UND FORMETZEICHEN 9.4 LITERATURVERZEICHNIS
S. STRUKTURIERUNG VON MIKRO- UND NANOELEKTROMECHANISCHEN SYSTEMEN 69 72
5.1 SPUTTERATZEN 5.1.1 THEORIE DES SPUTTERAETZENS 5.1.2 AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE DES SPUTTERAETZERS ISE 90 75 5.1.3 EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE 5.2 ELEKTRON-ZYKLOTRON-RESONANZ 91 5.2.1 THEORIE DER
ELEKTRON-ZYKLOTRON-RESONANZ-IONENQUELLEN 92 5.2.2 AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE DES PLS 500 SYSTEMS 97 5.2.3 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE "
5.2.4 OBERFLAECHENPASSIVIERUNG VON MEMS UND NEMS 110 5.3 REAKTIVES
IONENAETZEN 5.4 ZUSAMMENFASSUNG 118 6. REALISIERTE MIKRO- UND
NANOELEKTROMECHANISCHE RESONATOREN 120 6.1 MESSMETHODE FUER
MAGNETODYNAMISCH ANGEREGTE RESONATOREN 120 6.2 HERGESTELLTE
RESONATORSTRUKTUREN 123 6.3 ERGEBNISSE 6.4 ALTERNATIVE STRUKTUREN 13 6.5
ZUSAMMENFASSUNG 135 137 141 141 145 147 151 |
any_adam_object | 1 |
any_adam_object_boolean | 1 |
author | Förster, Christian 1976- |
author_GND | (DE-588)13200092X |
author_facet | Förster, Christian 1976- |
author_role | aut |
author_sort | Förster, Christian 1976- |
author_variant | c f cf |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV021797981 |
classification_rvk | ZQ 3120 |
ctrlnum | (OCoLC)255427673 (DE-599)BVBBV021797981 |
discipline | Mess-/Steuerungs-/Regelungs-/Automatisierungstechnik / Mechatronik |
discipline_str_mv | Mess-/Steuerungs-/Regelungs-/Automatisierungstechnik / Mechatronik |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>03410nam a2200409 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV021797981</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20100527 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">061107s2006 d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832252754</subfield><subfield code="9">3-8322-5275-4</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)255427673</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV021797981</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-M347</subfield><subfield code="a">DE-858</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZQ 3120</subfield><subfield code="0">(DE-625)158040:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Förster, Christian</subfield><subfield code="d">1976-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)13200092X</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik</subfield><subfield code="c">Christian Förster</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2006</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">162 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Ilmenau, Tachn. Univ. Diss., 2005</subfield></datafield><datafield tag="520" ind1="8" ind2=" "><subfield code="a">Das Hauptziel der vorliegenden Dissertation war die Realisierung von unter normalen Umgebungsbedingungen arbeitenden Mikro- und Nanoresonatoren für die Sensorik. Das angestrebte Anwendungsgebiet ist die Viskositätsmessung, eine Temperaturmessung und selektive Sensoren für die Bio-Medizin. Hoch sensitive Sensorsysteme erfordern die Entwicklung und Optimierung einer Technologie für die Herstellung SiC-basierender mikro- und nanoelektromechanischer Resonatoren möglichst kleiner Masse. Der theoretische Anteil dieser Arbeit befasst sich mit der Resonatortheorie, dem Resonatordesign und dem Einfluss unterschiedlich verspannter Epitaxieschichten auf die zu erzielenden Resonanzfrequenzen. Die technologische Herausforderung bestand in der Entwicklung eines Epitaxieprozesses für gering verspanntes 3C-SiC und die Optimierung der Schichteigenschaften hinsichtlich der Anwendung als MEMS- und NEMS-Resonatoren. Des weiteren musste eine geeignete Strukturierungstechnik für das chemisch sehr stabile Material SiC mit der entsprechenden Ätzcharakteristik entwickelt werden. Diese Optimierung erfolgte bezüglich anisotroper und isotroper Ätzprofile sowie der Selektivität zwischen Silizium und Siliziumkarbid. Hierzu wurden drei unterschiedliche Plasmatechnologien charakterisiert und ihrer Anwendbarkeit für Mikro- und Nanostrukturen diskutiert. Die experimentelle Bestimmung der Resonanzfrequenzen und Resonatorgüten unter normalen Messbedingungen erfolgt mit einer Impulsmessmethode. Die unter Luft charakterisierten Resonatoren erzielen Resonanzfrequenzen bis 2 MHz und Resonatorgüten bis 350. Die Güte wird hauptsächlich durch die viskose Dämpfung der Luft bestimmt.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - MEMS - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - Nanotechnologie - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Resonator</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131574-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitersensor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4140390-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Resonator</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131574-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Halbleitersensor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4140390-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">GBV Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=015010541&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015010541</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV021797981 |
