Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2006
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | II, 149 S. Ill., graph. Darst. 21 cm, 231 gr. |
| ISBN: | 3832249419 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV021687073 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 060807s2006 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 015 | |a 06,H06,2652 |2 dnb | ||
| 016 | 7 | |a 978900162 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3832249419 |c kart. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 |9 3-8322-4941-9 | ||
| 024 | 3 | |a 9783832249410 | |
| 035 | |a (OCoLC)179826679 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV021687073 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c XA-DE-NW | ||
| 049 | |a DE-91 |a DE-29T | ||
| 084 | |a 620 |2 sdnb | ||
| 100 | 1 | |a Winkler, Olaf |d 1973- |e Verfasser |0 (DE-588)131478028 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente |c Olaf Winkler |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2006 | |
| 300 | |a II, 149 S. |b Ill., graph. Darst. |c 21 cm, 231 gr. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 502 | |a Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2006 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Speicherzelle |0 (DE-588)4182147-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a LPCVD-Verfahren |0 (DE-588)4277965-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Nanodot-Speicher |0 (DE-588)7522157-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a SOI-Technik |0 (DE-588)4128029-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Floating-Gate-Struktur |0 (DE-588)4325978-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Nanodot-Speicher |0 (DE-588)7522157-3 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Floating-Gate-Struktur |0 (DE-588)4325978-9 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Speicherzelle |0 (DE-588)4182147-6 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a SOI-Technik |0 (DE-588)4128029-5 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a LPCVD-Verfahren |0 (DE-588)4277965-0 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m HEBIS Datenaustausch Darmstadt |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=014901185&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-014901185 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804135511228416000 |
|---|---|
| adam_text | SILIZIUM-NANODOTS FUER NICHTFLUECHTIGE SPEICHERBAUELEMENTE VON DER
FAKULTAET FUER ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK DER
RHEINISCH-WESTFAELISCHEN TECHNISCHEN HOCHSCHULE AACHEN ZUR ERLANGUNG DES
AKADEMISCHEN GRADES EINES DOKTORS DER INGENIEURWISSENSCHAFTEN GENEHMIGTE
DISSERTATION VORGELEGT VON DIPLOM-INGENIEUR OLAF WINKLER AUS CLOPPENBURG
BERICHTER: UNIV.-PROF. DR. PHIL. H. KURZ UNIV.-PROF. DR.-ING. S. HEINEN
TAG DER MUENDLICHEN PRUEFUNG: 02. FEBRUAR 2006 D 82 (DISS. RWTH AACHEN)
NHALTSVERZEICHNIS NHALTSVERZEICHNIS . EINLEITUNG 1 !. GRUNDLAGEN 3 2.1.
METALL-OXID-HALBLEITERSTRUKTUR 3 2.2. MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR 9 2.3.
TUNNELPROZESSE 13 2.4. FLOATING-DOT-SPEICHER 17 . VERWENDETE
MATERIALIEN UND TECHNOLOGIEN 23 3.1. SILICON-ON-INSULATOR-SUBSTRAT 23
3.2. LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 25 3.3.
SILIZIUM-NANODOT-LPCVD AUF SILIZIUMDIOXID 28 3.4. THERMISCHE OXIDATION
30 3.5. REMOTE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 32 3.6. RAPID
THERMAL PROCESSING 35 3.7. LITHOGRAPHIE 36 3.8. IONENIMPLANTATION 36
3.9. METALLISIERUNG 37 . LPCVD VON SILIZIUM-NANODOTS 39 4.1. EINFLUESSE
DER LPCVD-PROZESSPARAMETER 39 4.2. EINFLUSS DER UNTEREN SIO 2
-OBERFLAECHE 46 4.3. NANODOT-DEPOSITION AUF SOI-SUBSTRAT UND AUF
SIO2-SEITENWAENDE 49 . HERSTELLUNG UND CHARAKTERISIERUNG VON
MOS-KAPAZITAETEN 53 5.1. AUFBAU UND HERSTELLUNG VON MOS-KAPAZITAETEN 53
5.2. IMPLEMENTIERUNG VON SPEICHERSCHICHTEN IN DEN ISOLATOR-STACK 55 5.3.
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG VON MOS-KAPAZITAETEN 56 5.3.1.
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-UND STROM-SPANNUNGS-MESSUNGEN 57 5.3.2.
SPEICHERZEIT 65 5.3.3. WIEDERBESCHREIBBARKEIT 67 INHALTSVERZEICHN 6.
FLOATING-DOT-SPEICHERTRANSISTOREN 6.1.
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTORENAUFSOI-SUBSTRAT 6.1.1. AUFBAU DER
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN 6.1.2. HERSTELLUNG VON
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN 6.2. HERSTELLUNG DER
FLOATING-DOT-SPEICHER-GATE-STACKS 6.3. ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG
VON FLOATING-DOT-SPEICHERTRANSISTOREN I 7. ALTERNATIVE
FLOATING-DOT-SPEICHERKONZEPTE ! 7.1. ALTERNATIVER
FLOATING-DOT-SPEICHER-GATE-STACK I 7.1.1. HERSTELLUNG VON
FLOATING-DOT-SPEICHER-MOSFETS MIT INVERSER DOT-ANORDNUNG..! 7.1.2.
