Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente:
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| Format: | Thesis Book |
| Language: | German |
| Published: |
Aachen
Shaker
2006
|
| Series: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Physical Description: | II, 149 S. Ill., graph. Darst. 21 cm, 231 gr. |
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|---|---|
| adam_text | SILIZIUM-NANODOTS FUER NICHTFLUECHTIGE SPEICHERBAUELEMENTE VON DER
FAKULTAET FUER ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK DER
RHEINISCH-WESTFAELISCHEN TECHNISCHEN HOCHSCHULE AACHEN ZUR ERLANGUNG DES
AKADEMISCHEN GRADES EINES DOKTORS DER INGENIEURWISSENSCHAFTEN GENEHMIGTE
DISSERTATION VORGELEGT VON DIPLOM-INGENIEUR OLAF WINKLER AUS CLOPPENBURG
BERICHTER: UNIV.-PROF. DR. PHIL. H. KURZ UNIV.-PROF. DR.-ING. S. HEINEN
TAG DER MUENDLICHEN PRUEFUNG: 02. FEBRUAR 2006 D 82 (DISS. RWTH AACHEN)
NHALTSVERZEICHNIS NHALTSVERZEICHNIS . EINLEITUNG 1 !. GRUNDLAGEN 3 2.1.
METALL-OXID-HALBLEITERSTRUKTUR 3 2.2. MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR 9 2.3.
TUNNELPROZESSE 13 2.4. FLOATING-DOT-SPEICHER 17 . VERWENDETE
MATERIALIEN UND TECHNOLOGIEN 23 3.1. SILICON-ON-INSULATOR-SUBSTRAT 23
3.2. LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 25 3.3.
SILIZIUM-NANODOT-LPCVD AUF SILIZIUMDIOXID 28 3.4. THERMISCHE OXIDATION
30 3.5. REMOTE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 32 3.6. RAPID
THERMAL PROCESSING 35 3.7. LITHOGRAPHIE 36 3.8. IONENIMPLANTATION 36
3.9. METALLISIERUNG 37 . LPCVD VON SILIZIUM-NANODOTS 39 4.1. EINFLUESSE
DER LPCVD-PROZESSPARAMETER 39 4.2. EINFLUSS DER UNTEREN SIO 2
-OBERFLAECHE 46 4.3. NANODOT-DEPOSITION AUF SOI-SUBSTRAT UND AUF
SIO2-SEITENWAENDE 49 . HERSTELLUNG UND CHARAKTERISIERUNG VON
MOS-KAPAZITAETEN 53 5.1. AUFBAU UND HERSTELLUNG VON MOS-KAPAZITAETEN 53
5.2. IMPLEMENTIERUNG VON SPEICHERSCHICHTEN IN DEN ISOLATOR-STACK 55 5.3.
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG VON MOS-KAPAZITAETEN 56 5.3.1.
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-UND STROM-SPANNUNGS-MESSUNGEN 57 5.3.2.
SPEICHERZEIT 65 5.3.3. WIEDERBESCHREIBBARKEIT 67 INHALTSVERZEICHN 6.
FLOATING-DOT-SPEICHERTRANSISTOREN 6.1.
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTORENAUFSOI-SUBSTRAT 6.1.1. AUFBAU DER
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN 6.1.2. HERSTELLUNG VON
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN 6.2. HERSTELLUNG DER
FLOATING-DOT-SPEICHER-GATE-STACKS 6.3. ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG
VON FLOATING-DOT-SPEICHERTRANSISTOREN I 7. ALTERNATIVE
FLOATING-DOT-SPEICHERKONZEPTE ! 7.1. ALTERNATIVER
FLOATING-DOT-SPEICHER-GATE-STACK I 7.1.1. HERSTELLUNG VON
FLOATING-DOT-SPEICHER-MOSFETS MIT INVERSER DOT-ANORDNUNG..! 7.1.2.
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 7.2. FLOATING-DOT-SPEICHERFELD OHNE
AUSWAHLTRANSISTOREN 7.2.1. AUFBAU UND HERSTELLUNG DES
FLOATING-DOT-SPEICHERFELDES ! 7.2.2. FUNKTIONSPRINZIP DES
FLOATING-DOT-SPEICHERFELDES H 7.2.3. ELEKTRISCHE MESSERGEBNISSE H 8.
ZUSAMMENFASSUNG 1 9. AUSBLICK 1 ANHANG A: LITERATURVERZEICHNIS 1 ANHANG
B: VEROEFFENTLICHUNGEN 1 ANHANG C: ABBILDUNGSVERZEICHNIS 1 ANHANG D:
TABELLENVERZEICHNIS 1 ANHANG E: ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 1 ANHANG F:
FORMELZEICHEN 1 LEBENSLAUF ******»***** ** *
****..**..**.******************* ****..******* * * 1 DANKSAGUNG * 1
|
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SILIZIUM-NANODOTS FUER NICHTFLUECHTIGE SPEICHERBAUELEMENTE VON DER
FAKULTAET FUER ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK DER
RHEINISCH-WESTFAELISCHEN TECHNISCHEN HOCHSCHULE AACHEN ZUR ERLANGUNG DES
AKADEMISCHEN GRADES EINES DOKTORS DER INGENIEURWISSENSCHAFTEN GENEHMIGTE
DISSERTATION VORGELEGT VON DIPLOM-INGENIEUR OLAF WINKLER AUS CLOPPENBURG
BERICHTER: UNIV.-PROF. DR. PHIL. H. KURZ UNIV.-PROF. DR.-ING. S. HEINEN
TAG DER MUENDLICHEN PRUEFUNG: 02. FEBRUAR 2006 D 82 (DISS. RWTH AACHEN)
NHALTSVERZEICHNIS NHALTSVERZEICHNIS . EINLEITUNG 1 !. GRUNDLAGEN 3 2.1.
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3.9. METALLISIERUNG 37 . LPCVD VON SILIZIUM-NANODOTS 39 4.1. EINFLUESSE
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