illustrated | Illustrated |
index_date | 2024-07-02T15:46:52Z |
indexdate | 2024-07-09T20:44:51Z |
institution | BVB |
isbn | 3832252754 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015010541 |
oclc_num | 255427673 |
open_access_boolean | |
owner | DE-M347 DE-858 |
owner_facet | DE-M347 DE-858 |
physical | 162 S. graph. Darst. |
publishDate | 2006 |
publishDateSearch | 2006 |
publishDateSort | 2006 |
publisher | Shaker |
record_format | marc |
series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
spelling | Förster, Christian 1976- Verfasser (DE-588)13200092X aut Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik Christian Förster Aachen Shaker 2006 162 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Ilmenau, Tachn. Univ. Diss., 2005 Das Hauptziel der vorliegenden Dissertation war die Realisierung von unter normalen Umgebungsbedingungen arbeitenden Mikro- und Nanoresonatoren für die Sensorik. Das angestrebte Anwendungsgebiet ist die Viskositätsmessung, eine Temperaturmessung und selektive Sensoren für die Bio-Medizin. Hoch sensitive Sensorsysteme erfordern die Entwicklung und Optimierung einer Technologie für die Herstellung SiC-basierender mikro- und nanoelektromechanischer Resonatoren möglichst kleiner Masse. Der theoretische Anteil dieser Arbeit befasst sich mit der Resonatortheorie, dem Resonatordesign und dem Einfluss unterschiedlich verspannter Epitaxieschichten auf die zu erzielenden Resonanzfrequenzen. Die technologische Herausforderung bestand in der Entwicklung eines Epitaxieprozesses für gering verspanntes 3C-SiC und die Optimierung der Schichteigenschaften hinsichtlich der Anwendung als MEMS- und NEMS-Resonatoren. Des weiteren musste eine geeignete Strukturierungstechnik für das chemisch sehr stabile Material SiC mit der entsprechenden Ätzcharakteristik entwickelt werden. Diese Optimierung erfolgte bezüglich anisotroper und isotroper Ätzprofile sowie der Selektivität zwischen Silizium und Siliziumkarbid. Hierzu wurden drei unterschiedliche Plasmatechnologien charakterisiert und ihrer Anwendbarkeit für Mikro- und Nanostrukturen diskutiert. Die experimentelle Bestimmung der Resonanzfrequenzen und Resonatorgüten unter normalen Messbedingungen erfolgt mit einer Impulsmessmethode. Die unter Luft charakterisierten Resonatoren erzielen Resonanzfrequenzen bis 2 MHz und Resonatorgüten bis 350. Die Güte wird hauptsächlich durch die viskose Dämpfung der Luft bestimmt. Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - MEMS - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - Nanotechnologie - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Resonator (DE-588)4131574-1 gnd rswk-swf Halbleitersensor (DE-588)4140390-3 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Resonator (DE-588)4131574-1 s Halbleitersensor (DE-588)4140390-3 s DE-604 GBV Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=015010541&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Förster, Christian 1976- Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - MEMS - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - Nanotechnologie - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Resonator (DE-588)4131574-1 gnd Halbleitersensor (DE-588)4140390-3 gnd |
subject_GND | (DE-588)4131574-1 (DE-588)4140390-3 (DE-588)4113937-9 |
title | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik |
title_auth | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik |
title_exact_search | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik |
title_exact_search_txtP | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik |
title_full | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik Christian Förster |
title_fullStr | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik Christian Förster |
title_full_unstemmed | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik Christian Förster |
title_short | Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik |
title_sort | mikro und nanoelektromechanische resonatoren fur die sensorik |
topic | Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - MEMS - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - Nanotechnologie - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Resonator (DE-588)4131574-1 gnd Halbleitersensor (DE-588)4140390-3 gnd |
topic_facet | Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - MEMS - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Siliciumcarbid - Resonator - Halbleitersensor - Nanotechnologie - CVD-Verfahren - Halbleitertechnologie Resonator Halbleitersensor Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=015010541&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT forsterchristian mikroundnanoelektromechanischeresonatorenfurdiesensorik |