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 7.2. FLOATING-DOT-SPEICHERFELD OHNE
AUSWAHLTRANSISTOREN 7.2.1. AUFBAU UND HERSTELLUNG DES
FLOATING-DOT-SPEICHERFELDES ! 7.2.2. FUNKTIONSPRINZIP DES
FLOATING-DOT-SPEICHERFELDES H 7.2.3. ELEKTRISCHE MESSERGEBNISSE H 8.
ZUSAMMENFASSUNG 1 9. AUSBLICK 1 ANHANG A: LITERATURVERZEICHNIS 1 ANHANG
B: VEROEFFENTLICHUNGEN 1 ANHANG C: ABBILDUNGSVERZEICHNIS 1 ANHANG D:
TABELLENVERZEICHNIS 1 ANHANG E: ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 1 ANHANG F:
FORMELZEICHEN 1 LEBENSLAUF ******»***** ** *
****..**..**.******************* ****..******* * * 1 DANKSAGUNG * 1
|
| adam_txt |
SILIZIUM-NANODOTS FUER NICHTFLUECHTIGE SPEICHERBAUELEMENTE VON DER
FAKULTAET FUER ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK DER
RHEINISCH-WESTFAELISCHEN TECHNISCHEN HOCHSCHULE AACHEN ZUR ERLANGUNG DES
AKADEMISCHEN GRADES EINES DOKTORS DER INGENIEURWISSENSCHAFTEN GENEHMIGTE
DISSERTATION VORGELEGT VON DIPLOM-INGENIEUR OLAF WINKLER AUS CLOPPENBURG
BERICHTER: UNIV.-PROF. DR. PHIL. H. KURZ UNIV.-PROF. DR.-ING. S. HEINEN
TAG DER MUENDLICHEN PRUEFUNG: 02. FEBRUAR 2006 D 82 (DISS. RWTH AACHEN)
NHALTSVERZEICHNIS NHALTSVERZEICHNIS . EINLEITUNG 1 !. GRUNDLAGEN 3 2.1.
METALL-OXID-HALBLEITERSTRUKTUR 3 2.2. MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR 9 2.3.
TUNNELPROZESSE 13 2.4. FLOATING-DOT-SPEICHER 17 ' . VERWENDETE
MATERIALIEN UND TECHNOLOGIEN 23 3.1. SILICON-ON-INSULATOR-SUBSTRAT 23
3.2. LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 25 3.3.
SILIZIUM-NANODOT-LPCVD AUF SILIZIUMDIOXID 28 3.4. THERMISCHE OXIDATION
30 3.5. REMOTE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 32 3.6. RAPID
THERMAL PROCESSING 35 3.7. LITHOGRAPHIE 36 3.8. IONENIMPLANTATION 36
3.9. METALLISIERUNG 37 . LPCVD VON SILIZIUM-NANODOTS 39 4.1. EINFLUESSE
DER LPCVD-PROZESSPARAMETER 39 4.2. EINFLUSS DER UNTEREN SIO 2
-OBERFLAECHE 46 4.3. NANODOT-DEPOSITION AUF SOI-SUBSTRAT UND AUF
SIO2-SEITENWAENDE 49 . HERSTELLUNG UND CHARAKTERISIERUNG VON
MOS-KAPAZITAETEN 53 5.1. AUFBAU UND HERSTELLUNG VON MOS-KAPAZITAETEN 53
5.2. IMPLEMENTIERUNG VON SPEICHERSCHICHTEN IN DEN ISOLATOR-STACK 55 5.3.
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG VON MOS-KAPAZITAETEN 56 5.3.1.
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-UND STROM-SPANNUNGS-MESSUNGEN 57 5.3.2.
SPEICHERZEIT 65 5.3.3. WIEDERBESCHREIBBARKEIT 67 INHALTSVERZEICHN 6.
FLOATING-DOT-SPEICHERTRANSISTOREN ' 6.1.
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTORENAUFSOI-SUBSTRAT ' 6.1.1. AUFBAU DER
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN ' 6.1.2. HERSTELLUNG VON
MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN ' 6.2. HERSTELLUNG DER
FLOATING-DOT-SPEICHER-GATE-STACKS ' 6.3. ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG
VON FLOATING-DOT-SPEICHERTRANSISTOREN I 7. ALTERNATIVE
FLOATING-DOT-SPEICHERKONZEPTE ! 7.1. ALTERNATIVER
FLOATING-DOT-SPEICHER-GATE-STACK I 7.1.1. HERSTELLUNG VON
FLOATING-DOT-SPEICHER-MOSFETS MIT INVERSER DOT-ANORDNUNG.! 7.1.2.
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG ' 7.2. FLOATING-DOT-SPEICHERFELD OHNE
AUSWAHLTRANSISTOREN ' 7.2.1. AUFBAU UND HERSTELLUNG DES
FLOATING-DOT-SPEICHERFELDES ! 7.2.2. FUNKTIONSPRINZIP DES
FLOATING-DOT-SPEICHERFELDES H 7.2.3. ELEKTRISCHE MESSERGEBNISSE H 8.
ZUSAMMENFASSUNG 1 9. AUSBLICK 1 ANHANG A: LITERATURVERZEICHNIS 1 ANHANG
B: VEROEFFENTLICHUNGEN 1 ANHANG C: ABBILDUNGSVERZEICHNIS 1 ANHANG D:
TABELLENVERZEICHNIS 1 ANHANG E: ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 1 ANHANG F:
FORMELZEICHEN 1 LEBENSLAUF ******»***** ** *
****.**.**.******************* ****.******* * * 1 DANKSAGUNG * 1 |
| any_adam_object | 1 |
| any_adam_object_boolean | 1 |
| author | Winkler, Olaf 1973- |
| author_GND | (DE-588)131478028 |
| author_facet | Winkler, Olaf 1973- |
| author_role | aut |
| author_sort | Winkler, Olaf 1973- |
| author_variant | o w ow |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV021687073 |
| ctrlnum | (OCoLC)179826679 (DE-599)BVBBV021687073 |
| discipline | Maschinenbau / Maschinenwesen |
| discipline_str_mv | Maschinenbau / Maschinenwesen |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02132nam a2200517 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV021687073</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">060807s2006 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">06,H06,2652</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">978900162</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832249419</subfield><subfield code="c">kart. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 97.60</subfield><subfield code="9">3-8322-4941-9</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="3" ind2=" "><subfield code="a">9783832249410</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)179826679</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV021687073</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-NW</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">620</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Winkler, Olaf</subfield><subfield code="d">1973-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)131478028</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente</subfield><subfield code="c">Olaf Winkler</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2006</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">II, 149 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield><subfield code="c">21 cm, 231 gr.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2006</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Speicherzelle</subfield><subfield code="0">(DE-588)4182147-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">LPCVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4277965-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nanodot-Speicher</subfield><subfield code="0">(DE-588)7522157-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">SOI-Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4128029-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Floating-Gate-Struktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4325978-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Nanodot-Speicher</subfield><subfield code="0">(DE-588)7522157-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Floating-Gate-Struktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4325978-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Speicherzelle</subfield><subfield code="0">(DE-588)4182147-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">SOI-Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4128029-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">LPCVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4277965-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">HEBIS Datenaustausch Darmstadt</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=014901185&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-014901185</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV021687073 |
| illustrated | Illustrated |
| index_date | 2024-07-02T15:13:15Z |
| indexdate | 2024-07-09T20:41:40Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3832249419 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-014901185 |
| oclc_num | 179826679 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T |
| physical | II, 149 S. Ill., graph. Darst. 21 cm, 231 gr. |
| publishDate | 2006 |
| publishDateSearch | 2006 |
| publishDateSort | 2006 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Winkler, Olaf 1973- Verfasser (DE-588)131478028 aut Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente Olaf Winkler Aachen Shaker 2006 II, 149 S. Ill., graph. Darst. 21 cm, 231 gr. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2006 Speicherzelle (DE-588)4182147-6 gnd rswk-swf LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 gnd rswk-swf Nanodot-Speicher (DE-588)7522157-3 gnd rswk-swf CMOS (DE-588)4010319-5 gnd rswk-swf SOI-Technik (DE-588)4128029-5 gnd rswk-swf Floating-Gate-Struktur (DE-588)4325978-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Nanodot-Speicher (DE-588)7522157-3 s Floating-Gate-Struktur (DE-588)4325978-9 s Speicherzelle (DE-588)4182147-6 s SOI-Technik (DE-588)4128029-5 s LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 s CMOS (DE-588)4010319-5 s DE-604 HEBIS Datenaustausch Darmstadt application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=014901185&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Winkler, Olaf 1973- Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente Speicherzelle (DE-588)4182147-6 gnd LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 gnd Nanodot-Speicher (DE-588)7522157-3 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd SOI-Technik (DE-588)4128029-5 gnd Floating-Gate-Struktur (DE-588)4325978-9 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4182147-6 (DE-588)4277965-0 (DE-588)7522157-3 (DE-588)4010319-5 (DE-588)4128029-5 (DE-588)4325978-9 (DE-588)4113937-9 |
| title | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente |
| title_auth | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente |
| title_exact_search | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente |
| title_exact_search_txtP | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente |
| title_full | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente Olaf Winkler |
| title_fullStr | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente Olaf Winkler |
| title_full_unstemmed | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente Olaf Winkler |
| title_short | Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente |
| title_sort | silizium nanodots fur nichtfluchtige speicherbauelemente |
| topic | Speicherzelle (DE-588)4182147-6 gnd LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 gnd Nanodot-Speicher (DE-588)7522157-3 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd SOI-Technik (DE-588)4128029-5 gnd Floating-Gate-Struktur (DE-588)4325978-9 gnd |
| topic_facet | Speicherzelle LPCVD-Verfahren Nanodot-Speicher CMOS SOI-Technik Floating-Gate-Struktur Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=014901185&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT winklerolaf siliziumnanodotsfurnichtfluchtigespeicherbauelemente |